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21. 发明专利

TW548516B 光阻材料與圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料与图型之形成方法
公开(公告)号：TW548516B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW090108800
申请日：2001-04-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：西恒寬 , 金生剛 , 名倉茂廣 , 小林知洋 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , C08G61/06 , C08G61/08 , G03F7/0397
摘要：一種光阻材料，其特徵係為以下式所示開環歧化( metathesis)聚合物之氫化物作為基礎樹脂所得者。
本發明所使用之開環歧化聚合物之氫化物，其係適用於具有優良耐熱性、耐熱分解性、光透過性之紫外線或遠紫外線等所使用的半導體微細加工用光阻之聚合物，故具有產業上之價值。使用上述聚合物作為基礎樹脂使用之本發明的光阻材料，可感應高能量線，且具有優良的感度、解像性與蝕刻耐性。
简体摘要：一种光阻材料，其特征系为以下式所示开环歧化( metathesis)聚合物之氢化物作为基础树脂所得者。本发明所使用之开环歧化聚合物之氢化物，其系适用于具有优良耐热性、耐热分解性、光透过性之紫外线或远紫外线等所使用的半导体微细加工用光阻之聚合物，故具有产业上之价值。使用上述聚合物作为基础树脂使用之本发明的光阻材料，可感应高能量线，且具有优良的感度、解像性与蚀刻耐性。

22. 发明专利

TW528932B 高分子化合物及增强化學性之正型光阻材料失效
简体标题：高分子化合物及增强化学性之正型光阻材料
公开(公告)号：TW528932B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW087100572
申请日：1998-01-16
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：本海清 , 渡邊修 , 渡邊聰 , 名倉茂 , 石原俊信
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/039 , C08F8/14 , C08F2800/20 , C08F2810/20 , G03F7/0045 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , C08F212/14
摘要：〔解決手段〕具有下述一般式(1)所示重覆單位之高分子化合物的酚性羥基和／或羧基之部分氫原子為被一種或二種以上之酸不安定性所部分取代，且經由剩餘的酚性羥基和／或羧基之一部分與烯基醚化合物或鹵化烷基醚化合物之反應所得之於分子內和／或分子間具有C－O－C基之交聯基所交聯，且上述酸不安定基與交聯基之合計量為超過式(1)中酚性羥基及羧基全體之平均0莫耳%且為80莫耳%以下之比例之重量平均分子量1,000~500,000的高分子化合物(式中，R1為H或CH3、R2為C1~C8之烷基、R3為H、R4為H、R1為－ COOR5(R5為C1~C8之烷基)或末取代之苯基、或 R3和R4為結合成－COOCO－。X為0或正整數，y為正整數，且為滿足x+y≦5之數>p、q為正數，且為滿足p+q=1，0
简体摘要：〔解决手段〕具有下述一般式(1)所示重复单位之高分子化合物的酚性羟基和／或羧基之部分氢原子为被一种或二种以上之酸不安定性所部分取代，且经由剩余的酚性羟基和／或羧基之一部分与烯基醚化合物或卤化烷基醚化合物之反应所得之于分子内和／或分子间具有C－O－C基之交联基所交联，且上述酸不安定基与交联基之合计量为超过式(1)中酚性羟基及羧基全体之平均0莫耳%且为80莫耳%以下之比例之重量平均分子量1,000~500,000的高分子化合物(式中，R1为H或CH3、R2为C1~C8之烷基、R3为H、R4为H、R1为－ COOR5(R5为C1~C8之烷基)或末取代之苯基、或 R3和R4为结合成－COOCO－。X为0或正整数，y为正整数，且为满足x+y≦5之数>p、q为正数，且为满足p+q=1，0

