会员体验
专利管家（专利管理）
工作空间（专利管理）
风险监控（情报监控）
数据分析（专利分析）
侵权分析（诉讼无效）
联系我们
交流群
官方交流：
QQ群： 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
下载
著录项
PDF全文
热词
    • 21. 发明授权
      US06323101B1 Semiconductor processing methods, methods of forming silicon dioxide methods of forming trench isolation regions, and methods of forming interlevel dielectric layers 失效
    • Semiconductor processing methods, methods of forming silicon dioxide methods of forming trench isolation regions, and methods of forming interlevel dielectric layers
    • 半导体处理方法，形成二氧化硅的方法形成沟槽隔离区域的方法以及形成层间电介质层的方法
    • US06323101B1
    • 2001-11-27
    • US09146843
    • 1998-09-03
    • Weimin Li , Trung Tri Doan , David L. Chapek
    • Weimin Li , Trung Tri Doan , David L. Chapek
    • H01L2176
    • H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L21/76224
    • In one aspect, the invention includes a semiconductor processing method of removing water from a material comprising silicon, oxygen and hydrogen, the method comprising maintaining the material at a temperature of at least about 100° C., more preferably at least 300° C., and at a pressure of greater than 1 atmosphere to drive water from the material. In another aspect, the invention includes a semiconductor processing method of forming SiO2 having a wet etch removal rate of less than about 700 Angstroms/minute comprising: a) forming a layer comprising Si(OH)x; b) maintaining the Si(OH)x at a temperature of at least about 300° C. and at a pressure of greater than 1 atmosphere to drive water from the Si(OH)x; and c) converting the Si(OH)x to SiO2, the SiO2 having a wet etch removal rate of less than about 700 Angstroms/minute under the conditions of a buffered oxide etch utilizing 20:1 H2O:HF, at about atmospheric pressure and at a temperature of about 30° C. In another aspect, the invention includes a method of forming a trench isolation region comprising: a) forming a trench within a substrate; b) forming a layer comprising Si(OH)x within the trench and over the substrate; c) driving water from the layer comprising Si(OH)x at a pressure of greater than 1 atmosphere; d) converting the Si(OH)x to SiO2; and e) removing at least a portion of the SiO2.
    • 一方面，本发明包括从包括硅，氧和氢的材料中去除水的半导体加工方法，该方法包括将材料保持在至少约100℃，更优选至少300℃的温度。 ，并且在大于1个大气压的压力下驱动来自材料的水。 在另一方面，本发明包括形成具有小于约700埃/分钟的湿蚀刻去除速率的SiO 2的半导体加工方法，包括：a）形成包含Si（OH）x的层; b）将Si（OH）x维持在至少约300℃的温度和大于1个大气压的压力下驱动来自Si（OH）x的水; 和c）在约大气压下在使用20:1 H 2 O:H HF的缓冲氧化物蚀刻的条件下，将Si（OH）x转化为SiO 2，SiO 2具有小于约700埃/分钟的湿蚀刻去除速率，以及 在另一方面，本发明包括形成沟槽隔离区域的方法，包括：a）在衬底内形成沟槽; b）在沟槽内和衬底上形成包含Si（OH）x的层; c）在大于1大气压的压力下从含Si（OH）x的层驱动水; d）将Si（OH）x转化为SiO 2; 和e）除去SiO 2的至少一部分。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 23. 发明授权
      US06184127B2 Semiconductor processing method of forming a contact opening to a region adjacent a field isolation mass, and a semiconductor structure 有权
    • Semiconductor processing method of forming a contact opening to a region adjacent a field isolation mass, and a semiconductor structure
    • 在与场隔离物质相邻的区域形成接触开口的半导体加工方法以及半导体结构
    • US06184127B2
    • 2001-02-06
    • US09243220
    • 1999-02-01
    • Trung Tri Doan , Charles H. Dennison
    • Trung Tri Doan , Charles H. Dennison
    • H01L214763
    • H01L21/76897 , H01L21/76224 , H01L21/76802 , H01L23/485 , H01L2924/0002 , Y10S148/05 , H01L2924/00
