专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明授权

KR101393599B1 ＴＦＴ-ＬＣＤ용 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 有权
标题翻译：用于在薄膜晶体管液晶装置中绘制电路的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR101393599B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020070094671
申请日：2007-09-18
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김남서 , 강동호 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/10
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT-LCD)의 전극용 금속층의 식각(etching)에 사용되는 식각액 조성물에 관한 것으로, 전체 조성물 중량에 대해 인산 55 ~ 75 중량 %, 질산 0.75 ~ 1.99 중량 %, 아세트산 10 ~ 20 중량 %, Mo 식각 조정제 0.05 ~ 0.5 중량 %, 함붕소 화합물 0.02 ~ 3 중량 %, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 TFT-LCD용 식각액 조성물을 이용하면 게이트 (gate) 및 소스/드레인 (source/drain) 배선 재료인 Mo/AlNd 이중막 또는 Mo/Al/Mo 삼중막을 단일공정으로 습식 식각하여 언더컷 (undercut) 및 돌출 현상이 없이 우수한 테이퍼 형상의 식각 프로파일을 수득할 수 있고, 건식 식각 공정을 배제함으로써, 공정을 원활하게 하여 생산성을 향상시키고 생산 비용을 절감시킬 수 있다. 또한, 과염소산 같은 환경유해물질, 식각액의 수명을 단축시키는 불안정한 성분, 또는 기판의 유리를 부식시키는 불소계 화합물 등을 포함하지 않고서도 Mo/AlNd 이중막 또는 Mo/Al/Mo 삼중막에 대해서 1회의 습식 식각 공정만으로 우수한 테이퍼 형상의 식각 프로파일을 얻을 수 있다.
TFT-LCD, 식각, Mo/AlNd, 언더컷, 습식 식각

32. 发明公开

KR1020140005411A 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 审中-实审
标题翻译：用于金属线的蚀刻和使用该金属线制造金属线的方法
公开(公告)号：KR1020140005411A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120072295
申请日：2012-07-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 김인배 , 김선일 , 박홍식 , 정재우 , 김규포 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영 , 한승연
IPC分类号： C23F1/16 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
摘要： The present invention relates to an etchant for a metal wire and a method for manufacturing a metal wire using the same. According to an embodiment of the present invention, copper is etched at an efficient speed without using hydrogen peroxide and causing problems, such as strong exothermic reactions, a decline in the stability of an etchant, and the addition of expensive stabilizers; the performance of the etchant is lasted for a long time as the stability of the etchant is secured; a process yield is improved as a failed short circuit caused by residues and a failed disconnection caused by erosion are prevented; and costs for etching processes are lowered and a sufficient margin for the etching processes is ensured as exothermic reactions in the treatment of waste fluids can be controlled. [Reference numerals] (AA) Example 1; (BB) Example 2; (CC) Example 3; (DD) Example 4; (EE) Example 5; (FF) Example 6; (GG) Example 7; (HH) Example 8; (II) Example 9
摘要翻译：本发明涉及一种用于金属线的蚀刻剂及其制造方法。根据本发明的一个实施方案，在不使用过氧化氢的情况下以有效速度蚀刻铜，并引起诸如强放热反应，蚀刻剂的稳定性下降以及昂贵的稳定剂的添加等问题。蚀刻剂的性能持续很长时间，因为蚀刻剂的稳定性得到保证; 由于残留物引起的故障短路和防止由于侵蚀引起的断线失败，工艺产量得到改善。并且降低了蚀刻工艺的成本，并且确保了用于蚀刻工艺的足够的余量，因为可以控制废流体处理中的放热反应。（标号）（AA）实施例1; （BB）实施例2; （CC）实施例3; （DD）实施例4 （EE）实施例5; （FF）实施例6; （GG）实施例7 （HH）实施例8; （II）实施例9

