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    • 14. 发明授权
      US07855140B2 Method of forming vias in semiconductor substrates and resulting structures 有权
    • Method of forming vias in semiconductor substrates and resulting structures
    • 在半导体衬底和结构中形成通孔的方法
    • US07855140B2
    • 2010-12-21
    • US11781083
    • 2007-07-20
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • H01L21/4763
    • H01L21/76898
    • Methods for forming through vias in a semiconductor substrate and resulting structures are disclosed. In one embodiment, a through via may be formed by forming a partial via from an active surface through a conductive element thereon and a portion of the substrate underlying the conductive element. The through via may then be completed by laser ablation or drilling from a back surface. In another embodiment, a partial via may be formed by laser ablation or drilling from the back surface of a substrate to a predetermined distance therein. The through via may be completed from the active surface by forming a partial via extending through the conductive element and the underlying substrate to intersect the laser-drilled partial via. In another embodiment, a partial via may first be formed by laser ablation or drilling from the back surface of the substrate followed by dry etching to complete the through via.
    • 公开了在半导体衬底中形成贯通孔的方法和所得到的结构。 在一个实施例中，可以通过从活性表面通过其上的导电元件和导电元件下面的基底的一部分形成部分通孔来形成通孔。 然后可以通过从后表面的激光烧蚀或钻孔来完成通孔。 在另一个实施例中，部分通孔可以通过激光烧蚀或从衬底的背面钻孔到其中的预定距离来形成。 通孔可以通过形成延伸通过导电元件和下面的衬底以与激光钻孔的部分通孔相交的部分通孔从活性表面完成。 在另一个实施例中，可以首先通过激光烧蚀或从衬底的背面进行钻孔形成部分通孔，然后通过干蚀刻来完成通孔。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 16. 发明授权
      US08786097B2 Method of forming vias in semiconductor substrates and resulting structures 有权
    • Method of forming vias in semiconductor substrates and resulting structures
    • 在半导体衬底和结构中形成通孔的方法
    • US08786097B2
    • 2014-07-22
    • US12955359
    • 2010-11-29
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • H01L23/48 , H01L21/768
    • H01L21/76898
    • Methods for forming through vias in a semiconductor substrate and resulting structures are disclosed. In one embodiment, a through via may be formed by forming a partial via from an active surface through a conductive element thereon and a portion of the substrate underlying the conductive element. The through via may then be completed by laser ablation or drilling from a back surface. In another embodiment, a partial via may be formed by laser ablation or drilling from the back surface of a substrate to a predetermined distance therein. The through via may be completed from the active surface by forming a partial via extending through the conductive element and the underlying substrate to intersect the laser-drilled partial via. In another embodiment, a partial via may first be formed by laser ablation or drilling from the back surface of the substrate followed by dry etching to complete the through via.
    • 公开了在半导体衬底中形成贯通孔的方法和所得到的结构。 在一个实施例中，可以通过从活性表面通过其上的导电元件和导电元件下面的基底的一部分形成部分通孔来形成通孔。 然后可以通过从后表面的激光烧蚀或钻孔来完成通孔。 在另一个实施例中，部分通孔可以通过激光烧蚀或从衬底的背面钻孔到其中的预定距离来形成。 通孔可以通过形成延伸通过导电元件和下面的衬底以与激光钻孔的部分通孔相交的部分通孔从活性表面完成。 在另一个实施例中，可以首先通过激光烧蚀或从衬底的背面进行钻孔形成部分通孔，然后通过干蚀刻来完成通孔。
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    • 17. 发明申请
      US20110074043A1 METHOD OF FORMING VIAS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND RESULTING STRUCTURES 有权
    • METHOD OF FORMING VIAS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND RESULTING STRUCTURES
    • 在半导体衬底和结构结构中形成VIAS的方法
    • US20110074043A1
    • 2011-03-31
    • US12955359
    • 2010-11-29
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • H01L23/48
    • H01L21/76898
    • Methods for forming through vias in a semiconductor substrate and resulting structures are disclosed. In one embodiment, a through via may be formed by forming a partial via from an active surface through a conductive element thereon and a portion of the substrate underlying the conductive element. The through via may then be completed by laser ablation or drilling from a back surface. In another embodiment, a partial via may be formed by laser ablation or drilling from the back surface of a substrate to a predetermined distance therein. The through via may be completed from the active surface by forming a partial via extending through the conductive element and the underlying substrate to intersect the laser-drilled partial via. In another embodiment, a partial via may first be formed by laser ablation or drilling from the back surface of the substrate followed by dry etching to complete the through via.
    • 公开了在半导体衬底中形成贯通孔的方法和所得到的结构。 在一个实施例中，可以通过从活性表面通过其上的导电元件和导电元件下面的基底的一部分形成部分通孔来形成通孔。 然后可以通过从后表面的激光烧蚀或钻孔来完成通孔。 在另一个实施例中，部分通孔可以通过激光烧蚀或从衬底的背面钻孔到其中的预定距离来形成。 通孔可以通过形成延伸通过导电元件和下面的衬底以与激光钻孔的部分通孔相交的部分通孔从活性表面完成。 在另一个实施例中，可以首先通过激光烧蚀或从衬底的背面进行钻孔形成部分通孔，然后通过干蚀刻来完成通孔。
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    • 20. 发明授权
      US07598167B2 Method of forming vias in semiconductor substrates without damaging active regions thereof and resulting structures 有权
    • Method of forming vias in semiconductor substrates without damaging active regions thereof and resulting structures
    • 在半导体衬底中形成通孔的方法，而不损坏其有效区域和结果
    • US07598167B2
    • 2009-10-06
    • US11140402
    • 2005-05-27
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • Charles M. Watkins , Kyle K. Kirby , Alan G. Wood , Salman Akram , Warren M. Farnworth
    • H01L21/4763
    • H01L21/76898
    • Methods for forming through vias in a semiconductor substrate and resulting structures are disclosed. In one embodiment, a through via may be formed by forming a partial via from the active surface through a conductive element thereon and a portion of the semiconductor substrate underlying the conductive element. The through via may then be completed by laser ablation or drilling from the back surface. In another embodiment, a partial via may be formed by laser ablation or drilling from the back surface of a semiconductor substrate to a predetermined distance therein. The through via may be completed from the active surface by forming a partial via extending through the conductive element and the underlying semiconductor substrate to intersect the laser-drilled partial via. In another embodiment, a partial via may first be formed by ablation or drilling from the back surface of the semiconductor substrate followed by dry etching to complete the through via and expose the underside of the conductive element.
    • 公开了在半导体衬底中形成贯通孔的方法和所得到的结构。 在一个实施例中，通孔可以通过在其上的导电元件和导电元件下面的半导体衬底的一部分从活性表面形成部分通孔而形成通孔。 然后可以通过从后表面的激光烧蚀或钻孔来完成通孔。 在另一个实施例中，部分通孔可以通过激光烧蚀或从半导体衬底的背面钻孔到其中的预定距离来形成。 通孔可以通过形成延伸穿过导电元件和下面的半导体衬底以与激光钻孔的部分通孔相交的部分通孔从活性表面完成。 在另一个实施例中，可以首先通过从半导体衬底的后表面进行烧蚀或钻孔形成部分通孔，然后进行干法蚀刻以完成通孔并暴露导电元件的下侧。
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