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1. 发明申请

WO2013117765A3 HALBLEITERBAUELEMENTE MIT STEILEM PHOSPHOR-PROFIL IN EINER GERMANIUMSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2013117765A3
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2013/052699
申请日：2013-02-11
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： YAMAMOTO, Yuji , TILLACK, Bernd
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/22 , H01L29/167 , H01L29/165 , H01L29/864 , H01L21/329 , H01L31/0288 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L33/02 , H01S5/30 , H01L33/00 , H01L33/34
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement ein Verfahren zur Begrenzung einer Dotierstoff-Diffusion, insbesondere einer Phosphor-Diffusion in Germanium. Erfindungsgemäß wird dazu ein Si-Spike verwendet.

2. 发明申请

WO2015140329A1 HERSTELLUNG VON HALBLEITER-AUF-ISOLATOR-SCHICHTSTRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：生产绝缘体上半导体薄层结构
公开(公告)号：WO2015140329A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/EP2015/056006
申请日：2015-03-20
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： YAMAMOTO, Yuji , TILLACK, Bernd
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： Verfahren zur Herstellung einer germaniumhaltigen Gruppe-IV-Halbleiterschicht auf einem Isolator,umfassend die Schritte:Bereitstellen eines Substrates (110), das eine Si- Schicht (120) auf einer vergrabenen Isolatorschicht (115) aufweist, und einer Deckschicht (130) auf der Si-Schicht (120) des Substrats (110), Ausformen mindestens eines Mesas (140), der eine Mesa-Deckschicht (130) und eine Mesa-Si-Schicht (120) hat, durch mas- kiertes Freilegen der vergrabenen Isolatorschicht (115) von der Deckschicht her, Ausfor- men einer Kavität (150) im Mesa (140) unter der Mesa-Deckschicht, durch lateral be- grenztes, vertikal aber vollständiges Entfernen der Mesa-Si-Schicht unter der Mesa- Deckschicht, wodurch in der Kavität mindestens eine Seitenfläche (125) der Mesa-Si- Schicht freiliegt, laterales epitaktisches Aufwachsen einer germaniumhaltigen Gruppe-IV- Halbleiterschicht (160) ausgehend von der so gebildeten Seitenfläche der Mesa-Si- Schicht.
摘要翻译：一种用于在绝缘体上制造含锗基IV族半导体层，包括以下步骤：a掩埋绝缘体层上提供衬底（110）（115）包括硅层（120），并且在覆盖层（130）所述衬底（110）的硅层（120），形成至少一个台面具有台面帽层（130）和一个台面-Si层（120）（质量kiertes暴露掩埋绝缘体层115（140））从台面顶部层的台面（140），覆盖层提出Ausfor-（空腔150）的人通过横向装车垂直封闭但完全除去台面-Si层的台面顶部层，下面这在台面-Si层的空腔中的至少一个侧表面（125）被暴露从台面-Si层的这样形成的侧面开始含锗基IV族半导体层（160）的，横向外延生长。

3. 发明申请

WO2012122981A1 ELEKTROOPTISCHER MODULATOR 审中-公开
标题翻译：电光调制器
公开(公告)号：WO2012122981A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/DE2012/200012
申请日：2012-03-02
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN , IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , MEISTER, Stefan , AL-SAADI, Aws , EICHLER, Hans, Joachim , FRANKE, Bülent , ZIMMERMANN, Lars , TILLACK, Bernd
发明人： MEISTER, Stefan , AL-SAADI, Aws , EICHLER, Hans, Joachim , FRANKE, Bülent , ZIMMERMANN, Lars , TILLACK, Bernd
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrooptischen Modulator (10) zum Modulieren optischer Strahlung einer vorgegebenen Wellenlänge, wobei der elektrooptische Modulator (10) mindestens einen optischen Resonator (20) aufweist, in dem sich für die vorgegebene Wellenlänge eine stehende optische Welle ausbilden kann. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass in dem Resonator zumindest zwei dotierte Halbleiterabschnitte (33, 34) - in Längsrichtung des Resonators gesehen - beabstandet zueinander angeordnet sind und sich die zumindest zwei dotierten Halbleiterabschnitte jeweils lokal in einem Intensitätsminimum der stehenden optischen Welle befinden.
摘要翻译：本发明涉及用于调节预定波长的光辐射的电光调制器（10），其中，所述电光调制器（10）包括至少一个光学谐振器（20），其中可形成用于预定波长的驻波光波。根据本发明，提供的是在谐振器的至少两个掺杂半导体部分（33，34） - 在谐振器的纵向方向看 - 都间隔开布置，并且所述的至少两个掺杂半导体部分分别在强度最小值的驻波光波的位于本地。