33. 发明公开

KR1020130079462A 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 有权
标题翻译：薄膜晶体管 - 液晶显示器的蚀刻
公开(公告)号：KR1020130079462A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020130061115
申请日：2013-05-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 정종현 , 박홍식 , 김봉균 , 이병진 , 이지선 , 홍선영 , 구병수 , 박귀홍 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/04 , C23F1/18
摘要： PURPOSE: An etchant composition is provided to secure high stability and process margin and to obtain excellent taper etching profile since the etchant composition does not contain hydrogen peroxide. CONSTITUTION: An etchant composition of a metal layer including copper does not include hydrogen peroxide but comprises 0.1-50wt% of ammonium persulfate ( (NH4)2S2O8); and 0.01-5wt% of an azole-based compound. The azole-based compound comprises at least one material selected from the group consisting of benzotriazole, aminotetrazole, imidazole, and pyrazole. The etchant composition further comprises a fluoride-based compound including fluorine.
摘要翻译：目的：提供蚀刻剂组合物以确保高稳定性和工艺余量，并获得优异的锥形蚀刻轮廓，因为蚀刻剂组合物不含有过氧化氢。构成：包括铜的金属层的蚀刻剂组成不包括过氧化氢，而是包含0.1-50重量％的过硫酸铵（（NH 4）2 S 2 O 8）; 和0.01-5重量％的唑类化合物。所述基于唑的化合物包括选自苯并三唑，氨基四唑，咪唑和吡唑中的至少一种材料。蚀刻剂组合物还包含含氟的氟化物类化合物。

34. 发明公开

KR1020120140481A 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：用于金属互连的蚀刻和使用其制备液晶显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020120140481A
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020110060238
申请日：2011-06-21
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 구병수 , 이명한 , 조삼영 , 이기범
IPC分类号： C23F1/18 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/10 , C23F1/18 , H01L27/124
摘要： PURPOSE: Etchant for metal wiring and a method for manufacturing a liquid crystal display device using the same are provided to enable application to formation of micro-pattern wiring by restricting reduction of critical dimension in side etching. CONSTITUTION: Etchant for metal wiring comprises 5.0-30 weight% of hydrogen peroxide, 0.1-7.0 weight% of phosphoric acid, 0.1-3.0 weight% of an oxidizing agent including potassium ion, 0.1-3.0 weight% of azole compounds, 0.11-2.0 weight% of HBF4 or an admixture of HBF4 and other perfluorinated compounds, and the remaining amount of water.
摘要翻译：目的：提供用于金属布线的蚀刻剂和使用其的液晶显示装置的制造方法，以通过限制侧蚀刻中的临界尺寸的降低来应用于形成微图案布线。构成：金属配线用蚀刻剂含有5.0-30重量％的过氧化氢，0.1-7.0重量％的磷酸，0.1-3.0重量％的包括钾离子的氧化剂，0.1-3.0重量％的唑化合物，0.11-2.0 HBF4或HBF4和其他全氟化合物的混合物的重量％，以及剩余量的水。

35. 发明公开

KR1020110123025A 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 无效
标题翻译：用于金属线的蚀刻和使用该金属线制造金属线的方法
公开(公告)号：KR1020110123025A
公开(公告)日：2011-11-14
申请号：KR1020100042440
申请日：2010-05-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 홍선영 , 서남석 , 정종현 , 박홍식 , 송진호 , 김봉균 , 이왕우 , 이기범 , 조삼영 , 김도원 , 김상우 , 신현철 , 서원국
IPC分类号： C09K13/06
CPC分类号： C23F1/26 , C09K11/06 , C23F1/18 , C23F1/44
摘要： PURPOSE: An etchant for metal wiring is provided to tapered-etch a copper at moderate speed without the problems like heat generation, stability degradation, addition of an expensive stabilizer due to not using a hydrogen peroxide, and to keep the performance of an etchant longer. CONSTITUTION: An etchant for metal wiring comprises a 0.1-30 wt% ammonium peroxodisulfate, a 0.1-30 wt% organic acid, a 0.01-5 wt% phosphate and 0.01-2 wt% azole group compound. A formation method of a metal wire using thereof comprises: a step forming a monolayer including a copper or bilayer including a titanium and copper; a step etching the monolayer or bilayer by the etchant.
摘要翻译：目的：提供金属布线的蚀刻剂，以适中的速度对铜进行锥形刻蚀，而不会产生诸如发热，稳定性降解，由于不使用过氧化氢而加入昂贵的稳定剂，并且保持蚀刻剂的性能更长。构成：金属配线的蚀刻剂包括0.1-30重量％的过二硫酸铵，0.1-30重量％的有机酸，0.01-5重量％的磷酸盐和0.01-2重量％的唑类化合物。使用它的金属线的形成方法包括：形成包括包含钛和铜的铜或双层的单层的步骤; 通过蚀刻剂蚀刻单层或双层的步骤。

