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21. 发明申请

WO2012110647A1 SILIZIUMBASIERTER HETEROBIPOLARTRANSISTOR MIT EINER KOLLEKTORSCHICHT AUS EINEM III-V-HALBLEITER 审中-公开
标题翻译：硅异质到III-V族半导体的集电极层的
公开(公告)号：WO2012110647A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052802
申请日：2012-02-17
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , SKIBITZKI, Oliver , SCHRÖDER, Thomas
发明人： SKIBITZKI, Oliver , SCHRÖDER, Thomas
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/737 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7371 , H01L29/0821 , H01L29/20 , H01L29/267 , H01L29/66318 , H01L29/7378
摘要： Heterobipolartransistor, mit einem Substrat aus einem Gruppe-IV- Halbleitermaterial, einem Emittergebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps im Substrat, einer Basisschicht aus einem Gruppe-IV-Halbleiter- material eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf dem Emittergebiet, der dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, und mit einer Kollektorschicht auf der Basisschicht, die entweder teilweise oder vollständig von einem Ill-V-Halbleitermaterial, bevorzugt GaP, des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist.
摘要翻译：异质双极型晶体管，包括由IV族半导体材料，在基板上，制成的发射极区域，其是相对于第一导电类型的第二导电类型的IV族半导体材料的基极层中的第一导电类型的发射极区的衬底，和集电极层在基层，其上形成部分或完全，优选来自III-V族半导体材料的GaP，第一导电类型。

22. 发明申请

WO2010084059A2 THERMOELEKTRISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：热电半导体元件
公开(公告)号：WO2010084059A2
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：PCT/EP2010/050302
申请日：2010-01-12
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KITTLER, Martin , REICHE, Manfred
发明人： KITTLER, Martin , REICHE, Manfred
IPC分类号： H01L27/16 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/12 , H01L27/16 , H01L35/32
摘要： Thermoelektrisches Halbleiterbauelement, mit einer elektrisch isolierenden Substratoberfläche und einer darauf angeordneten Vielzahl von einander beabstandeter, alternierend p-leitend (4) und n-leitend ausgebildeter Halbleiterstrukturelemente (5), die in einer Reihenschaltung alternierend an zwei gegenüberliegenden Enden der jeweiligen Halbleiterstrukturelemente durch Leitstrukturen elektrisch leitend miteinander verbunden sind, derart, dass eine Temperaturdifferenz (2ΔT) zwischen den gegenüberliegenden Enden eine elektrische Spannung zwischen den Leitstrukturen erzeugt oder dass eine zwischen den Leitstrukturen (7, 9; 13, 15) bestehende Spannungsdifferenz eine Temperaturdifferenz (2ΔT) zwischen den gegenüberliegenden Enden erzeugt, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterstrukturelemente eine erste Grenzfläche zwischen einer ersten und einer zweiten Siliziumschicht aufweisen, deren als ideal gedachte Gitterstrukturen relativ zueinander um eine senkrecht zur Substratoberfläche stehende erste Achse um einen Drehwinkel verdreht und um eine zweite, parallel zur Substratoberfläche liegende Achse um einen Kippwinkel verkippt sind, derart, dass im Bereich der Grenzfläche ein Versetzungsnetzwerk vorliegt.
摘要翻译：具有电绝缘性基板表面的热电半导体器件，并且电通过导电结构的串联电路在其上的多个间隔开的设置，交替的p型（4）和n型导电性形成的半导体结构元件（5），交替地在相应的半导体结构元件的两个相对端（？2 T），该温度差之间的相对的端部以这样的方式连接在一起产生，或使导电结构之间的导电结构之间的电电压（7,9; 13，15）的现有的电压差，温度差（2 T）之间产生相对于彼此围绕轴线相对的端部，其特征在于，所述半导体结构元件具有第一和第二硅层之间的第一界面，作为假想理想晶格结构垂直于基板表面固定的第一轴线的旋转角度旋转，倾斜围绕第二轴线由一个倾斜角度平行于基板表面卧，使得在界面区域中，位错网络是存在的。

