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31. 发明申请

US20060219158A1 Body having a smooth diamond layer, device and method therefor 有权
标题翻译：具有平滑金刚石层的本体，其装置及其方法
公开(公告)号：US20060219158A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：US10549621
申请日：2004-03-22
申请人： Dirk Breidt , Oliver Lemmer , Martin Frank
发明人： Dirk Breidt , Oliver Lemmer , Martin Frank
IPC分类号： C30B7/00 , C30B21/02 , C30B28/06
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/271 , C23C16/279 , Y10S76/12
摘要： The invention refers to a method and apparatus for CVD coating and to a coated body. To improve the mechanical properties of the structure and surface of the body and to make the method and apparatus as simple and cost-effective as possible, it is suggested in the method, in which a layer is deposited on a substrate in a carbon-containing gas atmosphere: that the process parameters be varied during the coating period in such a way that during the coating period a first operating mode and a second operating mode are repeatedly alternated, wherein in the first operating mode a higher carbon over-saturation of the gas atmosphere occurs near the substrate, and in the second operating mode a lower carbon over-saturation of the gas atmosphere occurs near the substrate. In this way, a body can be produced with a substrate and at least one layer deposited on the surface of the substrate, wherein the layer consists of nano-crystalline diamond.
摘要翻译：本发明涉及用于CVD涂覆和涂覆体的方法和装置。为了提高机体的结构和表面的机械性能，使得该方法和装置尽可能简单且成本有效，在该方法中建议将一层沉积在基底上的含碳气体气氛：在涂覆期间改变工艺参数，使得在涂覆期间，第一操作模式和第二操作模式被重复交替，其中在第一操作模式中气体的碳过度饱和度较高在基板附近发生气氛，在第二工作模式中，在基板附近发生气体气体的较低碳过度饱和。以这种方式，可以制造具有基底和沉积在基底表面上的至少一层的主体，其中该层由纳米晶体金刚石构成。

32. 发明授权

US06852201B2 Sputter target and method of using a sputter target 有权
标题翻译：溅射靶和使用溅射靶的方法
公开(公告)号：US06852201B2
公开(公告)日：2005-02-08
申请号：US10344128
申请日：2001-08-07
申请人： Bernd Hermeler , Alexander Wuropulos
发明人： Bernd Hermeler , Alexander Wuropulos
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414
摘要： A sputtering target used in carrying out a PVD coating process where the sputtering target is sputtered by bombardment with gas atoms and a layer consisting of several metallic elements is deposited onto a substrate, the sputtering target being a plate made of a metal used for building up the layer, and with the other metals used for building up the layer being present at least partially in the form of plugs, which are inserted in holes in the plate, the shape of the free surfaces of the plugs being selected in such a way that the sputtering rate for each metal used in the sputtering process can be set according to the desired composition of the layer being applied.
摘要翻译：用于进行PVD涂覆工艺的溅射靶，其中通过用气体原子轰击溅射溅射靶和由若干金属元素组成的层而沉积到衬底上，溅射靶是由用于构建的金属制成的板所述层以及用于构建所述层的其它金属至少部分地以塞子的形式存在于所述板中的孔中，所述插塞的自由表面的形状被选择为使得可以根据所施加的层的期望组成来设定溅射工艺中使用的每种金属的溅射速率。