    • A semiconductor processing method of forming a contact opening to a region adjacent a field isolation mass includes, a) forming a field isolation mass within a semiconductor substrate by a trench and refill technique, and a substrate masking layer over the substrate adjacent the field isolation mass, the field isolation mass being capped with an etch stop cap, the field isolation mass having a sidewall covered by the masking layer; b) removing the substrate masking layer away from the isolation mass to expose at least a portion of the isolation mass sidewall; c) forming an etch stop cover over the exposed isolation mass sidewall; d) forming an insulating layer over the isolation mass and substrate area adjacent the isolation mass; and e) etching a contact opening through the insulating layer to adjacent the isolation mass selectively relative to the isolation mass etch stop cap and cover. A semiconductor structure is also described.
    • 在与场隔离物质相邻的区域形成接触开口的半导体处理方法包括：a）通过沟槽和再填充技术在半导体衬底内形成场隔离块，以及在与衬底相邻的场隔离质量 所述场隔离物质被蚀刻停止盖封盖，所述场隔离块具有由所述掩蔽层覆盖的侧壁; b）将所述衬底掩模层从所述隔离块上移除以暴露所述隔离质量侧壁的至少一部分; c）在暴露的隔离质量侧壁上形成蚀刻停止盖; d）在邻近隔离块的隔离物质和衬底区域上形成绝缘层; 以及e）相对于所述隔离质量蚀刻停止盖和盖选择性地蚀刻通过所述绝缘层的接触开口以与所述隔离质量相邻。 还描述了半导体结构。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 24. 发明授权
      US6054396A Semiconductor processing method of reducing thickness depletion of a silicide layer at a junction of different underlying layers 失效
    • Semiconductor processing method of reducing thickness depletion of a silicide layer at a junction of different underlying layers
    • 降低不同下层的结的硅化物层的厚度消耗的半导体加工方法
    • US6054396A
    • 2000-04-25
    • US868042
    • 1997-06-03
    • Trung Tri Doan
    • Trung Tri Doan
    • H01L21/02 , H01L21/31 , H01L21/20 , H01L21/44 , H01L21/469
    • H01L28/60
    • A semiconductor processing method of reducing thickness depletion of a nitride layer at a junction of different underlying layers includes, a) providing a substrate, the substrate comprising a first material and a second material, the first and second materials joining at a surface junction, the first and second materials being different from one another; b) exposing the substrate to a nitrogen containing gas under pressure and elevated temperature conditions effective to nitridize an outer portion of both the first and second materials with the nitrogen containing gas to provide a nitrogen containing nucleation layer at the outer portion of both of the first and second materials over the surface junction; and c) chemical vapor depositing a nitride layer atop the nucleation layer over the first and second materials and the surface junction. Preferably, the first material is electrically conductive and the second material is electrically insulative, with doped polysilicon and silicon dioxide being respective examples. An example deposited nitride layer is Si.sub.3 N.sub.4.
    • 减少不同下层的结的氮化物层的厚度消耗的半导体处理方法包括：a）提供衬底，所述衬底包括第一材料和第二材料，所述第一和第二材料在表面结合处接合， 第一和第二材料彼此不同; b）在压力和升高的温度条件下将衬底暴露于含氮气体中，以有效地氮化含有第一和第二材料的第二和第二材料的外部部分，以在第一和第二材料的外部部分提供含氮的成核层 和表面结合处的第二材料; 以及c）在所述第一和第二材料和所述表面结上的化学气相沉积所述成核层顶部的氮化物层。 优选地，第一材料是导电的，并且第二材料是电绝缘的，掺杂多晶硅和二氧化硅是相应的实例。 沉积氮化物层的实例是Si 3 N 4。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
每页展示10个专利
每页展示10个专利
每页展示20个专利
每页展示50个专利
每页展示100个专利

IPRDB

最新中国发明专利 最新美国发明专利 技术领域 专利库 专利分类库 国际专利分类库

热门服务

会员版试用 API 数据接口 找代理 知嘟嘟专利交易 排行榜 大学排行榜 专利百科

关于我们

平台介绍 战略合作 网站地图

友情链接

知嘟嘟专利交易 国家知识产权局 中国商标网

联系方式


©2019-2023 上海吉码数字技术有限公司 版权所有，并保留所有权利 沪ICP备20016256号-6 沪公网安备31011702005475号