专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明公开

KR1020170077244A 결함 관찰 장치 및 결함 관찰 방법 审中-实审
标题翻译：缺陷观察装置和缺陷观察方法
公开(公告)号：KR1020170077244A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020177015464
申请日：2014-12-10
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 히라이다께히로 , 나까야마히데끼 , 니시가따겐이찌
IPC分类号： G01N21/956 , G01N21/88 , G01N21/89 , G01N21/95 , G06T7/00
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N21/8851 , G01N21/89 , G01N21/9501 , G01N2021/8861 , G01N2021/8887 , G06T7/0004
摘要： 저배율결함화상을해석하고, 셀비교에의한결함검출방식의적용가부를판정하는방식에서는, 셀비교에의한결함검출방식을적용할수 없고, 다이비교에의한결함검출방식으로이행하는비율이증가하면, 처음부터다이비교에의한결함검출방식에의해결함검출하는것보다도, 스루풋이저하되는것이일어날수 있다. 본발명은안정된스루풋으로, 고정밀도의결함검출을행하는것을목적으로한다. 본발명에서는참조화상을사용하여, 상기결함화상으로부터결함을검출하는데 적합한결함검출처리모드를결정하고, 당해결정된결함검출처리모드에의해결함화상으로부터결함을검출한다.
摘要翻译：当解释低倍率缺陷图像，对于基于细胞比较所述故障检测方法的jeokyongga部分确定方法，不根据小区比较施加到缺陷检测方法中，增加根据死比较，第一实施探伤方法中的所述速率与通过基于模具比较的缺陷检测方法检测到缺陷的情况相比，吞吐量可以降低。本发明的一个目的是以稳定的吞吐量执行高精度缺陷检测。本发明使用的参考图像，以检测来自缺陷的图像中的缺陷，并确定适当的故障检测处理模式，并且检测来自缺陷的图像中的缺陷通过本领域故障检测处理模式来确定。

32. 发明授权

KR101746046B1 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101746046B1
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150108307
申请日：2015-07-30
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 이케나가가즈유키 , 이시구로마사키 , 스미야마사히로 , 시라요네시게루
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724
摘要： [과제] 본발명은, 원하는에칭형상을얻음과함께이물질부착에의한수율의악화를억제할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. [해결수단] 본발명은, 시료가플라즈마처리되는처리실과, 플라즈마를생성하기위한고주파전력을공급하는고주파전원과, 상기시료를정전흡착시키기위한전극을구비하고상기시료가탑재되는시료대와, 상기전극에직류전압을인가하는직류전원을구비하는플라즈마처리장치에있어서, 상기플라즈마가존재하지않는경우, 상기시료의전위의절대값이작아지는직류전압을인가하도록상기직류전원을제어하는제어장치를더 구비하는것을특징으로한다.

33. 发明授权

KR101724221B1 하전 입자 선 장치 有权
标题翻译：带电粒子束装置
公开(公告)号：KR101724221B1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：KR1020157020097
申请日：2014-02-05
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 요꼬스까도시유끼 , 이찬 , 가즈미히데유끼
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/1474 , H01J37/147 , H01J37/22 , H01J37/222 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/15 , H01J2237/2448 , H01J2237/24495 , H01J2237/24592 , H01J2237/2806 , H01J2237/2817
摘要： 본발명은, 에지폭이좁고, 에지고유의피크의검출이곤란한패턴이여도고정밀도로측정을행하는것이가능한하전입자선 장치의제공을목적으로한다. 상기목적을달성하기위해, 하전입자빔(1, 2(a))의통과개구를구비한개구부형성부재(31)와, 시료(23)로부터방출된하전입자, 또는그 하전입자가상기개구부형성부재에충돌함으로써발생하는하전입자를검출하는검출기(28(a), 28(b))를구비한하전입자선 장치이며, 상기시료로부터방출된하전입자를편향하는편향기(33(a), 33(b))와, 그편향기를제어하는제어장치(40)를구비하고, 상기제어장치는, 상기시료상의복수의에지중, 하나의에지의신호가상대적으로다른에지의신호에대해강조된제1 검출신호와, 상기복수의에지중, 다른에지의신호가상대적으로상기하나의에지의신호에대해강조된제2 검출신호를이용하여, 패턴측정을실행하는하전입자선 장치를제안한다.
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种即使在边缘宽度狭窄且边缘固有的峰值难以检测的图案中也能够高精度地进行测量的带电粒子束装置。为了实现上述目的，具有带电粒子束1（2（a））的开口的圆筒和开口形成构件31，从样本23排出的带电粒子，并且，检测与构件碰撞而产生的带电粒子的检测器（28（a），（b）），其中，偏转器33（a）， 33（b））和用于控制偏转器的控制装置（40），并且控制装置控制偏转器，使得相对强调多个本征面和样本的一个边缘的信号 1检测信号和第二检测信号，其中多个本征面和其他边缘的信号相对于一个边缘的信号被相对强调。

