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21. 发明申请

WO2010006849A3 PROCESS FOR MANUFACTURING A COMPONENT, PROCESS FOR MANUFACTURING A COMPONENT ARRANGEMENT, COMPONENT AND COMPONENT ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：制造构件的方法，制造构件的方法，构件和构件
公开(公告)号：WO2010006849A3
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/EP2009057106
申请日：2009-06-09
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , KRAMER TORSTEN , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , HAAG FRIEDER , ARMBRUSTER SIMON
发明人： KRAMER TORSTEN , PINTER STEFAN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , HAAG FRIEDER , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C99/008 , B81B7/0006 , B81B2207/093
摘要： The invention proposes a process for manufacturing a component, wherein, in a first manufacturing step, a basic structure having a substrate, a membrane and a cavern region is provided, wherein the membrane is arranged substantially parallel to a plane of principal extent of the substrate, wherein the cavern region is arranged between the substrate and the membrane, wherein the cavern region has an access opening and wherein, in a second manufacturing step, a first conductive layer is arranged at least partially in the cavern region and, in particular, on a second side of the membrane which faces towards the substrate perpendicularly to the plane of principal extent.
摘要翻译：它提出了一种方法，用于制造装置，其特征在于，提供了一种基本结构，其包括一基板，一隔膜和在第一制造工序的腔体区域，其中所述膜基本上平行于所述衬底的主平面设置，所述基板和所述隔膜之间被布置在腔体区域，所述具有接入开口，并且其中的第一导电层被布置在至少部分地在腔区域中的第二制造工序，特别是垂直地朝向所述膜的第二侧的主延伸面的衬底上腔区域。

22. 发明申请

WO2009149980A4 METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE WITH ACCESS FROM THE REAR OF THE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK
公开(公告)号：WO2009149980A4
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/EP2009054698
申请日：2009-04-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , KRAMER TORSTEN , AHLES MARCUS , GRUNDMANN ARMIN , KNESE KATHRIN , BENZEL HUBERT , SCHUERMANN GREGOR , ARMBRUSTER SIMON
发明人： KRAMER TORSTEN , AHLES MARCUS , GRUNDMANN ARMIN , KNESE KATHRIN , BENZEL HUBERT , SCHUERMANN GREGOR , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： The invention proposes a particularly simple, cost-effective method for producing a micromechanical membrane structure with access from the rear of the substrate. Said method is based on a p-doped Si substrate (1) and comprises the following process steps: n-doping of at least one continuous lattice-type region (2) of the substrate surface; porous etching of a substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); creation of a cavity (7) in said substrate region (5) below the n-doped lattice structure (2); growing of a first monocrystalline silicon epitaxial layer (8) on the n-doped lattice structure (2). The invention is characterised in that at least one opening (6) in the n-doped lattice structure (2) is dimensioned in such a way that it is not closed by the growing first epitaxial layer (8) and instead forms an access opening (9) to the cavity (7); an oxide layer (10) is created on the cavity wall; A rear face access (13) to the cavity (7) is created, the oxide layer (10) acting as an etch stop layer; and the oxide layer (10) is removed in the region of the cavity (7) producing a rear face access (13) to the membrane structure (14) lying above the cavity (7).
摘要翻译：本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenwandung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenwandung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

23. 发明申请

WO2010046233A1 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON MONOKRISTALLINEN PIEZOWIDERSTÄNDEN UND DRUCKSENSORELEMENTE MIT SOLCHEN PIEZOWIDERSTÄNDEN 审中-公开
标题翻译：用于生产镍单晶压电电阻器和压力传感器元件这样的压敏电阻
公开(公告)号：WO2010046233A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/EP2009/063034
申请日：2009-10-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： G01L9/00 , H01L21/762
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Erzeugen von monokristallinen Piezowiderständen in der Oberfläche einer monokristallinen Siliziumschicht vorgeschlagen, die durch eine Isolationsschicht gegen das umliegende Substrat elektrisch isoliert sind und damit auch im Hochtemperaturbereich zu Messzwecken eingesetzt werden können. Erfindungsgemäß wird zunächst mindestens eine Dotierung in den Widerstandsbereich der Siliziumoberfläche eingebracht. Dann wird eine elektrische Isolation (23) des dotierten Widerstandsbereichs (21) gegen das angrenzende Silizium erzeugt. Dazu wird zumindest ein sich an den dotierten Widerstandsbereich (21) anschließender und sich unterhalb des dotierten Widerstandsbereichs (21) erstreckender Bereich (23) der Siliziumschicht (10) porös geätzt. Dieses poröse Silizium wird schließlich oxidiert.
摘要翻译：利用本发明，一种用于在单晶硅层的表面上产生单晶压电电阻器的方法，提出了，这是由相对于周围基板的绝缘层电绝缘，因此可在高温度范围内使用用于测量目的。根据本发明，至少一种掺杂剂首先被引入到硅表面的电阻器面积。然后，将掺杂的阻力区（21）的电绝缘（23）抵靠相邻的硅制造。为此目的进行蚀刻，随后延伸和掺杂电阻区域下面的硅层（21）的区域（23）（10）是多孔的，至少在掺杂阻力区（21）。该多孔硅最终氧化。

