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21. 发明申请

WO2009132641A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2009132641A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009/000629
申请日：2009-04-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , WEIMAR, Andreas , ENGL, Karl , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zirka 1 % - 8 % der Fläche der Halbleiterschichtenfolge (2). Die Kontakte (5) bestehen beispielsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante von 12 μm angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält beispielsweise Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid oder Zinkoxid und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.
摘要翻译：公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（1）（2）触头（5）通过电流扩散层（3）电接触。触头（5），其覆盖约1％ - 半导体层序列（2）的表面的8％。例如触头（5）包括被布置在具有12微米的晶格常数的规则栅格（52）的结点分离的接触点（51）。电流扩散层（3）包括，例如氧化铟锡，氧化铟锌或氧化锌，其厚度在15纳米至60纳米的范围内。

22. 发明申请

WO2009121319A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009121319A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/DE2009/000354
申请日：2009-03-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L29/45 , H01L21/225
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Schicht (23) zwischen einer Schicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (21) und einer Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps (22) auf. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist einer Vorderseite (110) der Halbleiterschichtenfolge (2) benachbart. Die Halbleiterschichtenfolge (2) enthält mindestens eine Ausnehmung (3), die sich von einer der Vorderseite (110) gegenüberliegenden Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) durch die aktive Schicht (23) hindurch zur Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) erstreckt. Die Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (5), welche die Rückseite (120) der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Der Halbleiterchip enthält im Bereich der Ausnehmung (3) eine Übergangsschicht (20), die eine Materialzusammensetzung aus Material der Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps (21) und aus Material der ersten elektrischen Anschlussschicht (5) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片。半导体芯片具有预期用于第一导电类型（21）和第二导电类型（22）的层构成的层之间产生辐射活性层（23）的半导体层序列（2）。第一导电类型（21）的层是相邻的半导体层序列（2）的前侧（110）。半导体层序列（2）包含通过对第一导电类型（21）的层（3）从通过有源层（23）的半导体层序列（2）的前侧（110）相对的后侧（120）中的一个延伸的至少一个凹部。由（5）覆盖所述半导体层序列（2）中的至少在通过电连接由凹部（3）所覆盖的地方的背面（120）的第一电连接层的装置中的第一导电类型（21）的层。该半导体芯片包括具有在所述凹部的区域中的第一导电类型（21）的材料层的材料组成的过渡层（20），（3）和从所述第一电连接层的材料（5）。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片的方法。

23. 发明申请

WO2009106063A1 MONOLITHISCHER, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：铁板一块，光电子半导体本体和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009106063A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000267
申请日：2009-02-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
发明人： ENGL, Karl , SINGER, Frank , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die in wenigstens zwei elektrisch isolierte Teilsegmente unterteilt ist. In jedem Teilbereich weist die Halbleiterschichtenfolge aktive Schicht auf. Des Weiteren sind wenigstens drei elektrische Kontaktpads vorgesehen. Eine erste Leitungsebene kontaktiert ein erstes der wenigstens zwei Teilsegmente sowie das erste Kontaktpad. Eine zweite Leitungsebene kontaktiert das zweite der wenigstens zwei Teilsegmente und ein zweites Kontaktpad. Eine dritte Leitungsebene verbindet beide Teilsegmente miteinander und kontaktiert das dritte Kontaktpad. Des Weiteren sind die Leitungsebenen jeweils einer ersten Hauptseite gegenüber angeordnet, wobei die erste Hauptseite zur Emission erzeugter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括被分成至少两个电隔离的子部分的半导体层序列。在每一个局部区域，所述有源层上的半导体层序列。此外，提供至少三个电接触垫。第一导管平面通过第一所述至少两个子节段的接触，并且所述第一接触垫。第二条线平面由所述至少两个部分中的第二接触，第二接触垫。第三导管平面连接两个子段对于彼此和所述第三接触垫接触。此外，导体平面分别设置在第一主侧相对的，提供一种用于电磁辐射的发射产生的第一页。