23. 发明申请

WO2010072590A1 UNIPOLARER HETERO-JUNCTION-SPERRSCHICHT-TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：单极异质结势垒晶体管
公开(公告)号：WO2010072590A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/066958
申请日：2009-12-11
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , MEHR, Wolfgang , LIPPERT, Gunther
发明人： MEHR, Wolfgang , LIPPERT, Gunther
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/737 , H01L29/76
CPC分类号： H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/7376 , H01L29/7606
摘要： Sperrschichttransistor, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, bei dem der Emitter eine Tunneldiode enthält, welche bei einer anliegenden Emitter-Basisspannung in Flussrichtung oberhalb einer ersten Schwellenspannung einen Tunnelstrom von Ladungsträgern vom Emitter in Richtung des Kollektors zulässt, und bei dem die Basis eine Graphenschicht enthält.
摘要翻译：具有基极，发射极和集电极，其特征在于，所述发射极包括隧道二极管，其是高于第一阈值电压结型晶体管允许从朝向集电极的发射极的载流子的隧穿电流在正方向施加的发射极 - 基极电压，并且其中所述基包括石墨烯层。

24. 发明申请

WO2022258655A1 INTEGRATED OPTOELECTRONIC DEVICE WITH OPTICAL INTERCONNECT STRUCTURE FOR IMPROVED BEOL DEVICE INTEGRATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2022258655A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/EP2022/065482
申请日：2022-06-08
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： VOIGT, Karsten , ZIMMERMANN, Lars , MAI, Christian , KREISSL, Jochen
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/13 , G02B6/28 , H01L21/02 , H01L31/0232 , H01S5/02 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01L23/52
摘要： An integrated optoelectronic device comprises a substrate with a silicon layer that comprises one or more electronic components. An interconnect stack is arranged on the substrate and comprising a plurality of metal levels. An optical waveguide, herein FEOL wave-guide, on the substrate has an optical FEOL coupling section. A photonic component is arranged in the interconnect stack at a vertical distance from the substrate. An optical waveguide in the interconnect stack, herein BEOL waveguide, is optically coupled to the photonic component and has an optical BEOL coupling section. An optical interconnect structure is arranged and configured for optically coupling radiation from the BEOL coupling section into the FEOL coupling section and vice versa. The optical interconnect structure comprises a vertical stack of optically coupled wave-guide elements made of a first dielectric material, which each are embedded in a second dielectric material and which in a desired wavelength range have an index of refraction of a higher value than the embedding second dielectric material. The optically coupled waveguide elements are arranged and configured for receiving optical radiation in the desired wavelength range from the BEOL coupling section or the FEOL coupling section by coupling the optical radiation into at least one of the waveguide elements, and for cooperatively forming and sustaining, using the coupled optical radiation, one or more supermodes of optical radiation that vertically extend across the vertical stack of coupled optically coupled waveguide elements, and for coupling the one or more supermodes into the FEOL coupling section or the BEOL coupling section, respectively.

25. 发明申请

WO2022233720A1 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BACK SIDE PROTECTION MECHANISM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022233720A1
公开(公告)日：2022-11-10
申请号：PCT/EP2022/061452
申请日：2022-04-29
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN
发明人： HERFURTH, Norbert , LISKER, Marco , AMINI, Elham , BOIT, Christian , SEIFERT, Jean-Pierre
IPC分类号： H01L25/16 , H01L31/167 , H01L33/00 , H01L23/00 , G06F21/87 , H01L33/22 , H01L33/62
摘要： The invention relates to a semiconductor device (100) comprising: a substrate stack (122) comprising two permanently bonded semiconductor bodies (102, 104), which are stacked in a depth direction that points perpendicularly from a front side (108) towards a back side (110) of the substrate stack, and which share a buried bonding interface (106) that extends at a respective distance from the front side and the back side and substantially parallel thereto; wherein: - a first of the two semiconductor bodies, hereinafter the protection body (104), comprises an active region (113) with one or more light emitters (112) at the buried bonding interface, and a light absorption region (114), which follows the active region in the depth direction and is opaque for light emitted from the one or more light emitters; - a second of the two semiconductor bodies, hereinafter the circuit body (102), extends from the buried bonding interface to the front side of the substrate stack, is transmissive for the light emitted from the one or more light emitters, and comprises at least one light detector (118, 120) at the front side of the substrate stack, which is configured provide a detector signal indicative of a detected light intensity of light emitted from the one or more light emitters and transmitted through the circuit body. The semiconductor device (100) further comprises a driver unit that is configured to drive operation of the light emitters using predetermined operation parameters.