24. 发明申请

WO2009127455A3 METHOD FOR PRODUCING A MICROMECHANICAL MEMBRANE STRUCTURE HAVING FIXED COUNTER ELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有硬立靠在元微机械膜结构
公开(公告)号：WO2009127455A3
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/EP2009051774
申请日：2009-02-16
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , FISCHER MARTIN , REINMUTH JOCHEN , KNESE KATHRIN , ARMBRUSTER SIMON
发明人： FISCHER MARTIN , REINMUTH JOCHEN , KNESE KATHRIN , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： The present invention proposes a method for producing a micromechanical membrane structure (11) having a fixed counter element (12), which starts from a p-doped silicon substrate (1). Said method comprises the following processing steps: n-doping of at least one coherent latticed area (2) of the substrate surface; (Figure 1a) porous etching of a substrate area (3) below the n-doped lattice structure (2); (Figures 1b-c) oxidation of the porous silicon; (Figure 1d) generating at least one sacrificial layer (5) above the n-doped lattice structure (2); (Figure 1e) depositing and structuring at least one thick epitaxial layer (7); (Figures 1f-g) removing the sacrificial layer (5) between the thick epitaxial layer (7) and the n-doped lattice structure (2) and generating a cavity (10) in the silicon substrate (1) below the n-doped lattice structure (2) by removing the oxidized porous silicon (oxPorSi); (Figure 1h) so that the exposed n-doped lattice structure (2) forms a membrane structure (11) and at least one fixed counter element (12) is implemented in the structured thick epitaxial layer (7).
摘要翻译：与本发明的用于制造微机械膜结构（11）具有固定的计数器元件（12）的方法，提出了从p掺杂的Si衬底开始（1）。该方法包括以下工艺步骤 - n掺杂至少一个有凝聚力的网格区域（2）在基板表面的; （图1a）是多孔的蚀刻n型掺杂的晶格结构（2）下方的衬底部分（3）; （图1b-C）多孔硅的氧化; （图1d） - 通过n型掺杂的晶格结构生成至少一个牺牲层（5）（2）; （图1E）的沉积和至少一个厚的外延层的图案（7）; （图LF-g）除去厚的外延层（7）和所述n型掺杂的晶格结构之间的牺牲层（5）（2）和在所述Si基板（1）下方的n型掺杂的光栅结构产生的腔体（10）（ 2）通过除去已氧化的多孔硅（oxPorSi）; 是（11）（小时图），使得露出的n型晶格结构（2）的膜的结构和在结构化厚的外延层（7）的至少一个固定的反元件（12）。

25. 发明申请

WO2009149980A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK
公开(公告)号：WO2009149980A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/054698
申请日：2009-04-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein besonders einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur mit Zugang von der Substratrückseite vorgeschlagen. Dieses Verfahren geht von einem p-dotierten Si-Substrat (1) ausgeht und umfasst die folgenden Prozessschritte: n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche, porös Ätzen eines Substratbereichs (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2), Erzeugen einer Kaverne (7) in diesem Substratbereich (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); Aufwachsen einer ersten monokristallinen Silizium-Epitaxieschicht (8) auf der n-dotierten Gitterstruktur (2). Es ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Öffnung (6) der n-dotierten Gitterstruktur (2) so dimensioniert wird, dass sie durch die aufwachsende erste Epitaxieschicht (8) nicht verschlossen wird sondern eine Zugangsöffnung (9) zu der Kaverne (7) bildet; dass auf der Kavernenwandung eine Oxidschicht (10) erzeugt wird; dass ein Rückseitenzugang (13) zur Kaverne (7) erzeugt wird, wobei die Oxidschicht (10) auf der Kavernenwandung als Ätzstoppschicht dient; und dass die Oxidschicht (10) im Bereich der Kaverne (7) entfernt wird, so dass ein Rückseitenzugang (13) zu der über der Kaverne (7) ausgebildeten Membranstruktur (14) entsteht.
摘要翻译：本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenwandung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenwandung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

