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21. 发明授权

KR100662546B1 실리콘 웨이퍼의 표면 품질을 개선하는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 有权
标题翻译：使用硅晶片和抛光硅晶片改善表面质量的浆料组成
公开(公告)号：KR100662546B1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：KR1020050018492
申请日：2005-03-07
申请人： 제일모직주식회사 , 엠이엠씨코리아 주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이태영 , 이인경 , 이진호 , 김영우 , 최문로 , 김종섭
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 연마 공정에 사용하기 위한 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 기존의 초순수, 콜로이드 실리카, pH 조절제 및 수용성 증점제를 함유하는 연마용 슬러리 조성물에 대하여 아세트산계의 킬레이트제와 인산계 킬레이트제 중 적어도 어느 하나의 킬레이트제를 첨가하여 제조될 수 있다. 본 발명에 의해 저장 안정성이 크게 개선되었고 특히 실리콘 웨이퍼 최종 연마용으로 사용하는 경우에 웨이퍼 표면의 헤이즈와 LPD 및 표면 거칠기를 크게 개선할 수 있다.
연마용 슬러리 조성물, 콜로이드 실리카, 수용성 증점제, 아세트산계의 킬레이트제, 인산계 킬레이트제

22. 发明授权

KR100497412B1 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于硅晶片最终抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR100497412B1
公开(公告)日：2005-06-28
申请号：KR1020020079245
申请日：2002-12-12
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 노현수 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 질소-함유 비이온성 계면활성제와 말단의 OH기가 탄소수 1~4개의 선형 또는 분지형 알킬기로 캡핑(Capping)된 비이온성 계면활성제의 사용에 의해 증점제로 사용된 고분자 셀룰로오스와 연마입자의 분산안정성이 극대화되고 상기 비이온성 계면활성제와 유기염기의 공동상승적인 작용에 의해 웨이퍼 상의 표면결함 발생률이 감소된 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 연마용 슬러리를 사용하면 고품질의 경면 실리콘 웨이퍼를 효율적으로 생산할 수 있다.

23. 发明公开

KR1020100080072A ＣＭＰ 슬러리 조성물 有权
标题翻译： CMP浆料组合物
公开(公告)号：KR1020100080072A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：KR1020080138693
申请日：2008-12-31
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김태영 , 박태원 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition is provided to improve the polishing selectivity for silicon nitride, and the polishing speed for a silicon oxide film. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition contains the following: a cerium oxide dispersion containing cerium oxide powder and a nitrogenous polymer dispersing agent; an additive solution including an organic acid with the molecular weight less than 500; and a pH modifier. The dispersing agent is a polyvinyl pyrrolidone copolymer. The composition contains 0.1~20wt% of dispersing agent for the total amount of the cerium oxide powder.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光浆料组合物，以改善氮化硅的抛光选择性和氧化硅膜的抛光速度。构成：化学机械抛光浆料组合物包含以下物质：含有氧化铈粉末和含氮聚合物分散剂的氧化铈分散体; 包括分子量小于500的有机酸的添加剂溶液; 和pH调节剂。分散剂是聚乙烯吡咯烷酮共聚物。该组合物含有0.1〜20重量％的氧化铈粉末总量的分散剂。

24. 发明公开

KR1020070067270A 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 有权
标题翻译：用于抛光硅胶的浆料组合物及其使用方法
公开(公告)号：KR1020070067270A
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：KR1020050128376
申请日：2005-12-23
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박태원 , 노현수 , 이태영 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A slurry composition for polishing a silicon wafer is provided to exhibit excellent characteristics even in 65nm or below high-performance semiconductor designs and reduce LPD and haze on a wafer surface largely. The slurry composition for polishing a silicon wafer comprises (a) at least any one of non-ionic surfactants represented by formulae 1, 2, and 3, (b) a silica, (c) a pH modifier, (d) an organic base, (e) a thickener, and (f) an ultrapure water. The formula 1 is R(R')_m(R"O)_nH, the formula 2 is R(R'O)_m(R"O)_nR and the formula 3 is RN(R'O)_m(R"O)nH. In the formula 1, R is a C5-20 alkyl, and R' and R" are ethylene or propylene and have an average molecular weight of 10,000-5,000,000. In the formula 2, R is a C5-20 alkyl, and R' and R" are ethylene or propylene and have an average molecular weight of 10,000-5,000,000. In the formula 3, R is a C5-20 alkyl, and R' and R" are ethylene or propylene and have an average molecular weight of 10,000-5,000,000.
摘要翻译：提供了用于抛光硅晶片的浆料组合物，即使在65nm或更低的高性能半导体设计中也表现出优异的特性，并且在晶片表面上大大降低了LPD和雾度。用于研磨硅晶片的浆料组合物包含（a）由式1,2和3表示的非离子表面活性剂中的至少一种，（b）二氧化硅，（c）pH调节剂，（d）有机碱，（e）增稠剂，和（f）超纯水。式1是R（R'）m（R“O）_nH，式2是R（R'O）_m（R”O）_nR，式3是RN（R'O）_m（R“O ）nH在式1中，R为C5-20烷基，R'和R“为乙烯或丙烯，平均分子量为10,000-5,000,000。在式2中，R为C 5-20烷基，R'和R“为乙烯或丙烯，平均分子量为10,000-5,000,000，在式3中，R为C5-20烷基，R' 和R“是乙烯或丙烯，平均分子量为10,000-5,000,000。

