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21. 发明专利

JP6439520B2 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6439520B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015052328
申请日：2015-03-16
申请人： JSR株式会社
发明人：栗田俊輔 , 藤田賢治 , 中津大貴 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/11

22. 发明专利

JP2016173406A 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造半导体器件的组合物和加工衬底的制造方法
公开(公告)号：JP2016173406A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052328
申请日：2015-03-16
申请人： JSR株式会社
发明人：栗田俊輔 , 藤田賢治 , 中津大貴 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/11
摘要：【課題】優れたエッチング耐性を発揮しつつ、アルカリ液を用いて除去可能な金属含有膜を形成できる半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、加水分解性基を有する金属化合物、この加水分解物若しくはこれらの組み合わせを含む金属含有化合物と、少なくとも1種の有機化合物とを混合して得られる錯体又はこの錯体を加水分解縮合して得られたものを含有し、上記有機化合物がアルカリ可溶性を有する第1化合物、アルカリ液の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する第2化合物又は酸の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する第3化合物であり、かつ合計2〜4個の−OH、−COOH、−NCO、−NR A R B 又は−COR C −を有する半導体デバイス製造用組成物である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够形成能够通过使用碱性液体除去的含金属膜同时显示出优异的耐蚀刻性的半导体器件的制造组合物和加工衬底的制造方法。含有含有具有水解性基团的金属化合物或其水解物或其组合的含金属化合物的半导体器件用组合物和通过将至少一种有机化合物或通过水解和缩合获得的有机化合物复合物，其中有机化合物是具有碱溶性的第一化合物，具有对碱液的溶解性的第二化合物，其通过碱液体的分解而增加，或者对碱液的溶解度增加的第三化合物随酸的作用而增加，并且具有总共2至4个-OH，-COOH，-NCO，-NRROR或-COR-。选定的图：N 一

23. 发明专利

JPWO2020171054A1 半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020171054A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2020006229
申请日：2020-02-18
申请人： JSR株式会社
发明人： ▲葛▼西達也 , 瀬古智昭 , 田路智也 , 酒井達也
IPC分类号： C08G77/60 , H01L21/312
摘要：埋め込み性、平坦性及び耐熱性に優れるケイ素含有膜を形成することができる半導体基板の製造方法及び組成物の提供を目的とする。本発明は、パターンが形成された基板の上記パターン側に、下記式(1)で表される第1構造単位を有する化合物及び溶媒を含有する組成物を直接塗工する工程を備える半導体基板の製造方法である。下記式(1)中、R 1 は、芳香族炭素環又は芳香族複素環を含む炭素数3〜20の2価の有機基である。X 1 及びY 1 は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。上記塗工工程後に、上記塗工工程により形成されたケイ素含有膜の少なくとも一部をエッチングする工程をさらに備えることが好ましい。

24. 发明专利

JP6841026B2 シリカ系粒子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6841026B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2016241294
申请日：2016-12-13
申请人： JSR株式会社
发明人：王鵬宇 , 大坪裕介 , 酒井達也 , 山中達也 , 野田昌宏 , 杉江紀彦 , 篠村尚志
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , C01B33/141

25. 发明专利

JP2020067599A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020067599A
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2018201319
申请日：2018-10-25
申请人： JSR株式会社
发明人：平澤賢悟 , 瀬古智昭 , 酒井達也 , 田中博允
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/11
摘要：【課題】ケイ素含有膜に対するレジスト膜形成用組成物の塗工性に優れ、解像性及びパターン倒壊抑制性に優れるレジストパターンを形成することができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板の一方の面側にケイ素含有膜形成用組成物を塗工する工程と、上記ケイ素含有膜形成用組成物塗工工程により形成されたケイ素含有膜の上記基板とは反対側の面にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記ケイ素含有膜形成用組成物が、下記式(1)で表される構造単位を有するケイ素含有化合物と、溶媒とを含有し、上記レジスト膜形成用組成物が、下記式(2)で表される構造単位を有する重合体と、溶媒とを含有するレジストパターン形成方法である。【選択図】なし

26. 发明专利

JP2018095509A シリカ系粒子の製造方法、シリカ系粒子、および化学機械研磨用組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2018095509A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016241294
申请日：2016-12-13
申请人： JSR株式会社
发明人：王鵬宇 , 大坪裕介 , 酒井達也 , 山中達也 , 野田昌宏 , 杉江紀彦 , 篠村尚志
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , C01B33/141
摘要：【課題】分散安定性と、研磨特性を両立させることのできるシリカ系粒子の製造方法と、シリカ系粒子、製造されたシリカ系粒子を含有する化学機械研磨用組成物を提供する。【解決手段】本発明に係るシリカ系粒子の製造方法は化合物Aおよび化合物Bを加水分解することを特徴とする。また、本発明に係るシリカ系粒子は、N原子とSi原子を含有し、S原子のモル数をM S 、Si原子のモル数をM Si とした場合にM S /M Si =0.001〜0.03であることを特徴とする。【選択図】なし

