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热词
    • 21. 发明公开
    • 레이저 다이오드의 구조
    • 激光二极管的结构
    • KR1020070071397A
    • 2007-07-04
    • KR1020050134793
    • 2005-12-30
    • 광주과학기술원
    • 배성주이용탁
    • H01S5/30
    • H01S5/3401H01L21/761H01L29/0646H01S5/3407
    • A structure of a laser diode is provided to improve an electric-photo conversion efficiency of the laser diode by forming a quantum well activation layer in the laser diode. A laser diode has a quantum well activation layer for obtaining a signal with a specific wavelength. An n-type cladding layer(202), an n-side split layer(204), the quantum well activation layer(206), a p-side split layer(208), a p-type cladding layer(210), and an ohmic contact layer are sequentially formed on an n-type substrate. Alternatively, the p-type cladding layer, the p-side split layer, the quantum well activation layer, the n-side split layer, the n-type cladding layer, and the ohmic contact layer are sequentially formed on a p-type substrate. The quantum well activation layer includes quantum well layers which are made of elongated 3-component compounds, and barrier layers which are made of compressed 4-component compounds. The quantum well activation layer includes plural quantum well layers(206b) and plural barrier layers(206a).
    • 提供激光二极管的结构,以通过在激光二极管中形成量子阱激活层来提高激光二极管的电光转换效率。 激光二极管具有用于获得具有特定波长的信号的量子阱激活层。 n型包层(202),n侧分裂层(204),量子阱活化层(206),p侧分离层(208),p型包覆层(210)和 在n型衬底上依次形成欧姆接触层。 或者,p型覆层,p侧分裂层,量子阱活化层,n侧分离层,n型包覆层和欧姆接触层依次形成在p型基板 。 量子阱激活层包括由细长的三组分化合物制成的量子阱层,以及由压缩的四组分化合物制成的阻挡层。 量子阱激活层包括多个量子阱层(206b)和多个势垒层(206a)。
    • 24. 发明公开
    • 전류 차단층을 가진 양자 폭포 레이저
    • 量子瀑布激光与电流阻挡层
    • KR1020170090481A
    • 2017-08-07
    • KR1020177018211
    • 2014-12-03
    • 알페스 라제르스 에스아
    • 비스무토알프레도파이스트제로메지니에밀리오힝코프보리슬라프
    • H01S5/34H01S5/22H01S5/227
    • H01S5/3402H01S5/12H01S5/2206H01S5/2207H01S5/2209H01S5/221H01S5/2219H01S5/2224H01S5/2226H01S5/2227H01S5/2275H01S5/3401H01S5/34306
    • 특히, 약 3-50 ㎛의파장에서방출되는중적외선레이저인, 반도체양자폭포레이저(QCL)는, 딥-에칭매립헤테로구조 QCL로종종설계된다. 매립헤테로구조는흔히 InP인매립층의높은열전도도와, 저손실이디바이스에높은전력및 높은성능을보장하기때문에선호된다. 그러나, 이러한 QCL이단파장에서작동하도록설계된경우, 심각한단점들이나타난다: 이러한작동에필요한높은전기장이부분적으로절연매립층내부에서작동전류를구동한다. 이는활성영역내로주입되는전류를감소시키고, 열손실을생산하여, QCL의성능을저하시킨다. 발명은진성또는 Fe-도핑된, 흔히 InP 또는다른매립층사이에개재되는가령, AlAs, InAlAs, InGaAs, InGaAsP, 또는 InGaSb와같은, 효과적으로설계된전류차단또는양자장벽을매립층내에제공함으로써이 문제를해결한다. 이러한양자장벽은앞서기술된부정적효과를제어가능하게대폭적으로감소시켜서, QCL을단파장에서도및/또는고전기장에서도효과적으로작동하게할 수있다.
    • 特别地,所述波长的红外激光由大约3-50㎛发射,半导体量子落在激光器(QCL),浸渍常常被设计来蚀刻掩埋式异质QCL。 嵌入异质结构是优选的,因为掩埋层的高导热性(通常是InP),低损耗确保了器件的高功率和高性能。 然而,当这些QCL被设计为以两个不同的波长工作时,会出现明显的缺点:该操作所需的高电场部分地驱动绝缘埋层内的工作电流。 这减少了注入有源区域的电流,产生热量损失并降低QCL的性能。 发明通过在本征已经提供解决了上述问题或铁 - 掺杂的InP或通常,隐埋电流阻挡屏障或两者,设计,有效地,例如,唉,铟铝砷,砷化铟镓,的InGaAsP,或InGaSb位于其他掩埋之间。 这种量子势垒能够可控制地大大减少上述的负面影响,使得QCL能够在短波长和/或高功率场中有效地工作。