4. 发明申请

WO2011128188A2 MIKROELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： MICRO电子元件
公开(公告)号：WO2011128188A2
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/054362
申请日：2011-03-22
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KAYNAK, Mehmet , TILLACK, Bernd , SCHOLZ, René
发明人： KAYNAK, Mehmet , TILLACK, Bernd , SCHOLZ, René
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00587 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2201/014
摘要： In einem Verfahren zur Herstellung eines MEMS Bauelements, bei dem im Zuge einer Herstellung des Mehrebenen-Leitbahnschichtstapels zur Verbindung mikroelektronischer Schaltungen gleichzeitig später freizulegende mikromechanische Strukturelemente (7, 8, 9) eingebettet werden, wird anschließendeine Ausnehmung von einer Substratrückseite (R) bis zur dem Mehrebenen-Leitbahnschichtstapel hergestellt, und dann die mikromechanischen Strukturelemente im Mehrebenen-Leitbahnschichtstapel durch die Ausnehmung hindurch freigelegt. Zur Erhöhung der Prozessgenauigkeit wird schon im Zuge der Herstellung des Mehrebenen-Leitbahnschichtstapels oder sogar im Front end of Line eine Referenzmaske (22) zur Definition einer lateralen Position oder einer lateralen Erstreckung derfreizulegenden mikromechanischen Strukturelemente (7, 8, 9) hergestellt, wobei die Referenzmaske (22) auf der Substratvorderseite zwischen dem Substrat und dem Mehrebenen-Leitbahnschichtstapel oder in einer im Vergleich mit dem Strukturelement dem Substrat (1) näher gelegenen Schicht des Mehrebenen- Leitbahnschichtstapels angeordnet wird.
摘要翻译：被嵌入在一种用于制造MEMS装置，其中在生产所述多级Leitbahnschichtstapels的用于同时或随后连接微电子电路的过程中被暴露的微机械的结构元件（7，8，9），在基板背面侧的anschließendeine凹部（R）的多级Leitbahnschichtstapel制备，然后通过在所述多级Leitbahnschichtstapel通过凹部微机械结构元件露出。为了提高加工精度是已经在生产多级Leitbahnschichtstapels的过程中或甚至在线路的前端的基准掩模（22），以限定一个横向位置或侧向延伸derfreizulegenden微机械结构元件（7，8，9），使用参考掩模（22）被设置在所述基板和所述多级Leitbahnschichtstapel之间或在与基板（1）更接近多级Leitbahnschichtstapels的层的结构元件的比较基板正面。

