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11. 发明申请

WO2009079969A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES IN DÜNNSCHICHTTECHNIK 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件薄膜技术
公开(公告)号：WO2009079969A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008/001940
申请日：2008-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
发明人： GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079
摘要： Auf einem Epitaxiesubstrat (1) wird eine für Leuchtdioden oder andere optoelektronische Bauelemente in Dünnschichttechnik vorgesehene Schichtstruktur (5, 6, 7) hergestellt und mit einer ersten Verbindungsschicht (2), die ein oder mehrere Lotmaterialien umfasst, versehen. Auf einem Träger (10) wird eine zweite Verbindungsschicht (3) ganzflächig aufgebracht und mit der ersten Verbindungsschicht (2) durch einen Lötprozess dauerhaft verbunden.
摘要翻译：在外延衬底（1）是一种在薄膜技术层结构用于发光二极管或其他光电元件（5，6，7）与第一化合物层（2），其包括一个或多个焊接材料被设置制备。上的载体（10），在整个表面上并与第一化合物层的第二连接层（3）（2）被永久地通过焊接工艺连接。

12. 发明申请

WO2012013523A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片和方法用于产生辐射半导体芯片
公开(公告)号：WO2012013523A1
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/062158
申请日：2011-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , PLÖSSL, Andreas
发明人： EISSLER, Dieter , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, die einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23), einen n-leitenden Bereich (21) und eine auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite des n-leitenden Bereichs angeordnete Deckschicht (24) umfasst, aufweist. Auf der Deckschicht ist eine Kontaktstruktur (4) zur externen elektrischen Kontaktierung des n-leitenden Bereichs angeordnet und die Deckschicht weist zumindest eine Aussparung (3) auf, durch die sich die Kontaktstruktur zum n-leitenden Bereich erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的半导体芯片（1），包括支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列（一个用于产生辐射有源区（23），n型区域21的设置在载体上的半导体主体包含）和设置在侧远离n型区域层（24）的有源区侧,. 在帽层，对于n型区域的外部电接触的接触结构（4）被布置和覆盖层具有至少一个凹部（3），通过该接触结构延伸到n型区域。此外，被指定用于制造半导体芯片的方法。

13. 发明申请

WO2007036208A1 VERFAHREN ZUR VERBINDUNG VON SCHICHTEN, ENTSPRECHENDES BAUELEMENT UND ORGANISCHE LEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：方法连接层，充足的分量和有机发光二极管
公开(公告)号：WO2007036208A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001688
申请日：2006-09-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas , RENNER, Marianne
发明人： GROLIER, Vincent , PLÖSSL, Andreas , RENNER, Marianne
IPC分类号： H01L21/603 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/5253 , H01L51/5243 , Y10T156/10 , Y10T428/31678
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verbindung von mehreren jeweils mindestens ein thermisch verbindbares Material enthaltenden Schichten, von denen mindestens eine Schichtenfolge ein Halbleitermaterial aufweist, mittels einer durch Thermokompression gebildeten Fügeschicht, sowie ein entsprechend hergestelltes Bauelement. Ferner gibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode und eine organische Leuchtdiode an, die mittels Thermokompression zwischen zwei Deckschichten verkapselt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于连接至少一个可热粘结的物质含有层，其中至少一个层序列，其包括半导体材料，通过热压接层，以及相应产生的部件来形成的多个方法。此外，本发明提供一种制造有机发光二极管和有机发光二极管，其通过热压两个外层之间包封的方法。

14. 发明申请

WO2007036198A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007036198A2
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001616
申请日：2006-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph
发明人： PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/10 , H01L33/42
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip offenbart, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4), der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einem an der Halbleiterschichtenfolge angeordneten separat gefertigten TCO-Stützsubstrat (10), das ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCO) aufweist und die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt.
摘要翻译：
据的光电子半导体芯片中公开了从正面侧在操作期间电磁辐射（7），其包括发射： - 具有有源区的半导体层序列（1）（4），其适于将电磁以产生辐射;以及 - 布置在单独制造的TCO-圣导航用途tzsubstrat（10）的半导体层序列并具有选自透明导电氧化物的（TCO），该半导体层序列（1）机械地第一导航用途TZT