24. 发明申请

WO2009039812A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009039812A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001424
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： RODE, Patrick , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (10) umfasst ein Substrat (11) mit einer Vorderseite (12) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung (S). Der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) weist eine Halbleiterschichtenfolge (14) auf, die an einer Rückseite (13) des Substrats (11) angeordnet ist und eine zur Erzeugung der elektromagnetischen Strahlung (S) geeignete aktive Schicht (19) aufweist. Weiter umfasst der optoelektronischer Halbleiterkörper (10) eine erste und eine zweite elektrische Anschlussschicht (15, 16), die an einer vom Substrat (11) abgewandten ersten Fläche (17) der Halbleiterschichtenfolge (14) angeordnet sind.
摘要翻译：的光电子半导体本体（10）包括具有用于发射电磁辐射（S）的前表面（12）的基板（11）。所述光电子半导体本体（10）具有的半导体层序列（14），其在所述基板的后侧（13）（11）被布置和用于产生电磁辐射（S），其具有适当的活性层（19）。此外，光电子半导体本体（10）包括第一和背离半导体层序列（14）的所述衬底（11）第一表面（17）离开的第二电连接层（15，16）被布置。

25. 发明申请

WO2008089728A2 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2008089728A2
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/DE2008/000081
申请日：2008-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
发明人： SABATHIL, Matthias , HÖPPEL, Lutz , EICHLER, Christoph , ENGL, Karl , PETER, Matthias , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Schichtenfolge (10) angegeben, die mindestens eine n-leitende Schicht aufweist. Der Leuchtdiodenchip weist eine leitend mit der n-leitenden Schicht verbundene Spiegelschicht auf. Zwischen der n-leitenden Schicht und der Spiegelschicht ist mindestens eine transparente dielektrische Schicht angeordnet.
摘要翻译：公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片具有传导地连接到n型层的反射镜层。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明介电层。

26. 发明申请

WO2013045190A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND ENTSPRECHENDER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和这样的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045190A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066699
申请日：2012-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
发明人： HERTKORN, Joachim , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , WEIMAR, Andreas , STAUSS, Peter
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/12 , H01L21/20 , C23C14/06 , H01L33/22 , H01L33/32 , C30B23/06 , C30B29/40
CPC分类号： H01L33/007 , C23C14/0617 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungs form des Verfahrens ist dieses zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (10), insbesondere einer Leuchtdiode, eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Silizium-Aufwachssubstrats (1), - Erzeugen einer III-Nitrid-Pufferschicht (3) auf dem Aufwachssubstrat (1) mittels Sputtern, und - Aufwachsen einer III-Nitrid-Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (2a) über der Pufferschicht (3).
摘要翻译：在所述方法的至少一个执行的是，用于光电子半导体芯片（10），特别是发光二极管组的制造。该方法包括至少以下步骤： - 提供硅生长衬底（1）， - 通过溅射，和产生生长衬底（1）上的III族氮化物缓冲层（3） - 生长III族氮化物半导体层序列（2）具有在所述缓冲层（3）的有源层（2a）中。

27. 发明申请

WO2013041424A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2013041424A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/067808
申请日：2012-09-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die In x Ga 1-x N mit 0 y Ga 1-y N mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（12），其特征在于，（2）含有一个转移层的In x镓1-X N其中0 的x，生长在先前生长转印层（2）上，离子在所述另外的转移层（7）（用于形成分离区4 ）被植入，施加另一个载体基板（8），并且进一步转移层（7）由温度处理切断。随后，包含有源层（10）从所述另外的载体基板（8）进一步转移层（7）的表面背对的半导体层序列（9）生长。