23. 发明专利

TW337591B 防止反射膜材料失效
公开(公告)号：TW337591B
公开(公告)日：1998-08-01
申请号：TW085116035
申请日：1996-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：石原俊信 , 名倉茂 , 渡邊聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C08K5/09 , C08L39/06
摘要： ﹝課題﹞ 提供成膜性佳，微細下之標度精度及配合精度高，簡便下之生產性高，再現性佳且可形成抵抗樣版之防止反射膜，更且，由於不引起化學增幅型抵抗表面之酸失活，故不會引起上述ＰＥＤ之問題，因此其不使用故化學增幅型抵抗之情形中亦具作為保護膜機能之抵抗上層材料氟利昂。
﹝解決手段﹞ 由含有ａ）聚（Ｎ一乙烯基咯烷酮）單聚合體及Ｎ一乙烯基咯烷酮與其他乙烯基系單體之水溶性共聚物所組成之群中選出至少一種水溶性聚合物，與ｂ)至少一種含氟有機酸，與ｃ）至少一種胺基酸衍生物之水溶液所構成之形成抵抗層上層之水溶性膜材料。
﹝選擇圖﹞無
简体摘要： ﹝课题﹞ 提供成膜性佳，微细下之标度精度及配合精度高，简便下之生产性高，再现性佳且可形成抵抗样版之防止反射膜，更且，由于不引起化学增幅型抵抗表面之酸失活，故不会引起上述ＰＥＤ之问题，因此其不使用故化学增幅型抵抗之情形中亦具作为保护膜机能之抵抗上层材料氟利昂。 ﹝解决手段﹞ 由含有ａ）聚（Ｎ一乙烯基咯烷酮）单聚合体及Ｎ一乙烯基咯烷酮与其他乙烯基系单体之水溶性共聚物所组成之群中选出至少一种水溶性聚合物，与ｂ)至少一种含氟有机酸，与ｃ）至少一种氨基酸衍生物之水溶液所构成之形成抵抗层上层之水溶性膜材料。 ﹝选择图﹞无

24. 发明专利

TWI641910B 正型光阻組成物、光阻圖案形成方法、及空白光罩有权
简体标题：正型光阻组成物、光阻图案形成方法、及空白光罩
公开(公告)号：TWI641910B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106125981
申请日：2017-08-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F1/20 , G03F1/22 , H01L21/027

25. 发明专利

TW201830139A 化學增幅正型光阻組成物及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：化学增幅正型光阻组成物及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201830139A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106146120
申请日：2017-12-28
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F1/76 , C07C381/12 , C08F232/08
摘要：本發明提供圖案形成時之解像性改善且可獲得LER減小的光阻圖案的正型光阻組成物。一種正型光阻組成物，包括基礎聚合物，該基礎聚合物包括含有(A)下式(A)表示之鋶化合物、及(B)下式(B1)表示之重複單元，且因酸作用而分解且於鹼顯影液中之溶解度增大的聚合物。
简体摘要：本发明提供图案形成时之解像性改善且可获得LER减小的光阻图案的正型光阻组成物。一种正型光阻组成物，包括基础聚合物，该基础聚合物包括含有(A)下式(A)表示之锍化合物、及(B)下式(B1)表示之重复单元，且因酸作用而分解且于碱显影液中之溶解度增大的聚合物。

26. 发明专利

TW201816513A 正型光阻組成物、光阻圖案形成方法、及空白光罩审中-公开
简体标题：正型光阻组成物、光阻图案形成方法、及空白光罩
公开(公告)号：TW201816513A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125981
申请日：2017-08-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F1/20 , G03F1/22 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種正型光阻組成物，可提供改善圖案形成時之解像性且線邊緣粗糙度減小的圖案。一種正型光阻組成物，包括(A)下式(A)表示之鋶化合物、及(B)基礎聚合物，包括含有下式(B1)表示之重複單元並因酸作用而分解且於鹼顯影液中之溶解度增大之聚合物。
简体摘要：本发明提供一种正型光阻组成物，可提供改善图案形成时之解像性且线边缘粗糙度减小的图案。一种正型光阻组成物，包括(A)下式(A)表示之锍化合物、及(B)基础聚合物，包括含有下式(B1)表示之重复单元并因酸作用而分解且于碱显影液中之溶解度增大之聚合物。