26. 发明申请

WO2016124489A1 INHOMOGENE ÜBERTRAGUNGSLEITUNG ZUR POSITIONSAUFGELÖSTEN PERMITTIVITÄTSBESTIMMUNG EINES MESSOBJEKTES 审中-公开
标题翻译：用于位置不均匀的输电线路已解决PERMITTIVITÄTSBESTIMMUNG被测物体
公开(公告)号：WO2016124489A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/EP2016/051887
申请日：2016-01-29
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MELIANI, Chafik , GUHA, Subhajit , FARABI, Ibne, Jamal
IPC分类号： G01N27/22 , G01N22/00 , G01N33/487
CPC分类号： G01R27/32 , G01N15/1031 , G01N22/00 , G01N33/48728
摘要： Messträger und Messvorrichtung für eine ortsaufgelöste messtechnische Ermittlung einer von der dielektrischen Permittivität eines auf den Messträger aufzulegenden Messobjektes abhängigen Messgröße. Der Messträger hat eine Auflage mit einer Messauflagefläche, auf die das Messobjekt aufgelegt werden kann, sowie eine die Messauflagefläche ganz oder teilweise bildende Mess-Übertragungsleitung, die zur Übertragung eines am Eingangsport einkoppelbaren elektromagnetischen Hochfrequenz-Messsignals als eine elektrische Reihenschaltung einer Vielzahl Übertragungsleitungszellen ausgebildet ist. Die Messauflagefläche ist zellenförmig strukturiert, wobei jede der Übertragungsleitungszellen der Mess-Übertragungsleitung für sich betrachtet in einem messobjektfreien Zustand bezüglich des Hochfrequenz-Messsignals eine zellenindividuelle Ausbreitungskonstante aufweist, die von den jeweiligen zellenindividuellen Ausbreitungskonstanten der anderen Übertragungsleitungszellen verschieden ist, und ausgebildet ist, in einem Mess-Zustand bei Aufliegen des Messobjekts auf der Übertragungsleitungszelle eine im Vergleich mit dem messobjektfreien Zustand verschiedene zellenindividuelle Ausbreitungskonstante anzunehmen.
摘要翻译：测量载体和用于空间分辨计量判定测量装置，其取决于aufzulegenden对测量载波测量对象测量的变量的介电常数。所述测量光束具有带测量支撑表面在其上可放置待测量的对象，以及所测得的接触表面完全或部分地形成用于发送测量传输线被形成为多个传输线单元中的所述输入端口einkoppelbaren电磁高频测量信号中的串联电连接的焊盘。测量支撑表面被构造细胞形的，其中，每个在测量分别考虑所述测量传输线的传输线单元的对象自由状态相对于所述高频测量信号包括细胞单独传播常量，它是从其他传输线单元的各个体的传播常数不同，并且在测量形成接受状态在传输线路上的测量对象的细胞与测量无物体的状态相比，各种细胞个体传播常数的休息。

27. 发明申请

WO2014102260A1 CHIP-ANTENNE, ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 审中-公开
标题翻译：芯片天线，用于生产电子元件和过程
公开(公告)号：WO2014102260A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/EP2013/077951
申请日：2013-12-23
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： WANG, Ruoyu , SUN, Yaoming , SCHEYTT, Johann Christoph , KAYNAK, Mehmet
IPC分类号： H01Q1/22 , H01Q9/42 , H01Q21/06 , H01Q1/42 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01L23/66
CPC分类号： H01Q1/38 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q1/42 , H01Q19/10 , H01Q21/0093 , H01Q21/062 , H01L2924/00
摘要： Chipantenne (102), umfassend mindestens einen Strahler (114,116), der sich parallel zu einer Hauptoberfläche eines die Chipantenne tragenden Halbleitersubstrats (104) erstreckt, wobei der Strahler auf einer inselartigen Trägerzone (122,124) des Halbleitersubstrats angeordnet ist, die von mindestens einem vollständig mit einem Gas gefüllten Graben (126,128) umgeben ist, welcher das Halbleitersubstrat in dessen gesamter Tiefenerstreckung durchdringt und durch mindestens einen Haltesteg (130,132,134,136) überbrückt ist, welcher eine tragende Verbindung zwischen der Trägerzone und dem übrigen Halbleitersubstrat bildet.
摘要翻译：芯片天线（102），包括至少一个辐射（114,116）平行于所述芯片天线支承半导体衬底（104），其中，所述散热器设置在所述半导体衬底的岛状支承区（122,124），与所述至少一个完全的主表面填充气体的沟槽（126,128）被包围，贯通所述半导体基板在其整个深度延伸，并通过形成在支撑区和半导体衬底的其余部分之间的承载连接的至少一个保持接片（130132134136）桥接。