33. 发明申请

WO2021139977A1 SUBSTRAT-AUFNAHME FÜR PROZESSKAMMERN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021139977A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：PCT/EP2020/086351
申请日：2020-12-16
申请人： CEMECON AG
发明人： MAY, Walter
IPC分类号： H01L21/677 , F16M11/24 , F16M11/04 , F16M11/38 , F16M11/42 , F16M11/18 , B66F3/12 , B66F7/06 , C23C16/27 , C23C30/00 , H01J37/32 , B66F7/0608 , B66F7/0691 , C23C16/44 , C23C16/4581 , C23C16/4587 , F16M11/046 , H01J37/32715 , H01L21/67706 , H01L21/67724 , H01L21/67754 , H01L21/68742 , H01L21/68764
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung (10) zum Halten von Werkstücken (30) in einer Prozesskammer. Ferner betrifft die Erfindung eine Beschichtungsanlage (20), sowie ein Verfahren zum Beschichten eines Werkstücks (30). Um für die Position von Werkstücken (30) eine präzise Höhenverstellbarkeit bei fester und stabiler Lagerung bereitzustellen, umfasst die Haltevorrichtung (10) eine Ablage (72) für die Werkstücke (30), ein höhenverstellbares erstes Stützelement (22) und ein höhenverstellbares zweites Stützelement (48) für die Ablage (72), wobei die Stützelemente (22, 48) jeweils zumindest ein erstes und ein zweites Schenkelelement (26, 56) umfassen, wobei das jeweils erste und das jeweils zweite Schenkelelement (26, 56) gegeneinander um eine Schwenkachse X, Y schwenkbar gekoppelt sind, und wobei die Schwenkachse X des ersten Stützelements (22) unter einem Winkel zu der Schwenkachse Y des zweiten Stützelements (48) angeordnet ist.

34. 发明申请

WO2021048136A2 MEHRLAGIGE BESCHICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021048136A2
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：PCT/EP2020/075095
申请日：2020-09-08
申请人： CEMECON AG
发明人： KÖLKER, Werner , BOLZ, Stephan , LEMMER, Oliver
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C28/04 , H01J37/34 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/067 , C23C14/345 , C23C14/3485 , C23C14/352 , C23C14/505 , C23C30/005 , H01J37/32706 , H01J37/32779 , H01J37/3405 , H01J37/3429 , H01J37/3467
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.

35. 发明申请

WO2010057837A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN EINES SUBSTRATS MITTELS CVD 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于涂布基材BY CVD
公开(公告)号：WO2010057837A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/EP2009/065177
申请日：2009-11-13
申请人： DIACCON GMBH , CEMECON AG , RÜFFER, Martin , ROSIWAL, Stefan , BAREISS, Christian , REICHERT, Walter , LEMMER, Oliver , PERLE, Marc
发明人： RÜFFER, Martin , ROSIWAL, Stefan , BAREISS, Christian , REICHERT, Walter , LEMMER, Oliver , PERLE, Marc
IPC分类号： H01L21/00 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/278 , C23C16/24 , C23C16/271 , C23C16/272 , C23C16/273 , H01L21/67098 , H01L21/67115
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats (14) mittels CVD, insbesondere zum Beschichten mit Diamant oder Silizium, wobei in einem Gehäuse (10) ein Heizleiter-Array aus einer Vielzahl langgestreckter, sich zwischen einer ersten (1) und einer zweiten Elektrode (8) erstreckenden Heizleitern (2) vorgesehen ist, wobei die Heizleiter (2) durch eine an deren einem Ende angebrachte Spanneinrichtung individuell gespannt gehalten werden. Zur Verbesserung der Haltbarkeit der Heizleiter (2) wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Spanneinrichtung einen ein Spanngewicht (G) aufweisenden Schwenkarm (5) umfasst, an dessen erstem Ende (E1) der Heizleiter (2) angebracht und dessen zweites Ende (E2) im Wesentlichen um eine horizontale Achse (H) schwenkbar gelagert ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆通过CVD装置的基板（14），特别是，对于具有金刚石或硅，涂层，其中，在壳体（10），一个热导体阵列由多个细长的，第一（1）和一个第二电极之间（8）延伸的加热导体（2）提供，其中所述加热导体（2）被保持单独由安装在张紧装置的一个端部拉紧。为了提高加热导体（2）的耐久性，本发明提出，所述夹紧装置包括一个张紧重量（G），其包括枢转臂（5）包括，在其第一端（E1）被安装时，加热导体（2），并且其第二端部（E2）在基本上围绕水平轴（H）的枢转安装。