34. 发明授权

KR101704325B1 결함 관찰 방법 및 결함 관찰 장치 有权
标题翻译：缺陷观察方法和缺陷观察装置
公开(公告)号：KR101704325B1
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020157014497
申请日：2013-11-29
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 히라이다께히로 , 나까가끼료 , 하라다미노루
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： G06T7/001 , G01N23/2254 , G01N2223/418 , G01N2223/611 , G06K9/00 , G06K9/46 , G06K9/4661 , G06K2009/4666 , G06T2207/30148
摘要： 패턴이형성되어있지않은단계의제조공정, 또는하층에형성된패턴이촬상화상에드러나지않는제조공정에있어서도결함을해석하는사례가증가하고있다. 그러나, 이러한사례에있어서, 화상에주기적인패턴을인식할수 없는경우에는양호한참조화상을합성할수 없어결함검출에실패한다는과제가있다. 따라서, 피검사화상에서차지하는결함영역의비율인결함점유율을구하여, 해당결함점유율과역치와의대소를판정하고, 판정의결과에따라, 피검사화상에포함되는복수화소의휘도값의평균휘도값을갖는화소를포함하는화상을상기참조화상으로서작성할지여부를결정한다. 특히, 결함점유율이낮은경우에는피검사화상에포함되는복수화소의휘도값의평균휘도값을갖는화소를포함하는화상을상기참조화상으로서채용한다.
摘要翻译：在其中未形成图案的制造过程阶段或在下层中形成的图案没有出现在捕获图像中的制造工艺阶段中分析缺陷的情况日益增加。然而，在这些情况下，在图案中不能识别出周期性图案时，存在不能合成有利的参考图像而不能检测到缺陷的问题。在本发明中，找到作为缺陷区域所占据的被检查图像的百分比的缺陷占有率，确定缺陷占有率是高于还是低于阈值，并且根据确定结果是否确定是否创建包括具有被检查图像中包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素作为参考图像的图像。特别地，当缺陷占有率低时，包括具有被检查图像中包含的多个像素的亮度值的平均亮度值的像素的图像被用作参考图像。

35. 发明公开

KR1020170010840A 패턴 측정 방법 및 패턴 측정 장치 审中-实审
标题翻译：图案测量方法和图案测量装置
公开(公告)号：KR1020170010840A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020167036187
申请日：2015-05-11
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가와다,히로끼 , 사까이,히데오 , 사사다,가쯔히로
IPC分类号： G01B15/00 , H01J37/18 , H01J37/317
CPC分类号： G01B15/00 , G01B15/04 , H01J37/222 , H01J37/28 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 본발명은패턴의깊이방향의측정을고정밀도로실현하는패턴측정방법및 패턴측정장치의제공을목적으로한다. 본발명에서는, 집속이온빔의조사에의해, 깊은구멍, 깊은홈, 또는입체구조를갖는회로소자를포함하는시료영역에경사면을형성하고, 경사면과시료표면사이의경계를포함하도록, 주사전자현미경의시야를설정하고, 당해시야로의전자빔의주사에의해얻어지는검출신호에기초하여, 상기시야의화상을취득하고, 당해취득된화상을사용하여, 경사면과비경사면의경계가되는제1 위치와, 경사면내에위치하는원하는깊은구멍또는깊은홈의위치인제2 위치를특정하고, 당해제1 위치와제2 위치사이의상기시료표면방향의치수와, 상기경사면의각도에기초하여, 상기깊은구멍, 깊은홈, 또는입체구조를갖는회로소자를구성하는패턴의높이방향의치수를구하는스텝을갖는패턴측정방법및 측정을실현하는장치를제안한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于在图案的深度方向上实现高精度测量的图案测量方法和图案测量装置。本发明是一种模式测量方法和用于实现图案测量的装置，该图案测量方法具有以下步骤：照射聚焦离子束以在包括具有深孔的电路元件的样本区域中形成倾斜表面，深沟槽或三维结构; 扫描电子显微镜的视野被设定为包括倾斜表面和样品表面之间的边界; 基于通过在视场上扫描电子束获得的检测信号获得视野的图像; 获取的图像用于指定作为倾斜表面和非倾斜表面之间的边界的第一位置，以及位于倾斜表面内的期望的深孔或深槽的位置的第二位置; 并且基于第一位置和第二位置之间的样品表面方向上的距离和倾斜表面的角度来确定构成具有深孔，深槽或三维结构的电路元件的图案的高度。