28. 发明申请

WO2014064275A1 INDIVIDUALISIERTE SPANNUNGSVERSORGUNG VON BAUELEMENTEN INTEGRIERTER SCHALTUNGEN ALS SCHUTZMAßNAHME GEGEN SEITENKANALANGRIFFE 审中-公开
标题翻译：个性化的电源元器件集成电路AS防侧信道攻击的保护措施
公开(公告)号：WO2014064275A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072447
申请日：2013-10-25
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： DYKA, Zoya , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H01L23/00 , H01L27/02
CPC分类号： H01L23/573 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L23/53204 , H01L27/0292 , H01L27/11807 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Halbleitervorrichtung, insbesondere eine integrierte Schaltung mit Schutz gegen Seiten- kanalangriffe, insbesondere Imaging- und Probing-basierte Angriffe, EMA und Reverse Engineering wobei eine metallisch leitfähige Schicht einer ersten (104) und/oder einer zweiten Potentialzuführung (106) mit allen Schaltungskomponenten jeweils einzeln über jeweils individuelle Leitbahnstrukturen (V1, V2) direkt verbunden sind.
摘要翻译：一种半导体装置，在具有防止侧信道攻击，特别是成像和特定的集成电路的探测基于攻击，EMA和逆向工程，其中的一个第一（104）金属导电层和/或与所有电路元件的第二电位供给（106）各自独立地在每个单独的导体结构（V1，V2）被直接连接。

29. 发明申请

WO2013117765A3 HALBLEITERBAUELEMENTE MIT STEILEM PHOSPHOR-PROFIL IN EINER GERMANIUMSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2013117765A3
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2013/052699
申请日：2013-02-11
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： YAMAMOTO, Yuji , TILLACK, Bernd
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/22 , H01L29/167 , H01L29/165 , H01L29/864 , H01L21/329 , H01L31/0288 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L33/02 , H01S5/30 , H01L33/00 , H01L33/34
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement ein Verfahren zur Begrenzung einer Dotierstoff-Diffusion, insbesondere einer Phosphor-Diffusion in Germanium. Erfindungsgemäß wird dazu ein Si-Spike verwendet.

30. 发明申请

WO2010089179A1 PRÜFSCHALTUNG ZUR PRÜFUNG EINER DURCHFÜHRUNG EINES HANDSHAKE-PROTOKOLLS UND VERFAHREN ZUR PRÜFUNG EINER DURCHFÜHRUNG EINES HANDSHAKE-PROTOKOLLS 审中-公开
标题翻译：用于测试的握手协议的实施实施握手协议和方法，测试电路测试
公开(公告)号：WO2010089179A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/EP2010/050524
申请日：2010-01-18
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , ZEIDLER, Steffen
发明人： ZEIDLER, Steffen
IPC分类号： G06F11/267 , H04L1/24
CPC分类号： H04L1/24 , G06F11/221 , H04L1/16
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Prüfschaltung für ein Handshake-Protokoll. Die Prüfschaltung detektiert übliche Fehler, die bei der Durchführung des Handshake-Protokolls von zwei Kommunikationseinheiten auftreten. Die Prüfschaltung zeichnet sich durch einen kompakten Schaltungsaufbau aus, der eine verringerte Anfälligkeit für Schaltungsfehler und einen stark reduzierten Flächenbedarf mit sich bringt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Prüfung der Durchführung des Handshake-Protokolls.
摘要翻译：本发明涉及一种测试电路，用于握手协议。测试电路检测进行的两个通信单元的握手协议时发生的正常错误。测试电路的特征在于紧凑的电路配置，其带来了敏感性降低电路的错误和与它大大减少空间的需求。此外，本发明涉及用于测试握手协议的性能的方法。

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