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1. 发明专利

JPWO2016185888A1 基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016185888A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017519099
申请日：2016-04-27
申请人： JSR株式会社
发明人：藤田賢治 , 滝本嘉夫 , ▲鄭▼ 康巨
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/304
摘要：本発明は、重合体及び極性溶媒を含有する基板パターン倒壊抑制用処理材である。また、本発明は、上記基板パターン倒壊抑制用処理材を、パターンが形成された基板に塗布し、乾燥する工程を含む基板の処理方法である。上記重合体としては、親水性重合体が好ましい。上記重合体は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミド基、アミノ基、スルホ基及びアルデヒド基から選ばれる少なくとも1種の官能基を有することが好ましい。上記重合体は、ビニル系重合体、多糖類、ポリエステル、ポリエーテル及びポリアミドから選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。

2. 发明专利

JP6323456B2 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6323456B2
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：JP2015536505
申请日：2014-08-18
申请人： JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 齊藤隆一 , 藤田賢治 , 栗田俊輔 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C09D1/00 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/31144

3. 发明专利

JP5760850B2 保護ポリマー組成物有权
标题翻译：保护性聚合物组合物
公开(公告)号：JP5760850B2
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：JP2011182217
申请日：2011-08-24
申请人： JSR株式会社
发明人：関口学 , 古川剛 , 藤田賢治 , 青木修
IPC分类号： H01L21/02 , C08L101/12 , C08L61/00 , C08L25/02 , C08L33/06 , C08K5/09 , C08K5/01 , B81C3/00

4. 发明专利

JP6718123B2 基板パターン倒壊抑制用処理材及び基板の処理方法有权
公开(公告)号：JP6718123B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2017519099
申请日：2016-04-27
申请人： JSR株式会社
发明人：藤田賢治 , 滝本嘉夫 , ▲鄭▼ 康巨
IPC分类号： H01L21/304

5. 发明专利

JP6439520B2 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6439520B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015052328
申请日：2015-03-16
申请人： JSR株式会社
发明人：栗田俊輔 , 藤田賢治 , 中津大貴 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/11

6. 发明专利

JP2016173406A 半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造半导体器件的组合物和加工衬底的制造方法
公开(公告)号：JP2016173406A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052328
申请日：2015-03-16
申请人： JSR株式会社
发明人：栗田俊輔 , 藤田賢治 , 中津大貴 , 酒井達也
IPC分类号： G03F7/11
摘要：【課題】優れたエッチング耐性を発揮しつつ、アルカリ液を用いて除去可能な金属含有膜を形成できる半導体デバイス製造用組成物及び加工基板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、加水分解性基を有する金属化合物、この加水分解物若しくはこれらの組み合わせを含む金属含有化合物と、少なくとも1種の有機化合物とを混合して得られる錯体又はこの錯体を加水分解縮合して得られたものを含有し、上記有機化合物がアルカリ可溶性を有する第1化合物、アルカリ液の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する第2化合物又は酸の作用により分解してアルカリ液に対する溶解度が増大する第3化合物であり、かつ合計2〜4個の−OH、−COOH、−NCO、−NR A R B 又は−COR C −を有する半導体デバイス製造用組成物である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够形成能够通过使用碱性液体除去的含金属膜同时显示出优异的耐蚀刻性的半导体器件的制造组合物和加工衬底的制造方法。含有含有具有水解性基团的金属化合物或其水解物或其组合的含金属化合物的半导体器件用组合物和通过将至少一种有机化合物或通过水解和缩合获得的有机化合物复合物，其中有机化合物是具有碱溶性的第一化合物，具有对碱液的溶解性的第二化合物，其通过碱液体的分解而增加，或者对碱液的溶解度增加的第三化合物随酸的作用而增加，并且具有总共2至4个-OH，-COOH，-NCO，-NRROR或-COR-。选定的图：N 一

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