36. 发明公开

KR1020160140352A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020160140352A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160028360
申请日：2016-03-09
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 아라마키도루 , 요코가와겐에츠 , 이자와마사루
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32183 , H01J37/32192 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/31116
摘要： (과제) 수율을향상시킨플라즈마처리장치또는플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 진공용기내부의처리실내에배치된시료대면에재치된처리대상의웨이퍼를당해처리실내에형성된플라즈마를이용하여처리하는플라즈마처리장치또는처리방법으로서, 상기처리중에, 상기시료대의내부에배치된제1 전극에공급되는제1 고주파전력과상기시료대의상기웨이퍼가재치되는면의외주측에배치된유전체제의링 형상부재의내측에배치된제2 전극에공진회로를통하여공급되는제2 고주파전력을조절하여상기웨이퍼를처리한다.
摘要翻译：一种等离子体处理装置或等离子体处理方法，其使用处理室中形成的等离子体处理放置在真空容器内的处理室中的样品台的表面上的被处理晶片，该装置或方法包括通过调节要供给到布置在所述样品台内部的第一电极的第一高频功率和经由谐振电路将待提供的第二高频功率的第一高频功率处理晶片，所述第二高频功率被布置在内部在处理期间在布置在其上放置晶片的样品台的表面的外周侧上的由电介质制成的环形构件的侧面。

37. 发明公开

KR1020160138341A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和PLAZMA加工方法
公开(公告)号：KR1020160138341A
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020160020340
申请日：2016-02-22
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 후쿠치고스케 , 나카모토시게루 , 우스이다테히토 , 이노우에사토미
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66 , H01L21/3213 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/32972 , H01J2237/334 , H01L21/3081 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要： 수율을향상시킬수 있는플라즈마처리장치또는플라즈마처리방법을제공한다. 진공용기내부의처리실내에처리대상의웨이퍼를배치하고당해처리실내에플라즈마를형성하여미리상기웨이퍼상면에배치되어복수의막층을가진막 구조의처리대상의막을에칭하는플라즈마처리방법으로서, 상기막 구조가적어도 1개의막층을포함하고홈 구조를가진하층의막과상기홈 구조의내측및 상단을덮어상방에적층된적어도 1개의막층을가지는상층의막을가진것으로서, 상기하층의막의상기홈 구조의상단이노출될때까지상기상층의막을에칭하여제거하는제 1 단계와, 상기상층의막의상기홈 구조의내측의막층을에칭처리하는제 2 단계와, 상기제 1 단계가종료되었을때의상기하층의막의홈 구조의상기내측의막층의두께의값을이용하여상기제 2 단계의종점을판정하는판정단계를구비하였다.
摘要翻译：等离子体处理方法包括在处理室中形成等离子体; 并对预先设置在包括多个膜层的晶片的上表面上的膜结构进行处理的膜进行蚀刻。膜结构包括：下膜，其包括至少一个膜层和凹槽结构; 以及包括至少一个覆盖所述凹槽结构的内侧和上端的薄膜层的上部薄膜。等离子体处理方法包括：通过蚀刻去除上部膜，直到下部膜的槽结构的上端露出; 对槽结构内的上膜的膜层进行蚀刻; 并且通过在完成去除时使用下膜的沟槽结构内的膜层的厚度值来确定终点。