27. 发明专利

JP6323456B2 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6323456B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2015536505
申请日：2014-08-18
申请人： JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 齊藤隆一 , 藤田賢治 , 栗田俊輔 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C09D1/00 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144

28. 发明专利

JP2016170338A レジスト下層膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法有权
标题翻译：用于形成电阻膜的组合物和使用组合物的方法
公开(公告)号：JP2016170338A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051084
申请日：2015-03-13
申请人： JSR株式会社
发明人：瀬古智昭 , 酒井達也
IPC分类号： C08L83/04 , C08K5/05 , C08G77/18 , G03F7/11
摘要：【課題】塗布欠陥抑制性及び保存安定性に優れた、レジスト下層膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】[A]ポリシロキサン、及び[B]溶媒、を含有し、[B]溶媒が、(B1)3級アルコール、を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物を提供する。また、(1)本発明に係るレジスト下層膜形成用組成物を用い、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程、(2)レジスト組成物を用い、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、(3)フォトマスクを介する露光光の照射により前記レジスト膜を露光する工程、(4)前記露光されたレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程、及び(5)前記レジストパターンをマスクとし、前記レジスト下層膜及び前記被加工基板を順次ドライエッチングする工程、を少なくとも行なうパターン形成方法を提供する。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀剂底层膜的组合物，其具有优异的抑制涂层缺陷性能和保存稳定性，以及使用该组合物的图案化方法。溶胶体：用于形成抗蚀剂底层膜的组合物包含[A ]聚硅氧烷和[B]溶剂，其中[B]溶剂包含（B1）叔醇。图案化方法包括至少进行以下步骤：（1）通过使用上述用于形成抗蚀剂底衬的组合物在待处理的基板上形成抗蚀剂底层膜; （2）通过使用抗蚀剂组合物在抗蚀剂底层膜上形成抗蚀剂膜; （3）通过光掩模的曝光光照射抗蚀剂膜; （4）显影曝光的抗蚀剂膜以形成抗蚀剂图案; 和（5）通过使用抗蚀剂图案作为掩模，对抗蚀剂底衬和待处理衬底进行干蚀刻。选择图：无

29. 发明专利

JP2015219246A パターン形成方法审中-公开
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2015219246A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100016
申请日：2014-05-13
申请人： JSR株式会社
发明人：栗田俊輔 , 成岡岳彦 , 酒井達也 , 中川恭志
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
摘要：【課題】ナノエッジラフネスを改善すると共に放射線感度及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成でき、ひいては、多層レジストプロセスにおける加工性能に優れるパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板の上面側に無機膜形成用組成物により無機膜を形成する工程、上記無機膜の上面側に感放射線性樹脂組成物によりレジストパターンを形成する工程、及び上記レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程を備え、上記感放射線性樹脂組成物が、環炭素数6〜20の芳香環を有する構造単位を含む重合体及び感放射線性酸発生体を含有することを特徴とするパターン形成方法である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种图案形成方法，通过该图案形成方法可以获得具有改善的纳米边缘粗糙度并且具有优异的辐射敏感性和图案抗倒塌性的抗蚀剂图案，并且可以实现在多层抗蚀剂工艺中优异的加工性能。解决方案：形成方法包括以下步骤：从在基板的上表面侧形成无机膜的组合物形成无机膜; 在无机膜的上表面侧由辐射敏感性树脂组合物形成抗蚀剂图案; 以及通过使用抗蚀剂图案作为掩模通过干法蚀刻在衬底上形成图案。辐射敏感性树脂组合物包含含有在环上具有6〜20个碳原子的芳香环的结构单元和辐射敏感性酸发生剂的聚合物。

30. 发明专利

JP5773160B2 水分または酸素捕捉用組成物、硬化体、および電子デバイス有权
标题翻译：湿气或氧清除组合物，固化物，与该电子装置
公开(公告)号：JP5773160B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2011520858
申请日：2010-06-16
申请人： JSR株式会社
发明人：新井隆之 , 高橋昌之 , 松木安生 , 酒井達也 , 今野圭二 , 早川俊之 , 野坂直矢 , 松見昭一
IPC分类号： B01D53/28 , B01D53/14 , H01L51/50 , H05B33/04 , B01J20/22
CPC分类号： H05B33/04 , B01D53/02 , B01D53/28 , B01J20/0248 , B01J20/08 , B01J20/103 , B01J20/223 , B01J20/26 , B01J20/267 , B01J20/28004 , B01J20/28016 , B01J20/2803 , B01J20/28042 , B01J20/28052 , H01L51/5259 , B01D2253/204 , B01D2257/104 , B01D2257/80 , B01J2220/44 , B01J2220/46

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