5. 发明申请

WO2011069988A2 ELEKTROMECHANISCHER MIKROSCHALTER ZUR SCHALTUNG EINES ELEKTRISCHEN SIGNALS, MIKROELEKTROMECHANISCHES SYSTEM, INTEGRIERTE SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：机电微动开关，用于切换电信号，微机电系统，集成电路和方法用于制造集成电路
公开(公告)号：WO2011069988A2
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/069019
申请日：2010-12-07
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KAYNAK, Mehmet , BIRKHOLZ, Mario , TILLACK, Bernd , EHWALD, Karl-Ernst , SCHOLZ, René
发明人： KAYNAK, Mehmet , BIRKHOLZ, Mario , TILLACK, Bernd , EHWALD, Karl-Ernst , SCHOLZ, René
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01H1/0036
摘要： Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches System (MEMS) (100, 200) mit einem elektromechanischen Mikroschalter (1) zur Schaltung eines elektrischen Signals (S), insbesondere eines Radiofrequenz-Signals (RFMEMS), insbesondere im GHz-Bereich. Dieses weist erfindungsgemäß auf: einen auf einem Substrat (101, 201) angeordneten Mehrebenen-Leitbahnschichtstapel (102, 202), dessen Leiterbahnen (111-115, 211-215) in verschiedenen Leitungsebenen (M1-M5) mit elektrisch isolierende Schichten (103, 203) gegeneinander isoliert und über Via-Kontakte (104, 204) elektrisch miteinander verbunden sind, den in einer Ausnehmung (105, 205) des Mehrebenen-Leitbahnschichtstapels (102, 202) integrierten elektromechanischen Schalter (1) mit einer Kontaktschwinge (10), einem Gegenkontakt (20) und wenigstens einer Antriebselektrode (30, 50) für die Kontaktschwinge (10), wobei die Kontaktschwinge (10), der Gegenkontakt (20) und die wenigstens eine Antriebselektrode (30, 50) jeweils Teil einer Leitungsebene (M1-M5) des Mehrebenen-Leitbahnschichtstapels (102, 202) ist.
摘要翻译：
本发明涉及一种微机电系统，其具有在GHz用于切换电信号（S）微机电开关（1），特别是射频信号（RFMEMS），特别是（MEMS）（100，200）范围。这包括根据本发明。在一个基片上（101，201）在不同的导体平面（M1-M5）与相对于彼此的电绝缘层（103，203），其设置多级Leitbahnschichtstapel（102，202），其印制导线（111-115，211-215）分离并用经由触点（104,204）电连接到彼此以在多级Leitbahnschichtstapels的凹部（105，205）（102，202）集成的机电开关（1）具有接触摇杆（10），一个相对接触（20）和至少一个驱动电极（30，50），用于导航使用r是接触摇杆（10），其中所述接触摇杆（10），所述配合触头（20）和所述至少一个驱动电极（30，50）是一个管理层次的每个部分（M1 -M5）。多级互连层堆栈（102,202）。

6. 发明授权

EP2558406B1 MIKROELEKTRONISCHES BAUELEMENT 有权
公开(公告)号：EP2558406B1
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：EP11709422.7
申请日：2011-03-22
申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： KAYNAK, Mehmet , TILLACK, Bernd , SCHOLZ, René
IPC分类号： B81C1/00

7. 发明公开

EP2510532A2 ELEKTROMECHANISCHER MIKROSCHALTER ZUR SCHALTUNG EINES ELEKTRISCHEN SIGNALS, MIKROELEKTROMECHANISCHES SYSTEM, INTEGRIERTE SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG 失效
标题翻译：机电微动开关，用于切换电信号，微机电系统，集成电路和方法用于制造集成电路
公开(公告)号：EP2510532A2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：EP10787759.9
申请日：2010-12-07
申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： KAYNAK, Mehmet , BIRKHOLZ, Mario , TILLACK, Bernd , EHWALD, Karl-Ernst , SCHOLZ, René
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01H1/0036
摘要： The invention relates to a microelectromechanical system (MEMS) (100, 200) having an electromechanical microswitch (1) for switching an electrical signal (S), in particular a radio frequency signal (RFMEMS), in particular in the GHz range. Said system comprises, according to the invention: a multi-level conductor stack (102, 202) disposed on a substrate (101, 201), the conductors (111-115, 211-215) thereof being insulated from each other in different conductor levels (M1-M5) by means of electrically insulating layers (103, 203) and electrically connected to each other by means of interlayer contacts (104, 204), the electromechanical switch (1) integrated in a recess (105, 205) of the multilevel conductor stack (102, 202) and having a contact link (10), a counter-contact (20), and at least one drive electrode (30, 50) for the contact link (10), wherein the contact link (10), the counter-contact (20), and the at least one drive electrode (30, 50) each are part of a conductor level (M1-M5) of the multilevel conductor stack (102, 202).