38. 发明授权

KR101644915B1 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101644915B1
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020150022299
申请日：2015-02-13
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 아라마키도루 , 모리모토미치카즈 , 요코가와겐에츠
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32174 , H01J37/32577 , H01J37/32715
摘要： 수율을향상시킨플라즈마처리장치를제공한다. 처리실내에형성한플라즈마를이용하여시료대상에놓인시료를처리하는플라즈마처리장치에있어서, 시료대는, 기재상면에유전체제의막과, 이유전체제의막의상방에서접착제를사이에두고접합되고그 내부에고주파전력이공급되는막 형상의전극을갖는소결판을가지며, 상기고주파전력을공급하는막 형상의전극과의커넥터부가, 상기관통구멍내에배치되고상부가상기막 형상의전극과접합되며하부가상기고주파전력의급전경로의단부와접속되는도체부및 상기관통구멍내에서상기도체부의외주를둘러싸서상기도체부와상기기재의사이에배치되고절연성재료로구성된보스를구비하며, 도체부의중심의막대형상부재와그 주위를둘러싸는소켓의상단이보스보다높은위치에배치되고, 소켓의상단에있어서소켓과막대형상부재의사이에의접착제의들어감을방지하는구성을구비했다.

39. 发明公开

KR1020160091224A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译： PLASUMA加工设备
公开(公告)号：KR1020160091224A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150121680
申请日：2015-08-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 나카타니신타로 , 츠보네츠네히코
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01L21/67109 , H01L21/67253
摘要： 수율을향상시킨플라즈마처리장치를제공한다. 진공용기내에배치되어감압가능한처리실과, 이처리실내에배치되어그 상면에처리대상의웨이퍼가놓여지는시료대와, 이시료대상면위에배치되어상기웨이퍼가그 위에놓여진상태에서당해웨이퍼와상기시료대의상면의사이의틈에전열가스를공급하는개구를구비하고, 상기개구와연통하여상기전열가스가흐르는공급로위에배치되어상기전열가스의유량을조절하는조절기와, 상기웨이퍼가상기시료대에놓여진상태에서상기조절기로부터상기틈을통하여상기시료대의외주의상기처리실에누설되는전열가스의양과상기웨이퍼가상기시료대에놓여져있지않은상태에서상기개구로부터상기처리실에공급되는상기전열가스의양을이용하여검출한상기틈의압력에의거하여상기조절기의동작을조절하는컨트롤러를구비하였다.
摘要翻译：提供能够提高产量的等离子体处理装置。该装置包括：放置在真空容器中以减轻压力的处理室; 放置在处理室中以将处理目标晶片放置在上表面上的样品台; 调节器，其包括放置在样品台上的开口，以将热传导气体提供到样品台的上表面和晶片之间的间隙中，并连接到开口，以调节放置在供给路径上的导电气体的流量其中传导气体流动; 以及控制器，其基于通过使用当将晶片放置在样品台上时从样品台外部的处理室的间隙泄漏的导电气体的量而检测到的间隙的压力，以及量当晶片没有放置在样品台上时，从开口供应到处理室的导电气体。

40. 发明公开

KR1020160086270A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020160086270A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150187518
申请日：2015-12-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 아라세다카오 , 모리마사히토 , 요코가와겐에츠 , 다케가와유스케 , 이치노다카마사
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/20
摘要： 정전흡착막의파괴없이정전흡착력을확보하면서, 플라즈마처리에있어서의시료의온도를고정밀도로제어한다. 고전압측 Vpp 검출기(108)는, 고주파전력이시간변조되었을때에제 1 진폭을갖는시간변조의제 1 기간에있어서의시료대에인가된고주파전압의피크간전압값인제 1 전압값을검지한다. 저전압측 Vpp 검출기(109)는, 제 1 진폭보다작은제 2 진폭을갖는제 2 기간에있어서의시료대에인가된고주파전압의피크간전압값인제 2 전압값을검지한다. 그리고, ESC 전원제어부(116)는, 제 1 전압값과제 2 전압값과시간변조의듀티비에의거하여, ESC 전원(105A, 105B)으로부터의출력전압을제어한다.
摘要翻译：本发明涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够确保遮光吸附功率而不损坏遮光吸附膜，并且在等离子体处理中以高精度控制样品的温度。高电压侧Vpp检测装置（108）检测第一电压值，该第一电压值是在调制高频功率时具有第一幅度的第一时间段调制中施加到样本的高频电压的峰值之间的电压值。低电压侧Vpp检测装置（109）检测第二电压值，该第二电压值是在具有小于第一幅度的第二幅度的第二周期中施加到样本的高频电压的峰值之间的电压值。 ESC功率控制单元基于第一电压值，第二电压值和时间调制的占空比来控制ESC功率的输出电压（105A，105B）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式