36. 发明申请

WO2010057836A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BESCHICHTEN EINES SUBSTRATS MITTELS CVD 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于涂布基材BY CVD
公开(公告)号：WO2010057836A1
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/EP2009/065176
申请日：2009-11-13
申请人： DIACCON GMBH , CEMECON AG , RÜFFER, Martin , ROSIWAL, Stefan , BAREISS, Christian , REICHERT, Walter , LEMMER, Oliver , PERLE, Marc
发明人： RÜFFER, Martin , ROSIWAL, Stefan , BAREISS, Christian , REICHERT, Walter , LEMMER, Oliver , PERLE, Marc
IPC分类号： C23C16/27 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/24 , C23C16/27 , C23C16/271 , C23C16/44 , C30B29/04 , C30B29/06
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit CVD, insbesondere zum Beschichten mit Diamant oder Silizium, wobei in einem Gehäuse (9) ein Heizleiter-Array aus einer Vielzahl langgestreckter, sich zwischen einer ersten (1) und einer zweiten Elektrode (6) erstreckenden Heizleitern (2) vorgesehen ist, wobei die Heizleiter (2) durch ein an deren einem Ende angebrachtes Gewicht (4) individuell gespannt gehalten werden. Zur Erhöhung der Lebensdauer der Heizleiter(2) wird erfindungsgemäm vorgeschlagen, dass das Gewicht (4) oder der Heizleiter (2) an der zweiten Elektrode (6) unter Ausbildung eines elektrischen Schleifkontakts so geführt ist, dass ein Vektor der durch das Gewicht (4) erzeugten Gewichtskraft (G) mit einer Richtung der Längserstreckung des Heizleiters (2) einen Winkel (α) von höchstens 45° bildet.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，用于在壳体涂覆与CVD法在基板，特别是，对于具有金刚石或硅涂层，用由多个细长的的加热导体阵列，第一（1）和第二电极之间（9）（6）延伸加热导体（2）提供，其中所述加热导体（2）被保持单独由连接在一端重量份（4）张紧。为了提高加热导体的寿命（2）erfindungsgemäm建议的重量（4）或第二电极（6）中的加热导体（2）被引导到形成电滑动接触，使得（按重量计4的矢量与加热导体（2）的纵向延伸的方向上产生的（G））的重量的力形成形成至多45°的角（α）。

37. 发明申请

WO2009132822A3 DEVICE AND METHOD FOR PRETREATING AND COATING BODIES 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR预处理和包覆体
公开(公告)号：WO2009132822A3
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/EP2009003082
申请日：2009-04-28
申请人： CEMECON AG , CREMER RAINER , MAY WALTER
发明人： CREMER RAINER , MAY WALTER
IPC分类号： H01J37/34 , C23C14/02 , C23C14/34 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/14 , C23C14/352 , H01J37/3444 , H01J37/3467 , H01J37/3473
摘要： The invention relates to a device and to a method for pretreating and coating bodies by magnetron atomization. Said device comprises a vacuum chamber with metal chamber walls (26) and magnetrons with sputter-targets are arranged in said vacuum chamber, at least one magnetron being an HPPMS magnetron to which electric impulses are fed such that a capacitive element (6) is connected by a switch element (5) to the sputter-target of the HPPMS-magnetron. According to a first aspect of the invention, in order to effectively pretreat and coat substrates, the switch element is arranged on the chamber wall.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于处理前和涂层制品通过磁控溅射的方法。在真空室中与磁控管的金属室壁（26）被布置成与溅射靶，其中之一是至少一种HPPMS磁控管，通过电容元件（6）由开关元件（5）与所述溅射靶供给到电脉冲 HPPMS磁控管连接。为了允许有效的预处理和底物的涂层，在第一方面中提供，所述开关元件被布置在所述腔室壁上。