8. 发明授权

EP1116278B1 BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 有权
标题翻译：双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：EP1116278B1
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：EP99955792.9
申请日：1999-09-20
申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： DREWS, Jürgen , TILLACK, Bernd , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/66242 , H01L29/7322 , H01L29/7378
摘要： The invention relates to a bipolar transistor and a method for producing same. The aim of the invention is to provide a bipolar transistor and a method for producing same, which during the use of a single-process poly-silicon technology with differential epitaxis for the production of bases overcomes the disadvantages of conventional systems, so as notably further to improve the high-speed properties of a bipolar transistor, provide the most conductive connections possible between the metal contacts and the active (internal) transistor region as well as a minimized passive transistor surface, while at the same time avoiding greater process complexity and increased contact resistances. To this end a surface relief is produced in the active emitter region by a wet-chemical process. A single-process poly-silicon bipolar transistor having a base produced by epitaxis in accordance with the invention permits a reduction in external base resistance without causing a deterioration in emitter properties. Because the internal and external base regions are deposited continuously no interface problems arise during connection of the base. Base-collector capacity can also be lowered.

9. 发明授权

EP1415332B1 Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen dünner epitaktischer Halbleiterschichten 有权
标题翻译：方法和装置用于制造薄的外延半导体层
公开(公告)号：EP1415332B1
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：EP02779254.8
申请日：2002-07-25
申请人： IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： TILLACK, Bernd , WOLANSKY, Dirk , RITTER, Georg , GRABOLLA, Thomas
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/32 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/0218 , C23C16/54 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要： The invention relates to a method and devices for the production of diffusion-inhibiting epitactic semiconductor layers. The aim of the invention is to provide a method and devices which are used to produce thin diffusion-inhibiting epitactic semiconductor layers on large substrates commonly used in semiconductor engineering at a high industrial manufacturing throughput rate for typical HBT stacks. According to the invention, the surfaces of the semiconductor substrates to be coated are initially cleaned. The cleaned semiconductor substrates are then heated to a first temperature (pre-bake temperature), which is higher than the temperature of the subsequent step, in a low-pressure batch reactor and the surfaces to be coated undergo a hydrogen pre-bake process at a lower, same or higher reactor pressure in comparison with the subsequent procedural step in order to remove air oxide and other impurities. In the next step, the pre-treated semiconductor substrates are heated to a second temperature which is lower in comparison with the previous procedural step (deposition temperature) in a low pressure, hot or warm wall batch reactor. Once a thermodynamic balance is achieved for the surfaces to be coated, the diffusion-inhibiting semiconductor layers are deposited in a chemical deposition process (CVD) at a reactor pressure which is higher, the same as or lower than that of the previous procedural step.

10. 发明授权

EP2684095B1 ELEKTROOPTISCHER MODULATOR 有权转让
标题翻译：电光调制器
公开(公告)号：EP2684095B1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：EP12713580.4
申请日：2012-03-02
申请人： Technische Universität Berlin , IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
发明人： MEISTER, Stefan , AL-SAADI, Aws , EICHLER, Hans, Joachim , FRANKE, Bülent , ZIMMERMANN, Lars , TILLACK, Bernd
IPC分类号： G02F1/225 , G02F1/025
CPC分类号： G02F1/2257 , G02F1/015 , G02F1/025 , G02F1/218 , G02F2001/0152 , G02F2001/0155 , G02F2001/213

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