36. 发明公开

KR1020090030702A 절연막 제거용 식각 조성물 无效
标题翻译：用于去除绝缘层的蚀刻
公开(公告)号：KR1020090030702A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：KR1020070096175
申请日：2007-09-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이근수 , 서원국 , 신현철 , 이기범 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： An etchant for removing an insulating layer is provided to remove the oxide film more effectively than a nitride film or polysilicon film and to prevent the leaning effect of collapsing the bottom electrode after a wet etch process, thereby forming the bottom electrode of the capacitor having the desired surface area for securing electrostatic capacity. An etchant for removing an insulating layer comprises ammonium bifluoride 0.1~30 parts by weight; glycol-based compound 0.1~20 parts by weight; fluorine - substitution acetic acid 0.1~20 parts by weight; surfactant 0.001~1 parts by weight; and the balance of surfactant 0.001~1 parts by weight. The Gamma costheta value of the etchant is 0 excess and 30 or less. The glycol-based compound is any one selected from the group consisting of ethylene glycol, diethylene glycol, triethyleneglycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, tetrapropyleneglycolic and their combination.
摘要翻译：提供用于去除绝缘层的蚀刻剂以比氮化膜或多晶硅膜更有效地去除氧化膜，并且在湿蚀刻工艺之后防止塌陷底部电极的倾斜效应，从而形成具有所需表面积用于确保静电容量。用于去除绝缘层的蚀刻剂包括0.1〜30重量份的二氟化铵; 二醇基化合物0.1〜20重量份; 氟取代乙酸0.1〜20重量份; 表面活性剂0.001〜1重量份; 表面活性剂余量为0.001〜1重量份。蚀刻剂的伽马值为0以上，30以下。二醇类化合物是选自乙二醇，二甘醇，三甘醇，丙二醇，二丙二醇，三丙二醇，四丙二醇和它们的组合中的任何一种。

37. 发明公开

KR1020080096145A 박막 트랜지스터 액정 표시 장치용 식각 조성물 有权
标题翻译：薄膜晶体管液晶显示器件的蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020080096145A
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：KR1020070041207
申请日：2007-04-27
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 이기범 , 조삼영 , 김남서 , 구병수 , 강동호
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： A wet etching composition is provided to etch a metal layer to a uniform profile by preventing the undercut phenomenon in etching of a molybdenum/aluminium-neodymium(Mo/AlNd) bilayer and molybden/aluminium/molybden triple layer(Mo/Al/Mo) as well as a molybdenum monolayer. A wet etching composition comprises a phosphoric acid 45~70 weight%, nitric acid 1.5~6 weight%, acetic acid 17~30 weight%, molybdenum etching control agent 0.1~3 weight%, aluminum etching control agent 0.1~3 weight%, and the balance of water.
摘要翻译：通过防止钼/铝 - 钕（Mo / AlNd）双层和钼/铝/钼三重层（Mo / Al / Mo）蚀刻中的底切现象，提供了一种湿蚀刻组合物，以将金属层蚀刻成均匀的轮廓。以及钼单层。湿式蚀刻组合物包含45〜70重量％的磷酸，1.5〜6重量％的硝酸，17〜30重量％的乙酸铬蚀刻剂，0.1〜3重量％的铝蚀刻控制剂，0.1〜3重量％的铝蚀刻控制剂，和水的平衡。

