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1. 发明专利

TW201214814A 磁阻效應元件的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT 审中-公开
简体标题：磁阻效应组件的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT
公开(公告)号：TW201214814A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100113194
申请日：2011-04-15
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：松井尚子 , 尾崎英司 , 赤坂洋
IPC分类号： H01L , G11B
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y25/00 , G01R33/093
摘要：本發明提供磁阻效應元件的製造方法，其中可放大所形成的膜之該階梯覆蓋範圍，並且可在低溫範圍中沉積該膜。在本發明的實施例中，藉由電漿CVD(化學汽相沉積)設備，將絕緣保護層形成在多層結構上，在該電漿CVD設備中，由隔牆板將電漿源和膜沉積室彼此分開。根據本方法，能夠沉積該保護層卻不會引起磁特性降低，並且甚至在低於150℃的溫度中亦能夠執行低溫膜沉積。因此，能夠在遺留抗蝕劑的同時沉積該保護層，並且能夠減少製造具有多層結構之該磁阻效應元件時的步驟數目。
简体摘要：本发明提供磁阻效应组件的制造方法，其中可放大所形成的膜之该阶梯覆盖范围，并且可在低温范围中沉积该膜。在本发明的实施例中，借由等离子CVD(化学汽相沉积)设备，将绝缘保护层形成在多层结构上，在该等离子CVD设备中，由隔墙板将等离子源和膜沉积室彼此分开。根据本方法，能够沉积该保护层却不会引起磁特性降低，并且甚至在低于150℃的温度中亦能够运行低温膜沉积。因此，能够在遗留抗蚀剂的同时沉积该保护层，并且能够减少制造具有多层结构之该磁阻效应组件时的步骤数目。

2. 发明专利

TWI630605B 離子束蝕刻方法及離子束蝕刻裝置有权
简体标题：离子束蚀刻方法及离子束蚀刻设备
公开(公告)号：TWI630605B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105131739
申请日：2016-09-30
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA
IPC分类号： G11B5/31 , H01J37/32

3. 发明专利

TWI518732B 離子束處理方法及離子束處理裝置有权
简体标题：离子束处理方法及离子束处理设备
公开(公告)号：TWI518732B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103107670
申请日：2014-03-06
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 昆野優太 , KONNO, YUTA
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/243 , H01J37/045 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J37/32422

4. 发明专利

TWI474365B 電漿處理裝置及裝置的製造方法有权
简体标题：等离子处理设备及设备的制造方法
公开(公告)号：TWI474365B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW100106199
申请日：2011-02-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：松橋亮 , MATSUHASHI, RYO , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 小平吉三 , KODAIRA, YOSHIMITSU , 關口敦 , SEKIGUCHI, ATSUSHI , 松井尚子 , MATSUI, NAOKO
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/16 , H05H1/46

5. 发明专利

TW201724092A 離子束蝕刻方法及離子束蝕刻裝置审中-公开
简体标题：离子束蚀刻方法及离子束蚀刻设备
公开(公告)号：TW201724092A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105131739
申请日：2016-09-30
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 坂本清尚 , SAKAMOTO, KIYOTAKA
IPC分类号： G11B5/31 , H01J37/32
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J37/3178 , H01J37/32422 , H01J2237/08
摘要：提供一種離子束蝕刻方法，不伴隨裝置的大型化，即使為低入射靜止條件仍可實現高均勻的IBE處理的離子束蝕刻方法。離子束蝕刻方法，係具有：變更相對於基板的開口部的位置的步驟；透過通過開口部的離子束而蝕刻基板的步驟；和隨著離子束照射於基板的位置之中心從離子源遠離，而減小傾斜角度的步驟。
简体摘要：提供一种离子束蚀刻方法，不伴随设备的大型化，即使为低入射静止条件仍可实现高均匀的IBE处理的离子束蚀刻方法。离子束蚀刻方法，系具有：变更相对于基板的开口部的位置的步骤；透过通过开口部的离子束而蚀刻基板的步骤；和随着离子束照射于基板的位置之中心从离子源远离，而减小倾斜角度的步骤。