26. 发明申请

WO2008131981A3 MICROMECHANICAL MEMBRANE SENSOR WITH REDUCED STRAY CAPACITANCE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：具有减少杂散电容以及相应方法，微机械膜片传感器
公开(公告)号：WO2008131981A3
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/EP2008052467
申请日：2008-02-29
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , KNESE KATHRIN , WEBER HERIBERT , ARMBRUSTER SIMON
发明人： KNESE KATHRIN , WEBER HERIBERT , ARMBRUSTER SIMON
IPC分类号： B81B3/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要： The invention relates to a micromechanical component comprising a conductive substrate (1); a first conductive layer (4) which is provided above the substrate (1) and forms, above a cavity (2) provided in the substrate (1), an elastically deflectable membrane region (4a) consisting of a monocrystalline silicon and an adjacent peripheral region (4b); a strip conductor plane (12; 12a) provided above the first conductive layer (4) and electrically insulated from same (4), the strip conductor plane (12; 12a) comprising a first electrode region (EB1) above the membrane region (4a), and a first connection region (AB1; AB1') arranged above the peripheral region (4b), and electrically connected to same; and a second conductive layer (6) which is provided above the strip conductor plane (12) and comprises a second electrode region (EB2; EB2') above the membrane region (4a), the second electrode region being electrically insulated from the first electrode region (EB1) and comprising a second connection region (AB2; AB2') above the peripheral region (4b), which is electrically insulated from the second electrode region (EB2; EB2') and electrically connected to the first connection region (AB1; AB1'). The invention also relates to a corresponding production method.
摘要翻译：本发明提供具有导电性基体（1）的微机械部件; 其被设置在衬底上方的第一导电层（4）（1）和（1）中提供的模腔（2）具有单晶硅和相邻的外围区域的可弹性偏转的隔膜区域（4A）（4B）形式的衬底; 的导体轨道平面（12; 12A），其被所述第一导电层（4）从第一导电层（4）电绝缘，在提供其中所述互连层（12; 12A）上具有第一电极区域内的膜片部（4A）（EB1）包括：并在周边区域（4B）在其上的第一连接区域（AB1“AB1）电连接; 具有（从被在导体轨道面（12），其中所述第二导电层（6）的膜片区域上述（4A）具有第二电极区域（EB2“EB2）中提供的第一电极区域EB1，以及第二导电层（6））是电隔离，并且该外围区域（4b）中的第二连接区域（AB2; AB2“），其（从第二电极区域EB2; EB2”）是电绝缘的和（与第一终端部AB1; AB1“）电连接是。本发明还提供了相应的制造方法。

27. 发明申请

WO2008131981A2 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：微机械结构及相应方法
公开(公告)号：WO2008131981A2
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/EP2008/052467
申请日：2008-02-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KNESE, Kathrin , WEBER, Heribert , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KNESE, Kathrin , WEBER, Heribert , ARMBRUSTER, Simon
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要： Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit einem leitfähigen Substrat (1); einer ersten leitfähigen Schicht (4), welche über dem Substrat (1) vorgesehen ist und über einem im Substrat (1) vorgesehenen Hohlraum (2) einen elastisch auslenkbaren Membranbereich (4a) aus monokristallinem Silizium und daran angrenzend einen Peripheriebereich (4b) bildet; einer Leiterbahnebene (12; 12a), welche über der ersten leitfähigen Schicht (4) elektrisch isoliert von der ersten leitfähigen Schicht (4) vorgesehen ist, wobei die Leiterbahnebene (12; 12a) über dem Membranbereich (4a) einen ersten Elektrodenbereich (EB1) und über dem Peripheriebereich (4b) einen elektrisch damit verbundenen ersten Anschlussbereich (AB1; AB1 ') aufweist; und einer zweiten leitfähigen Schicht (6), welche über der Leiterbahnebene (12) vorgesehen ist, wobei die zweite leitfähige Schicht (6) über dem Membranbereich (4a) einen zweiten Elektrodenbereich (EB2; EB2') aufweist, der vom ersten Elektrodenbereich (EB1) elektrisch isoliert ist, und über dem Peripheriebereich (4b) einen zweiten Anschlussbereich (AB2; AB2') aufweist, der vom zweiten Elektrodenbereich (EB2; EB2') elektrisch isoliert ist und der mit dem ersten Anschlussbereich (AB1; AB1') elektrisch verbunden ist. Die Erfindung schafft ebenfalls ein entsprechendes Herstellungsverfahren.
摘要翻译：本发明提供具有导电性基体（1）的微机械部件; 其被设置在衬底上方的第一导电层（4）（1）和（1）中提供的模腔（2）具有单晶硅和相邻的外围区域的可弹性偏转的隔膜区域（4A）（4B）形式的衬底; 的导体轨道平面（12; 12A），其被所述第一导电层（4）从第一导电层（4）电绝缘，在提供其中所述互连层（12; 12A）上具有第一电极区域内的膜片部（4A）（EB1）包括：并在周边区域（4B）在其上的第一连接区域（AB1“AB1）电连接; 具有（从被在导体轨道面（12），其中所述第二导电层（6）的膜片区域上述（4A）具有第二电极区域（EB2“EB2）中提供的第一电极区域EB1，以及第二导电层（6））是电隔离，并且该外围区域（4b）中的第二连接区域（AB2; AB2“），其（从第二电极区域EB2; EB2”）是电绝缘的和（与第一终端部AB1; AB1“）电连接是。本发明还提供了相应的制造方法。

28. 发明申请

WO2008086907A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008086907A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/EP2007/062452
申请日：2007-11-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.
摘要翻译：本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

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