38. 发明申请

WO2007140931A1 BESCHICHTETER KÖRPER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：涂覆体，及其制备方法
公开(公告)号：WO2007140931A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/EP2007/004859
申请日：2007-06-01
申请人： CEMECON AG , GUSSONE, Joachim
发明人： GUSSONE, Joachim
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/27 , C23C16/0227 , H05K3/0044 , H05K3/0047 , Y10T428/24331
摘要： Beschrieben werden ein beschichteter Körper und Verfahren zur Vorbehandlung und Beschichtung eines Körpers. Der Körper weist ein Substrat aus einem Hartmetall oder Cermet, bestehend aus Hartstoffpartikeln i und Bindermaterial (2) und eine darauf angebrachte haftende Diamantschicht (4) auf. Mindestens ein Teil der Hartstoffpartikel (1) an der Oberfläche des Substrats und unter der Diamantschicht (4) weisen transkristalline Vertiefungen in Form von Löchern auf. Das Substrat kann aus Hartmetall überwiegend bestehend aus WC und Co bestehen. Eine CVD-Diamantschicht kann auf den Funktionsflächen aufgebracht sein. Bei wenigstens einer der diamantbeschichteten Funktionsflächen ist der Cobalt-Gehalt der Oberfläche angegeben in Gew.-% im Verhältnis zum WC gemessen mittels energiedispersiver Röntgenfluoreszenz nur um maximal 50% gegenüber dem unbehandelten Substrat vermindert. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden Hartstoffpartikel an der Oberfläche des Substrats auf che- mischem Wege transkristallin so angeätzt, daß Vertiefungen in Form von Einbuchtungen oder Löchern entstehen.
摘要翻译：一个涂装体和方法用于预处理和涂覆体进行说明。该本体具有由硬质金属或金属陶瓷的基底，包括设置在其上i和粘合剂材料（2）和硬质材料的颗粒，附着金刚石层（4）。至少一个基片的表面和金刚石层上的硬质材料颗粒（1）的部分（4）具有在孔的形式的反式结晶凹部。所述基板可以由超硬合金主要由WC和Co的存在的。甲CVD金刚石层可以被施加到功能面。至少在表面的钴含量的金刚石涂覆功能表面中的一个以重量％表示相对于由能量色散X射线荧光测量的WC仅通过与未处理基板的最大的50％的减少。在本发明方法的硬质材料颗粒在衬底蚀刻，使得在凹口或孔的形式形成凹部的化学混合器路径的表面上的反式结晶。

39. 发明申请

WO2004083484A1 KÖRPER MIT GLATTER DIAMANTSCHICHT, SOWIE VORRICHTUNG UND VERFAHREN 审中-公开
标题翻译：与光滑金刚石薄膜，装置及方法BODY
公开(公告)号：WO2004083484A1
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：PCT/EP2004/003014
申请日：2004-03-22
申请人： CEMECON AG , BREIDT, Dirk , LEMMER, Oliver , FRANK, Martin
发明人： BREIDT, Dirk , LEMMER, Oliver , FRANK, Martin
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/271 , C23C16/279 , Y10S76/12
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur CVD-Beschichtung sowie einen beschichteten Körper. Um die Struktur und Oberfläche des Körpers so auszubilden, dass er verbesserte mechanische Eigenschaften hat, und das Verfahren und die Vorrichtung einfach und kostengünstig auszugestalten wird vorgeschlagen, dass bei dem Verfahren, bei dem auf einem Substrat in einer kohlenstoffhaltigen Gasatmosphäre eine Schicht abgeschieden wird, -die Prozessparameter während der Beschichtungsdauer so variiert werden, dass mehrfach während der Beschichtungsdauer zwischen einem ersten Betriebszustand und einem zweiten Betriebszustand gewechselt wird, - wobei im ersten Betriebszustand eine höhere Kohlenstoff-Übersättigung der Gasatmosphäre in Substratnähe eintritt, - und im zweiten Betriebszustand eine geringere Kohlenstoff-Übersättigung der Gasatmosphäre in Substratnähe eintritt. So kann ein Körper hergestellt werden mit einem Substrat, und mindestens einer auf der Oberfläche des Substrats aufgebrachten Schicht, wobei die Schicht aus nanokristallinem Diamant besteht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于CVD涂覆的方法和设备和涂覆体。到主体形式的结构和表面，使得他改进具有的机械性能，并提出的简单和便宜的设计它的方法和装置，在该方法中，其中，在含碳气体的气氛在基板上，一个膜沉积 - 该工艺参数是在涂覆时间而变化从而在第一运行状态和第二运行状态之间的涂层时间改变几次， - 其中，在第一操作状态下发生的基板附近的气体气氛的更高碳的过饱和， - 和在所述第二工作状态，一个较低的碳发生在衬底附近的气体气氛的过饱和。这样的机构可以产生具有衬底和至少一个所施加的基板层的表面上，其中所述层由纳米晶金刚石的。

