专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

DE112013003805T5 Siliciumcarbidhalbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für dieses 未知
公开(公告)号：DE112013003805T5
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：DE112013003805
申请日：2013-07-25
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANAKA RINA , FUKUI YUTAKA , FUJIWARA NOBUO , KAGAWA YASUHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要： Ein Siliciumcarbidhalbleiterbauteil umfasst Gräben 2, die in einer Gitterform auf der Oberfläche eines Siliciumcarbidsubstrats ausgebildet sind, auf dem eine Halbleiterschicht ausgebildet ist, und Gate-Elektroden 1, die im Inneren der Gräben 2 über eine Gate-Isolierschicht 8 ausgebildet sind. Die Tiefe der Gräben 2 ist in einem Abschnitt, in dem die Gräben 2 sich kreuzend ausgebildet sind, kleiner als in einem Abschnitt, in dem die Gräben 2 parallel zueinander ausgebildet sind. Demzufolge wird das Siliciumcarbidhalbleiterbauteil erhalten, das eine Stehspannung zwischen den Gate-Elektroden und entsprechenden Drain-Elektroden auf der Halbleiterbauteilrückseite erhöht, um einen dielektrischen Durchbruch zu verhindern, und gleichzeitig über eine große Fläche der Gate-Elektroden, eine hohe Kanaldichte pro Einheitsfläche und einen geringen Durchlasswiderstand verfügt.

32. 发明专利

JP2014207326A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2014207326A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013084000
申请日：2013-04-12
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： FUJIWARA NOBUO , KAGAWA YASUHIRO , TANAKA RINA , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/41
摘要：【課題】トレンチ底部の角部における電界集中を緩和することができる半導体装置を提供する。【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体からなる半導体基板と、半導体基板上に形成された第一導電型のドリフト層と、ドリフト層の上部に形成された第二導電型のベース領域と、ベース領域内の上部に形成された第一導電型のソース領域と、ベース領域とソース領域とを貫通しドリフト層に達するよう形成された第一トレンチ部と第一トレンチ部直下のドリフト層に形成され第一トレンチ部の幅よりも幅が狭い第二トレンチ部とから構成されたトレンチと、第一トレンチ部及び第二トレンチ部に沿ってトレンチ内の側面及び底面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜が形成されたトレンチの内部に埋没するゲート電極と、トレンチの第一トレンチ部及び第二トレンチ部直下におけるドリフト層に形成された第二導電型の保護層とを備えた半導体装置とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以缓和沟槽底部角落处的电场浓度的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：由宽带隙半导体构成的半导体衬底; 形成在所述半导体基板上的第一导电型漂移层; 形成在漂移层上的第二导电型基极区; 形成在上部的基部区域中的第一导电型源极区域; 由形成为穿透所述基极区域的第一沟槽部分和所述源极区域到达所述漂移层构成的沟槽，以及形成在所述第一沟槽部分的正下方的所述漂移层中的第二沟槽部，其宽度比第一沟槽部分的宽度; 形成在侧面和底面上并且沿着第一沟槽部分和第二沟槽部分的栅极绝缘膜; 埋置在沟槽内的形成栅极绝缘膜的栅电极; 以及形成在沟槽的第一沟槽部分和第二沟槽部分正下方的漂移层中的第二导电型保护层。

33. 发明专利

JP2014175435A Silicon carbide semiconductor device 审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2014175435A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046116
申请日：2013-03-08
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YAMAMOTO YASUKI , FUKUI YUTAKA , TOMINAGA TAKAAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide semiconductor device which can inhibit stacking fault extension while suppressing area penalty.SOLUTION: A silicon carbide semiconductor device comprises a current induction region 20 which falls within a region covered with at least a well region 14 and does not spread from the well region 14, and which is formed to extend downward from an under surface of the well region 14. An impurity concentration of the current induction region 20 is set lower than an impurity concentration of the well region 14 and higher than an impurity concentration of a drift layer 11.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制堆积故障延伸同时抑制面积损失的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件包括电流感应区域20，该电流感应区域落在至少覆盖有阱区域14的区域内，不从阱区域14扩散，并且形成为从阱区域14的下表面向下延伸。电流感应区域20的杂质浓度被设定为低于阱区域14的杂质浓度，并且高于漂移层11的杂质浓度。

34. 发明专利

JP2017084839A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017084839A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015208171
申请日：2015-10-22
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： KAGAWA YASUHIRO , TANAKA RINA , FUKUI YUTAKA , SUGAWARA KATSUTOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
摘要：【課題】チャネル密度の大きな格子状のトレンチ構造を保持したまま、トレンチ交差部の角部が先にオン状態となり、閾値電圧が低下するのを防ぎ、オン抵抗と閾値電圧のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型のドリフト層の表面側に位置する第2導電型の第1のベース領域と、第1のベース領域内に位置する第1導電型のソース領域と、第1のベース領域とソース領域を貫通し、複数の面からなるトレンチ側壁を有し、格子状の形成されたトレンチと、トレンチ内のトレンチ側壁に形成されたゲート絶縁膜と、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極と、トレンチの交差部における角部に接する箇所には、角部以外のトレンチ側壁に接する箇所に形成された第1のベース領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する、第2導電型の第2のベース領域とを備えたことを特徴とする。【選択図】図2