25. 发明授权

KR100643632B1 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한연마방법 有权
标题翻译：室内设计师俱乐部
公开(公告)号：KR100643632B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050128377
申请日：2005-12-23
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이태영 , 노현수 , 박태원 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
摘要： Provided are a slurry composition for polishing a silicon wafer which is high in polishing power, can remove or reduce the content of residual metal components on the surface of a wafer and improves the reliance of package, and a method for polishing a silicon wafer by using the composition. The slurry composition comprises 0.2-40 wt% of colloidal silica; 0.05-7 wt% of an amine; 0.01-2 wt% of a quaternary ammonium base; 0.001-1 wt% of a metal chelating agent; 0.01-2 wt% of a pH controller; 0.01-2 wt% of a hydroxide ion buffer agent; and the balance of deionized water. Preferably the colloidal silica is spherical and has an average diameter of 50-150 nm; and the metal chelating agent is at least one selected from the group consisting of EDTA, PDTA, CyDTA, NTA, DTPA and HEDTA-based chelating agents.
摘要翻译：本发明提供一种抛光功率高，能够除去或减少晶片表面的残留金属成分的含量，提高封装的可靠性的硅晶片研磨用组合物以及使用该硅晶片的研磨方法组成。该浆料组合物包含0.2-40重量％的胶体二氧化硅; 0.05-7重量％的胺; 0.01-2重量％的季铵碱; 0.001-1重量％的金属螯合剂; 0.01-2重量％的pH控制剂; 0.01-2重量％的氢氧根离子缓冲剂; 和去离子水的平衡。优选胶态二氧化硅是球形的并具有50-150nm的平均直径; 并且金属螯合剂是选自EDTA，PDTA，CyDTA，NTA，DTPA和HEDTA基螯合剂中的至少一种。

26. 发明授权

KR100524024B1 반도체 웨이퍼 후면 연마용 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于在半导体晶片上进行背面抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR100524024B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030092994
申请日：2003-12-18
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 후면(back side) 연마용 슬러리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 50-150nm인 콜로이드 실리카, 피롤리돈계 질소화합물, 4급 암모늄 염기, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 슬러리에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 반도체 웨이퍼의 후면 연마 공정을 수행하면 연마 후 스테인(stain) 발생량이 크게 감소하고 패키지(package) 후 신뢰성의 개선 효과를 제공할 수 있다.

27. 发明授权

KR100516884B1 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于硅晶片最终抛光的浆料组成
公开(公告)号：KR100516884B1
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020020077852
申请日：2002-12-09
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 연마제로 입경이 60∼80nm인 콜로이드 실리카 2∼10중량%, 암모니아 0.5∼1.5중량%, 수산화알킬셀룰로오스류의 수용성 고분자 증점제 0.2∼1.0중량%, 아민 화합물 0.01∼1중량%, 사급암모늄염기 0.01∼0.5중량% 및 나머지 성분으로서 초순수를 포함하는 반도체 웨이퍼의 이차 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 슬러리 조성물에 의해 반도체 웨이퍼의 이차 연마시 연마속도를 증진시키면서도, 연마품질이 증진된 반도체 웨이퍼를 제조할 수 있다.

28. 发明公开

KR1020050050351A 실리콘 웨이퍼 경면연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于抛光硅砂的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020050050351A
公开(公告)日：2005-05-31
申请号：KR1020030084065
申请日：2003-11-25
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/02024
摘要： 본 발명은 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 이를 이용한 경면연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평균 입경이 10-200nm인 콜로이드 실리카, 폴리피롤리돈 공중합체, TMAH, pH 조절제 및 탈이온수를 포함하는 실리콘 웨이퍼 연마용 슬러리 및 상기 연마용 슬러리를 2차 연마 단계에서 사용하는 것을 특징으로 하는 다단계 경면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 연마용 슬러리를 사용하여 경면연마 공정을 수행하면 미크론 단위 이하의 LPD(submicron LPD)가 크게 감소되는 효과를 제공할 수 있다.

29. 发明公开

KR1020040050726A 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 失效
标题翻译：用于硅波最终抛光的浆料组合物
公开(公告)号：KR1020040050726A
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：KR1020020077860
申请日：2002-12-09
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 노현수 , 박태원 , 이길성 , 이인경
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02
摘要： PURPOSE: A slurry composition for final polishing of silicon wafer is provided to be capable of improving dispersion characteristic of the slurry composition and reducing the concentration of the slurry composition. CONSTITUTION: A slurry composition for final polishing of silicon wafer contains colloid silica of 2-10 weight% as an abrasive, ammonia of 0.5-1.5 weight%, and a hydroxide alkyl cellulose based water-soluble thickener of 0.2-1.0 weight%. At this time, the grain diameter of the colloid silica is in the range of 30-80 nm. The last polishing slurry composition further contains a polyoxyethylenealkylamine ether based non-ionic surfactant of 0.03-0.5 weight%, quaternary ammonium salt of 0.01-1.0 weight%, and deionized water.
摘要翻译：目的：提供用于硅晶片的最终抛光的浆料组合物，以能够改善浆料组合物的分散特性并降低浆料组合物的浓度。构成：用于硅晶片的最终研磨的浆料组合物含有2-10重量％的研磨剂胶体二氧化硅，0.5-1.5重量％的氨和0.2-1.0重量％的氢氧化烷基纤维素基水溶性增稠剂。此时，胶体二氧化硅的粒径在30-80nm的范围内。最后抛光浆料组合物还含有0.03-0.5重量％的聚氧乙烯烷基胺醚非离子表面活性剂，0.01-1.0重量％的季铵盐和去离子水。

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