40. 发明申请

WO2004031437A1 BESCHICHTUNGSVERFAHREN UND BESCHICHTETER KÖRPER 审中-公开
标题翻译：涂层工艺及涂层体，
公开(公告)号：WO2004031437A1
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/EP2003/010735
申请日：2003-09-26
申请人： CEMECON AG , GUSSONE, Joachim , FRANK, Martin , BREIDT, Dirk
发明人： GUSSONE, Joachim , FRANK, Martin , BREIDT, Dirk
IPC分类号： C23C16/02
CPC分类号： C23C30/005 , C23C16/0227 , C23C16/27 , Y10T428/30
摘要： Beschrieben wird ein Körper mit einem Hartmetall-Substrat (10) und einer Diamantschicht (30) sowie ein Verfahren zur Beschichtung eines Hartmetall-Substrats (10). Das Hartmetall-Substrat weist Hartstoffpartikel (20) und umgebendes Bindermaterial (22) auf. In einem ersten Bereich (24) intakten Hartmetalls sind die Hartstoffpartikel (20) von Bindermaterial (22) umgeben. Der Übergangsbereich des ersten Bereich (24) weist ein Tiefenprofil mit Vertiefungen (18) und Erhebungen (16) auf. Hierdurch ist die Diamantschicht (30) mit dem Substratmaterial (10) verklammert, wobei Teile der Diamantschicht (30) tiefer im Substrat (10) angeordnet sind als Erhebungen (16) des ersten Bereichs (24). Dies wird mit einem Vorbehandlungsverfahren erzielt, bei dem ein Hartmetall-Substrat (10) zunächst einem selektiven Ätzschritt zur Entfernung des Bindermaterials (22) unterworfen wird. Es bildet sich eine poröse Zone mit einem Tiefenprofil. Die Hartstoffpartikel in der porösen Zone (12) werden entweder durch Mikrostrahlen entfernt, oder in einem zweiten, WC-selektiven Ätzschritt entfernt. Schliesslich wird mit einem Co-selektiven Ätzschritt eine Cobaltanreicherung auf der Oberfläche entfernt und das Substrat (10) mittels CVD mit einer Diamantschicht beschichtet.
摘要翻译：包括硬质合金基底（10）和一个金刚石层（30）和涂覆硬质合金基材（10）的方法的主体进行说明。该硬质合金基底包括硬质材料颗粒（20）和周围的粘合剂材料（22）。在第一区域（24）完好无损的硬质合金，粘合剂材料（22）的硬质颗粒（20）所包围。所述第一区域（24）的过渡区域具有带有凹口（18）和凸起（16）的低轮廓。以这种方式，所述金刚石层（30）与所述衬底材料（10）被夹紧，与金刚石层（30）在基板（10）更深的部分被布置为第一区域（24）的凸起（16）。这是与其中硬质合金基底（10）首先进行选择性蚀刻步骤去除粘合剂材料（22）一前处理工艺来实现的。它形成一个低调多孔区。在多孔区（12）的硬质材料的颗粒或者通过微射流去除，或者在第二，WC-选择性蚀刻步骤中去除。最后，钴富集被除去，涂敷在衬底（10）由与具有共同选择性蚀刻步骤金刚石层的CVD装置的表面上。

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