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    • 32. 发明专利
    • チップ抵抗器およびその製造方法
    • 芯片电阻及其制造方法
    • JP2015070166A
    • 2015-04-13
    • JP2013204379
    • 2013-09-30
    • コーア株式会社
    • 前田 幸則
    • H01C7/00H01C1/146H01C17/06H01C1/142
    • 【課題】両面の抵抗体の損傷を簡単かつ確実に回避することができるチップ抵抗器とその製造方法を提供する。 【解決手段】チップ抵抗器1は、抵抗体と電極の接続構造が絶縁基板2の表裏両面で相違しており、絶縁基板2の一面側では表面電極3の端部を覆うように表面抵抗体5が接続されているが、絶縁基板2の他面側では裏面抵抗体6の端部を覆うように裏面電極4が接続されている。これにより、絶縁基板2の一面に表面抵抗体5を形成しないで表面電極3だけを形成した後、絶縁基板2の他面に裏面抵抗体6とその端部を覆うように裏面電極4を形成し、しかる後に絶縁基板2の一面に表面電極3の端部を覆うように表面抵抗体5を形成するようにすれば、裏面抵抗体6の端部に重なる裏面電極4の厚みによって、下向きにした裏面抵抗体6とコンベアベルト19との接触を回避することができる。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供能够简单且可靠地避免双面电阻器的损坏的片式电阻器及其制造方法。解决方案:在片式电阻器1中,电阻器和电极之间的连接结构 在绝缘基板2的前表面和后表面上是不同的; 连接绝缘基板2的表面侧电极3的前表面电极3的端部的正面电阻5, 并且后电极4被连接以覆盖绝缘基板2的另一侧上的后表面电阻器6的端部。由此,仅在形成表面电极3之后,在一个表面上形成前表面电阻器5 绝缘基板2的后表面电极4被形成为覆盖在绝缘基板2的另一个表面上的后表面电阻6及其端部,然后,当形成前表面电阻5以覆盖端部 在绝缘基板2的一个表面上的前表面电极3的背面电极6的厚度与背面电极4的厚度成反比, 后表面电阻6。
    • 34. 发明专利
    • CHIP THERMISTER
    • JPH1154301A
    • 1999-02-26
    • JP21341397
    • 1997-08-07
    • MURATA MANUFACTURING CO
    • KAWASE MASAHIKOKITO NORIMITSU
    • H01C7/02H01C1/146H01C7/04H01C17/245
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To cope with high density mounting, bump contact and the like while reducing dispersion of resistance value, by opposing a first external electrode and a second external electrode at a determined distance in a surface of a thermister. SOLUTION: A chip thermister 1 has a thermister element 2 in the shape of a rectangular plate. The thermister element 2 can comprise any semiconductor ceramics with positive or negative resistance temperature coefficient. A first external electrode 3 and a second external electrode 4 are formed on the top of the thermister element 2. The first external electrode 3 and the second external electrode 4 are formed so that the outer edges of the end faces of the electrodes 3 and 4 reach end faces 2a and 2b of the thermister element 2. The first external electrode 3 and the second external electrode 4 can also easily cope with bump bonding since the electrodes 3 and 4 occupy a certain amount of area on a surface of the thermister element 2 and are formed so as to be smooth face.