6. 发明专利

TW201532220A 基板加工方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：基板加工方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201532220A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145276
申请日：2014-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 木村和弘 , KIMURA, KAZUHIRO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 豊里智彥 , TOYOSATO, TOMOHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , C23C16/56 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843
摘要：本發明是以提供一種可一面使堆積膜殘存至構成通孔(Through Hole)或貫孔(Via Hole)等之凹部的底部、側壁部及上端部，且一面在凹部內充分地埋入材料之基板加工方法及半導體裝置的製造方法為目的。本發明之一實施形態的基板加工方法係具有：第1照射工程，其係對形成於基板的凹部的開口部的堆積膜，由第1角度的方向來對基板面內方向照射粒子束，而除去堆積膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其係於第1照射工程之後，由對於基板面內方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向來照射粒子束，而除去殘存的堆積膜的厚度方向的一部分。
简体摘要：本发明是以提供一种可一面使堆积膜残存至构成通孔(Through Hole)或贯孔(Via Hole)等之凹部的底部、侧壁部及上端部，且一面在凹部内充分地埋入材料之基板加工方法及半导体设备的制造方法为目的。本发明之一实施形态的基板加工方法系具有：第1照射工程，其系对形成于基板的凹部的开口部的堆积膜，由第1角度的方向来对基板面内方向照射粒子束，而除去堆积膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其系于第1照射工程之后，由对于基板面内方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向来照射粒子束，而除去残存的堆积膜的厚度方向的一部分。

7. 发明专利

TWI562304B 基板加工方法及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：基板加工方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI562304B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW103145276
申请日：2014-12-24
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 池田真義 , IKEDA, MASAYOSHI , 木村和弘 , KIMURA, KAZUHIRO , 神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 豊里智彥 , TOYOSATO, TOMOHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , C23C14/5873 , C23C16/56 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843

8. 发明专利

TW201503207A 離子束處理方法及離子束處理裝置审中-公开
简体标题：离子束处理方法及离子束处理设备
公开(公告)号：TW201503207A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103107670
申请日：2014-03-06
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：神谷保志 , KAMIYA, YASUSHI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI , 昆野優太 , KONNO, YUTA
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/243 , H01J37/045 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/3056 , H01J37/3178 , H01J37/32422
摘要：本發明的一實施形態相關之離子束蝕刻方法，係具有：在離子束(2b)因遮擋件(5)而未照射於基板(4a)之第1狀態下，對於第1電極(307)，施加供以於真空容器1將離子作引出之正的電壓之程序(11b)；在第1狀態下，於內部空間內使電漿產生之程序(12b)；藉在第1狀態下形成對於第1電極(307)係施加正的電壓並對於第2電極(308)係施加負的電壓之第2狀態，以形成離子束(2b)之程序(13)；以及使遮擋件(5)移動，以離子束(2b)對於基板(4a)作照射，而處理該基板之程序(20b)。
简体摘要：本发明的一实施形态相关之离子束蚀刻方法，系具有：在离子束(2b)因遮挡件(5)而未照射于基板(4a)之第1状态下，对于第1电极(307)，施加供以于真空容器1将离子作引出之正的电压之进程(11b)；在第1状态下，于内部空间内使等离子产生之进程(12b)；藉在第1状态下形成对于第1电极(307)系施加正的电压并对于第2电极(308)系施加负的电压之第2状态，以形成离子束(2b)之进程(13)；以及使遮挡件(5)移动，以离子束(2b)对于基板(4a)作照射，而处理该基板之进程(20b)。

9. 发明专利

TWI450427B 磁阻效應元件的製造方法有权
简体标题：磁阻效应组件的制造方法
公开(公告)号：TWI450427B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100113194
申请日：2011-04-15
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：松井尚子 , MATSUI, NAOKO , 尾崎英司 , OZAKI, EIJI , 赤坂洋 , AKASAKA, HIROSHI
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/06 , G11B5/39
CPC分类号： H01L43/12 , B82Y25/00 , G01R33/093

10. 发明专利

TW201209879A 電漿處理裝置及裝置的製造方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及设备的制造方法
公开(公告)号：TW201209879A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100106199
申请日：2011-02-24
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：松橋亮 , 赤坂洋 , 小平吉三 , 關口敦 , 松井尚子
IPC分类号： H01J , H05H
摘要：本發明是在於減少來自放電容器中所產生的電漿之損傷,使放電容器的更換周期長期化。本發明的電漿處理裝置(1)係具備:處理室(2),其係區劃處理空間;放電容器(3),其係一端面臨處理室(2)的內部而開口,另一端被閉塞;天線(4),其係配置於放電容器(3)的周圍,使發生感應電場,在減壓下的放電容器(3)的內部產生電漿;及電磁石(9),其係配置於放電容器(3)的周圍,在放電容器(3)的內部形成散發磁場,在放電容器(3)的閉塞端部形成有朝處理室側突出的突出部(15)。
简体摘要：本发明是在于减少来自放电容器中所产生的等离子之损伤,使放电容器的更换周期长期化。本发明的等离子处理设备(1)系具备:处理室(2),其系区划处理空间;放电容器(3),其系一端面临处理室(2)的内部而开口,另一端被闭塞;天线(4),其系配置于放电容器(3)的周围,使发生感应电场,在减压下的放电容器(3)的内部产生等离子;及电磁石(9),其系配置于放电容器(3)的周围,在放电容器(3)的内部形成散发磁场,在放电容器(3)的闭塞端部形成有朝处理室侧突出的突出部(15)。

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