28. 发明申请

WO2012016874A1 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP 审中-公开
标题翻译：发光二极管芯片
公开(公告)号：WO2012016874A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/EP2011/062745
申请日：2011-07-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/52 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2933/0016
摘要： A light-emitting diode chip is specified, comprising - an n-conducting region (1), - a p-conducting region (2), - an active region (3) between the n-conducting region (1) and the p-conducting region (2), - a mirror layer (4) at that side of the p- conducting region (2) which is remote from the active region ( 3 ), - an encapsulation layer (5) at that side of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region ( 2 ), and - a contact layer (6) at a side of the encapsulation layer (5) which is remote from the mirror layer (4), wherein - the encapsulation layer (5) extends along a bottom area (43) of the mirror layer (4) which is remote from the p-conducting region (2) and a side area (42) of the mirror layer (4) which runs transversely with respect to the bottom area (43), and - the contact layer (6) is freely accessible in places from its side facing the n-conducting region (1).
摘要翻译：规定了发光二极管芯片，其包括n导电区域（1），p导电区域（2），n导电区域（1）和p导电区域（2）之间的有源区域（3）导电区域（2）， - 远离有源区域（3）的p-导电区域（2）的该侧的镜层（4）， - 在该镜面层的该侧的封装层（5）（4），以及远离所述镜层（4）的所述封装层（5）侧的接触层（6），其中 - 所述封装层（5）沿着远离导电区域（2）的镜层（4）的底部区域（43）延伸，并且镜面层（4）的侧面区域（42）相对于底部区域（43）和 - 接触层（6）可以从其面向n导电区域（1）的一侧自由地接近。

29. 发明申请

WO2010040337A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2010040337A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001379
申请日：2009-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , SABATHIL, Matthias
发明人： ENGL, Karl , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/22 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (100) aufweist, und einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4) angegeben. Der Halbleiterkörper ist zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite (2) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist mindestens eine Öffnung (110) auf, welche die Halbleiterschichtenfolge (1) in Richtung von der Vorderseite (2) zu einer der Vorderseite (2) gegenüberliegenden Rückseite (3) vollständig durchdringt. Die erste elektrische Anschlussschicht (4) ist an der Rückseite (3) des Halbleiterkörpers angeordnet, ein Teilstück (40) der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) verläuft von der Rückseite (3) her durch die Öffnung (110) zur Vorderseite (2) hin verläuft und bedeckt einen ersten Teilbereich (11) einer vorderseitigen Hauptfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (1). Ein zweiter Teilbereich (12) der vorderseitigen Hauptfläche (10) ist von der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) unbedeckt.
摘要翻译：提供了一种具有包括在适于产生电磁辐射活性层（100）的装置的半导体层序列（1）的光电子半导体本体，以及第一电连接层（4）。半导体本体被设置用于电磁辐射的从正面侧（2）的排放。半导体层序列（1）具有至少一个开口（110），其完全穿过半导体层序列（1）在从正面（2）到前侧的一个方向（2）相反的背面（3）。第一电连接层（4）被布置在后侧（3）在半导体本体的，所述第一电连接层（4）的一部分（40）从背面侧（3）延伸来回穿过开口（110）的前侧（2）向延伸，并覆盖半导体层序列（1）的前主表面（10）的第一部分（11）。第一电连接层的前主表面（10）的第二部分（12）（4）覆盖。

30. 发明申请

WO2009068015A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER DIELEKTRISCHEN SCHICHTSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：电介质层结构的光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009068015A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001973
申请日：2008-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
发明人： HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , WEIMAR, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/22 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Halbleiterchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (11) aufweist. An die Halbleiterschichtenfolge schließt sich eine Spiegelstruktur (2) an, die eine dielektrische Schichtstruktur (21) umfasst. Diese Spiegelstruktur reflektiert mindestens 96 % des unter einem beliebigen Winkelbereichs auf sie treffenden, in der aktiven Zone (11) erzeugten Lichtes. Die Schichten (211, 212) der dielektrischen Schichtstruktur (21) können beispielsweise ein low-index Material oder einen 3D photonischen Kristall enthalten. Neben der dielektrischen Schichtstruktur (21) kann die Spiegelstruktur (2) zusätzlich einen metallischen Spiegel (22) umfassen.
摘要翻译：公开是具有提供用于产生电磁辐射，有源层（11）中的开口的半导体层序列（1）的半导体芯片。到半导体层序列，反射镜结构（2）连接，其包括介电层结构（21）。该反射镜结构反映在其上的任意的角度范围入射产生的光的至少96％，在有源区（11）。该介电层结构（21）的层（211，212）可以，例如，低折射率材料或3D光子晶体包括在内。除了介电层结构（21）中，反射镜结构（2）可以另外包括一个金属镜（22）。

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