27. 发明专利

TW201713721A 高分子化合物、正型光阻組成物、疊層體及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：高分子化合物、正型光阻组成物、叠层体及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201713721A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105124377
申请日：2016-08-02
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：土門大將 , DOMON, DAISUKE , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI
IPC分类号： C08L33/14 , C08L25/18 , G03F7/039
CPC分类号： C08F216/10 , C08F220/38 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/093 , G03F7/2059 , G03F7/322 , C08F216/02 , C08F212/32 , C08F216/1416 , C08F2220/382
摘要：本發明提供能形成有極高解像性且可作為能形成LER小、矩形性優異之圖案之光阻膜之光阻組成物的基礎樹脂的理想高分子化合物。一種高分子化合物，其特徵為含有：下列通式(1c)表示之重複單元；以及選自於下列通式(2)表示之重複單元及下列通式(3)表示之重複單元中之1種以上之重複單元。【化1】式中，Mb+ 表示下列通式(a)表示之鋶陽離子或下列通式(b)表示之錪陽離子。【化2】【化3】
简体摘要：本发明提供能形成有极高解像性且可作为能形成LER小、矩形性优异之图案之光阻膜之光阻组成物的基础树脂的理想高分子化合物。一种高分子化合物，其特征为含有：下列通式(1c)表示之重复单元；以及选自于下列通式(2)表示之重复单元及下列通式(3)表示之重复单元中之1种以上之重复单元。【化1】式中，Mb+ 表示下列通式(a)表示之锍阳离子或下列通式(b)表示之錪阳离子。【化2】【化3】

28. 发明专利

TW201701065A 利用新穎鎓鹽化合物之化學增幅式負型光阻組成物及光阻圖案形成方法审中-公开
简体标题：利用新颖鎓盐化合物之化学增幅式负型光阻组成物及光阻图案形成方法
公开(公告)号：TW201701065A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105111283
申请日：2016-04-12
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 小竹正晃 , KOTAKE, MASAAKI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C07D209/42 , C07D265/30 , C08F212/14 , C08F220/30 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/038 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/09 , G03F7/2059 , G03F7/30 , G03F7/322
摘要：一種化學增幅負型光阻組成物，含有： (A)式(1)或(2)表示之鎓鹽； (B)具有式(3)表示之重複單元之樹脂(U-1)； (C)交聯劑；；表示之次結構代表介隔氮原子之環狀結構。本發明之化學增幅負型光阻組成物能有效控制曝光時之酸擴散，於圖案形成時有極高解像性，可獲得LER減小的圖案。
简体摘要：一种化学增幅负型光阻组成物，含有： (A)式(1)或(2)表示之鎓盐； (B)具有式(3)表示之重复单元之树脂(U-1)； (C)交联剂；；表示之次结构代表介隔氮原子之环状结构。本发明之化学增幅负型光阻组成物能有效控制曝光时之酸扩散，于图案形成时有极高解像性，可获得LER减小的图案。

29. 发明专利

TWI550344B 化學增幅型光阻組成物及圖案形成方法有权
简体标题：化学增幅型光阻组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TWI550344B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104118217
申请日：2015-06-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：福島將大 , FUKUSHIMA, MASAHIRO , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08K5/372 , C08K5/46 , C08F212/14 , C08F220/30 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/322

30. 发明专利

TWI507822B 正型光阻組成物及圖型形成方法有权
简体标题：正型光阻组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TWI507822B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW099121498
申请日：2010-06-30
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中啟順 , TANAKA, AKINOBU , 增永惠一 , MASUNAGA, KEIICHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F277/00 , C08F265/04 , C08F257/02 , C08K5/42 , C08K5/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0397

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