35. 发明专利

JP2014216444A 炭化珪素半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014216444A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013091969
申请日：2013-04-25
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： SUGAHARA KAZUYUKI , WATANABE TOMOKATSU , KAGAWA YASUHIRO , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/78
摘要：【課題】本発明は、複雑なゲート電極構造を必要とせず、ヒステリシス現象の発生を抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、ウェル領域4の一部、ドリフト層2の一部およびソース領域3の一部の上部にゲート絶縁膜6を介して設けられたゲート電極7を備え、ゲート電極7が半導体材料に第2導電型の不純物がドープされた導電層からなり、当該導電層中には窒素がさらにドープされ、ゲート電極7のゲート絶縁膜6と接する側において、窒素の濃度が不純物の濃度より高い。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供可以抑制滞后现象的发生而不需要复杂的栅电极结构的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件包括设置在阱区4的一部分上的栅电极7 ，漂移层2的一部分和源极区3的部分上部经由栅极绝缘膜6.栅电极7由导电层构成，其中半导体材料掺杂有第二导电类型的杂质，以及导电层进一步用氮气掺杂。栅电极7的氮浓度高于与栅极绝缘膜6接触的一侧的杂质浓度。

36. 发明专利

JPH05183024A PRODUCT EVALUATING APPARATUS 失效
公开(公告)号：JPH05183024A
公开(公告)日：1993-07-23
申请号：JP34680191
申请日：1991-12-27
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FUKUI YUTAKA
IPC分类号： G01R1/073 , G01R31/26 , H01L21/66
摘要： PURPOSE:To provide an apparatus which is responsive to a variety of products depending on the one contact probe holding member and is capable of saving the exchange period of the contact probe holding member by enabling the contact probe holding member to movably hold the contact probe along an elongated hole. CONSTITUTION:A product evaluating apparatus comprises a contact probe l which ensures contact with a measuring electrode 31 of the apparatus to be evaluated and a contact probe holding member 2 having an elongated hole 21 to hold the contact probe l movably along the elongated hole 21. For example, the contract probes 1 are prepared as much as corresponding to the number of measuring electrodes 31 of the apparatus to be evaluated and these are applied to the elongated holes 2 of the contact probe holding member 2 aligning with the measuring electrodes 31. Next, a clamping member 4 is over-laid above the holding member 2 and the screwing is made to hold the probe 1, thereby completing the assembling. The probe 1 is moved horizontally within the elongated hole 21 for alignment with the measuring electrode 31. Thereafter, measurement is made under the condition that the probe 1 is set in contact with the measuring electrode 31.

37. 发明专利

JP2015002277A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2015002277A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013126305
申请日：2013-06-17
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： TOMINAGA TAKAAKI , FUKUI YUTAKA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要：【課題】順方向動作において、オン抵抗の高抵抗化を抑制しつつ、積層欠陥の拡張を抑制し、特性シフトを抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】オフ角を有し、炭化珪素から成る半導体基板21の厚み方向一方側の表面部上に、第1導電型の炭化珪素結晶から成るドリフト層22を形成する。ドリフト層22の内部に、導電性を有する材料によって、複数の電流制限領域10を形成する。電流制限領域10は、ソース電極26とドレイン電極28との間に流れる電流を制限する。各電流制限領域10は、直方体状に形成され、ドリフト層22のオフ方向に対して垂直な方向に長手方向を有するように配置される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制堆垛层错延伸来抑制特性偏移的碳化硅半导体器件，同时抑制正向行为的导通电阻的高电阻。解决方案：在半导体的厚度方向上的一侧的表面部分具有偏角的基板21，由碳化硅制成，形成由第一导电型碳化硅晶体制成的漂移层22。在漂移层22的内部，通过具有导电性的材料形成多个电流限制区域10。电流限制区域10限制在源极电极26和漏极电极28之间流过的电流。每个电流限制区域10形成为长方体形状，并且被布置为具有垂直于关闭的方向的纵向方向漂移层22的方向。

38. 发明专利

JP2013247141A Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device 审中-公开
标题翻译：制造碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2013247141A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：JP2012117624
申请日：2012-05-23
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： FURUHASHI AKIYUKI , WATANABE TOMOKATSU , KAGAWA YASUHIRO , FUKUI YUTAKA , IMAIZUMI MASAYUKI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by which the channel mobility can be improved while suppressing reduction in a threshold voltage.SOLUTION: A method includes the following steps of: (a) performing ion implantation of germanium to a surface of a silicon carbide substrate 1; (b) forming a gate oxide film 7 as an insulating film on the silicon carbide substrate 1 after the step (a); and (c) performing heat treatment of the silicon carbide substrate 1 on which the gate oxide film 7 is formed at the step (b) in an atmosphere containing nitrogen oxide gas.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造碳化硅半导体器件的方法，通过该方法可以在抑制阈值电压降低的同时改善沟道迁移率。解决方案：一种方法包括以下步骤：（a）进行锗的离子注入到碳化硅衬底1的表面; （b）在步骤（a）之后，在碳化硅衬底1上形成作为绝缘膜的栅极氧化膜7; （c）在步骤（b）中，在含有氮氧化物气体的气氛中进行形成有栅极氧化膜7的碳化硅衬底1的热处理。

39. 发明专利

JPH0727821A EVALUATING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR PRODUCT 失效
公开(公告)号：JPH0727821A
公开(公告)日：1995-01-31
申请号：JP17390993
申请日：1993-07-14
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FUKUI YUTAKA
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66
摘要： PURPOSE:To reduce the manufacturing cost of a semiconductor product evaluating device and, at the same time, to improve the bending and insufficient contact of electrode leads and eliminate the occurrence of high-frequency faults between the electrode lead section and semiconductor products. CONSTITUTION:Recessed sections 6a matching the lead sections 7 of a product are provided in a lead pressing section 6 and another recessed sections 4Oc matching the lead sections 7 are provided in the wiring section 40b of a semiconductor product evaluating jig 40. Then, the leads 7 are fixed by inserting them into spaces formed out of the sections 6a and 40c. In addition, through holes are provided in the lead pressing section 6. Moreover, the leads 7 are fixed by using a lead stopping socket in place of the lead pressing section.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式