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1. 发明专利

JP6897071B2 レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体有权
公开(公告)号：JP6897071B2
公开(公告)日：2021-06-30
申请号：JP2016229568
申请日：2016-11-25
申请人： JSR株式会社
发明人：石川真義 , 田中博允 , 河津智晴 , 瀬古智昭 , 大坪裕介 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08G77/14 , G03F7/11

2. 发明专利

JP6458799B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6458799B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2016510192
申请日：2015-03-04
申请人： JSR株式会社
发明人：青木俊 , 田中博允 , 若松剛史 , 滝本嘉夫 , 石川真義 , 木村徹
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08G8/20 , G03F7/40

3. 发明专利

JP6060590B2 レジストパターン形成方法有权
标题翻译：一种抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：JP6060590B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012211593
申请日：2012-09-25
申请人： JSR株式会社
发明人：田中博允 , 高梨和憲 , 峯岸信也 , 森隆 , 瀬古智昭 , 鈴木準也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0751 , G03F7/091 , G03F7/325

4. 发明专利

JP2020067599A レジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020067599A
公开(公告)日：2020-04-30
申请号：JP2018201319
申请日：2018-10-25
申请人： JSR株式会社
发明人：平澤賢悟 , 瀬古智昭 , 酒井達也 , 田中博允
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/11
摘要：【課題】ケイ素含有膜に対するレジスト膜形成用組成物の塗工性に優れ、解像性及びパターン倒壊抑制性に優れるレジストパターンを形成することができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、基板の一方の面側にケイ素含有膜形成用組成物を塗工する工程と、上記ケイ素含有膜形成用組成物塗工工程により形成されたケイ素含有膜の上記基板とは反対側の面にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記ケイ素含有膜形成用組成物が、下記式(1)で表される構造単位を有するケイ素含有化合物と、溶媒とを含有し、上記レジスト膜形成用組成物が、下記式(2)で表される構造単位を有する重合体と、溶媒とを含有するレジストパターン形成方法である。【選択図】なし

5. 发明专利

JP2015197596A ケイ素含有膜形成組成物及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成含硅膜和图案形成方法的组合物
公开(公告)号：JP2015197596A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075368
申请日：2014-04-01
申请人： JSR株式会社
发明人：石川真義 , 田中博允
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/38 , G03F7/075
摘要：【課題】多層レジストプロセスにおいて、基板に与えるダメージの大きい酸性剥離液やフッ素化合物を用いることなく、かつエッチング前後を問わずに除去することができるケイ素含有膜形成組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】アルコキシ基及び酸無水物基を有し、分子内に存在するO−Si結合の少なくとも1つにおいてOとSiの原子間に下記[1]式のA式で表される部分構造1〜100個及び下記[1]式のB式で表される部分構造0〜100個からなるシロキサン単位を有するポリシロキサン(A1)並びに溶媒(B)を含む、多層レジストプロセスに用いられるケイ素含有膜形成組成物。 (式中、Xは、酸無水物基を有する1価の炭化水素基を示す。R 1 は、互いに独立して、水素原子、又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数1〜20の1価の炭化水素基を示す。) 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成含硅膜的组合物，其可以在不使用在多层抗蚀剂工艺中大量损坏基材的酸性剥离溶液或氟化合物的情况下除去，并且可以在其前后除去蚀刻和图案形成方法。解决方案：用于形成含硅膜的组合物用于多层抗蚀剂工艺，并且包含以下聚硅氧烷（A1）和溶剂（B）。聚硅氧烷（A1）具有烷氧基和酸酐基，并且具有包含1至100个由式[1]的式A表示的部分结构的硅氧烷单元和由式[1]的式B表示的0至100个部分结构，在存在于聚硅氧烷分子中的至少一个O-Si键中的O和Si原子之间。在该式中，X表示具有酸酐基的一价烃基; 并且多个Reach独立地表示氢原子或可被卤素原子取代的1-20C单价烃基。

6. 发明专利

JP5765298B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP5765298B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2012135049
申请日：2012-06-14
申请人： JSR株式会社
发明人：庵野祐亮 , 森隆 , 榊原宏和 , 古川泰一 , 高梨和憲 , 田中博允 , 峯岸信也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , H01L21/027 , G03F7/11

7. 发明专利

JP2018159921A EUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、EUVリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018159921A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2018050581
申请日：2018-03-19
申请人： JSR株式会社
发明人：田中博允 , 鈴木準也 , 芹澤龍一 , 大坪裕介
IPC分类号： G03F7/26 , C09D183/04 , C09D7/48 , H01L21/027 , G03F7/11
摘要：【課題】アウトガス抑制性に優れると共に、倒壊抑制性に優れかつ形状が良好なレジストパターンを形成可能なケイ素含有膜を形成することができるEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物、EUVリソグラフィー用ケイ素含有膜及びパターン形成方法の提供。【解決手段】ポリシロキサンと、オニウムカチオン及びスルホン酸アニオンを有する化合物と、溶媒とを含有し、上記スルホン酸アニオンを構成する原子の原子量の総和が240以上であり、上記スルホン酸アニオンがスルホネート基と、このスルホネート基に隣接する炭素原子とを有し、この炭素原子にフッ素原子が結合していないEUVリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2018084783A レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及び重合体审中-公开
公开(公告)号：JP2018084783A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016229568
申请日：2016-11-25
申请人： JSR株式会社
发明人：石川真義 , 田中博允 , 河津智晴 , 瀬古智昭 , 大坪裕介 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08G77/14 , G03F7/11
摘要：【課題】レジストパターンの形状及び倒壊抑制性並びにフッ素系ガスエッチング除去性及び酸素エッチング耐性に優れるシリコン含有膜を形成することができるレジストプロセス用膜形成材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジストプロセス用膜形成材料として好適な重合体を提供する。【解決手段】式(1)で表される構造を有する重合体及び有機溶媒を含有するレジストプロセス用膜形成材料。式(1)中、R 1 は、酸素原子を含む炭素原子数1〜6の1価の有機基で、R 1 における酸素原子数の炭素原子数に対する比は0.35以上である。R 3 は、芳香環を含む炭素原子数6〜20の1価の有機基である。【選択図】なし

9. 发明专利

JP6167588B2 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6167588B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013058928
申请日：2013-03-21
申请人： JSR株式会社
发明人：田中博允 , 鈴木準也 , 元成正之 , 木村徹
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/0752

10. 发明专利

JPWO2020170934A1 膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020170934A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2020005574
申请日：2020-02-13
申请人： JSR株式会社
发明人：瀬古智昭 , ▲葛▼西達也 , 田路智也 , 田中博允
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
摘要：埋め込み性、平坦性及び酸素系ガスエッチング耐性に優れるケイ素含有膜を形成することができる膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、ポリシランと、溶媒とを含有し、上記ポリシランが2以上の下記式(1)で表される第1構造単位を有する膜形成用組成物である。下記式(1)中、R 1 は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の鎖状の有機基である。R 2 は、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜20の1価の鎖状の有機基である。下記式(1)のR 2 が−OR A であり、R A が水素原子又は炭素数1〜20の1価の鎖状の有機基であることが好ましい。R A は水素原子又は炭素数1〜20の1価の鎖状炭化水素基であることが好ましい。

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