38. 发明公开

KR1020070108643A 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액 有权
标题翻译：蚀刻AL，MO和ITO
公开(公告)号：KR1020070108643A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020060040941
申请日：2006-05-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 조삼영 , 신현철 , 김남서 , 이경묵
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/04
摘要： An etchant is provided to etch gate electrodes formed of a double layer of aluminum alloy(AlNd) and molybdenum(Mo), source and drain electrodes formed of molybdenum, and pixel electrodes(ITO) during an etching process. An etchant includes 40-70wt% of phosphoric acid, 2-15wt% of nitric acid, 4-35wt% of acetic acid, 0.05-5wt% of a chlorine-based compound, 0.05-5wt% of a chlorine stabilizer, 0.05-5wt% of a lithium-based compound, 0.05-5wt% of a sulfide salt-based compound, and the balance of water. The chlorine-based compound comprises a compound capable of being dissociated into Cl^-. The chlorine stabilizer comprises a Zn, Cd, Pb, Ba-series compound and oleic acid.
摘要翻译：提供蚀刻剂以在蚀刻工艺期间蚀刻由双金属铝合金（AlNd）和钼（Mo），由钼形成的源极和漏极以及像素电极（ITO））形成的栅电极。蚀刻剂包括40-70重量％的磷酸，2-15重量％的硝酸，4-35重量％的乙酸，0.05-5重量％的氯基化合物，0.05-5重量％的氯稳定剂，0.05-5重量％的锂系化合物，0.05〜5重量％的硫化物盐系化合物，余量为水。氯系化合物包含能够分解成Cl - 的化合物。氯稳定剂包括Zn，Cd，Pb，Ba系列化合物和油酸。

39. 发明公开

KR1020070000850A 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한 식각액 有权
标题翻译：蚀刻AL，MO和ITO
公开(公告)号：KR1020070000850A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056493
申请日：2005-06-28
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 송계찬 , 김종일 , 이경묵 , 조삼영 , 신현철 , 김남서
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： C23F1/16 , C09K13/06 , C23F1/20 , C23F1/26 , G02F1/13439 , G02F2001/136295
摘要： Provided are an etchant for etching aluminum, molybdenum and indium tin oxide(ITO), and a method for preparing an array substrate for an LCD device by using the etchant in each mask process to reduce a manufacturing cost and to improve productivity. The etchant comprises 40-70 wt% of phosphoric acid; 3-15 wt% of nitric acid; 5-35 wt% of acetic acid; 0.05-5 wt% of a chlorine-based compound; 0.01-5 wt% of a chlorine stabilizer; 0.01-5 wt% of a pH stabilizer; and the balance of water. Preferably the chlorine-based compound can be dissociated into Cl^-; the chlorine stabilizer comprises a Zn-based compound, a Cd-based compound, a Pb-based compound, a Ba-based compound and oleic acid; and the pH stabilizer can be dissociated into OH^-.
摘要翻译：提供了用于蚀刻铝，钼和氧化铟锡（ITO）的蚀刻剂，以及通过在每个掩模工艺中使用蚀刻剂来制备用于LCD装置的阵列基板的方法，以降低制造成本并提高生产率。蚀刻剂包括40-70重量％的磷酸; 3-15重量％的硝酸; 5-35重量％的乙酸; 0.05〜5重量％的氯系化合物; 0.01-5重量％的氯稳定剂; 0.01-5重量％的pH稳定剂; 和水的平衡。优选地，氯基化合物可以分解成Cl - ; 氯稳定剂包括Zn基化合物，Cd基化合物，Pb基化合物，Ba基化合物和油酸; 并且pH稳定剂可以分解成OH - 。

40. 发明公开

KR1020050065708A 에칭 조성물 无效
标题翻译：蚀刻组合物
公开(公告)号：KR1020050065708A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030095520
申请日：2003-12-23
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 조삼영 , 이민건
IPC分类号： C09K13/04
CPC分类号： C09K13/04 , C23F1/20 , C23F1/26
摘要： 본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 게이트 및 소스/드레인 전극용 금속막의 에칭 조성물에 관한 것으로, 특히 인산, 질산, 초산, 염산, 음이온 계면활성제, 및 물을 포함하는 에칭 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 에칭 조성물은 동일한 조성물을 사용하여 박막트랜지스터 액정표시장치의 TFT(thin film transistor)을 구성하는 게이트(gate) 배선재료인 Mo/Al-Nd 이중막을 단일공정으로 하부막인 Al-Nd의 언더컷(undercut) 현상이 없이 에칭하여 우수한 테이퍼를 수득할 수 있으며, 동시에 소스/드레인(source/drain) 배선재료인 Mo 단일막에서도 우수한 프로파일(profile)을 형성할 수 있는 효과가 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式