15. 发明申请

WO2006034686A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNFILMHALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：用于生产薄膜半导体芯片
公开(公告)号：WO2006034686A2
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/DE2005/001684
申请日：2005-09-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
发明人： PLÖSSL, Andreas , STEIN, Wilhelm
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L21/76838 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L2933/0016
摘要： Es werden zwei Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterchips basierend auf einem III/V-III/V-Verbindungshalbleitermaterial beschrieben, wobei der Dünnfilmhalbleiterchip geeignet ist elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Gemäß dem ersten Verfahren wird eine aktive Schichtenfolge (1), die geeignet ist elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, auf einem Aufwachssubstrat (2), mit einer zur Aufwachssubstrat (2) hinweisenden Vorderseite (12) und einer vom Aufwachssubstrat (2) wegweisenden Rückseite (11) aufgebracht. Auf die Rückseite (11) der aktiven Schichtenfolge (1) wird weiterhin mindestens eine dielektrische Schicht (3) als Teil einer reflektierenden Schichtenfolge (51) aufgebracht und Energie mit Hilfe eines Lasers in definiert begrenzte Volumenbereiche (8) der dielektrischen Schicht (3) eingebracht, so dass mindestens eine Öffnung (4) zur Rückseite (11) der aktiven Schichtenfolge (1) entsteht. Nachfolgend wird mindestens eine metallische Schicht (5) als weiterer Teil einer reflektierenden Schichtenfolge (51) aufgebracht, so dass die Öffnung (4) mit metallischen Material gefüllt wird und mindestens ein rückseitige elektrisch leitfähige Kontaktstelle (6) zur Rückseite (11) der aktiven Schichtenfolge (1) ausgebildet wird. Danach wird ein eines Trägers (8) auf der reflektierenden Schichtenfolge (51) angebracht, und des Aufwachssubstrates (2) entfernt. Gemäß dem zweiten Verfahren wird eine reflektierende Schichtenfolge (51) auf die aktive Schichtenfolge (1) aufgebracht und dann Energie mit Hilfe eines Lasers einen definiert begrenzten Volumenbereich (6) der reflektierenden Schichtenfolge (51) eingebracht, so dass mindestens eine rückseitige elektrisch leitfähige Kontaktstelle (6) zu der Rückseite (11) der aktiven Schichtenfolge (1) hin ausgebildet wird.
摘要翻译：有一种制造薄膜半导体芯片的两个方法中描述的基于III / V III / V族化合物半导体材料，所述薄膜半导体芯片是适合于产生电磁辐射。根据第一方法，有源层序列（1），其适于产生电磁辐射，在生长衬底（2）上，具有与生长衬底（2）表示的前侧（12）和一从生长衬底开创性（2）背面（11 ）施加。在有源层序列的背面侧（11）（1）进一步施加至少一个电介质层（3）用激光的在介电层的限定的体积限定的区域（8）的帮助下引入的反射层序列（51）和能量的部分（3）使得至少朝向有源层序列（1）的后部（11）中的开口（4）被形成。接着，（5）被至少施加金属层，作为反射层序列（51）的另一部分，以使所述开口（4）被填充有金属材料和至少一个后导电接触点（6）朝向所述有源层序列的后部（11）形成（1）。此后，一个托架（8），其安装在反射层序列（51），和生长衬底（2）被除去。根据第二方法，在有源层序列的反射层序列（51）（1）被施加，然后能量引入限定的有限的体积区域（6）的反射层（51）通过激光的手段，使得至少一个后部导电接触点（ 6）（通过形成在有源层序列（1）的后侧11）。

16. 发明申请

WO2006002614A1 REFLEKTIERENDES SCHICHTSYSTEM MIT EINER MEHRZAHL VON SCHICHTEN ZUR AUFBRINGUNG AUF EIN III/V-VERBINDUNGSHALBLEITERMATERIAL 审中-公开
标题翻译：映含分层损伤NUMBER层体系：施用于III / V族化合物半导体材料
公开(公告)号：WO2006002614A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/DE2005/001148
申请日：2005-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph , ZULL, Heribert
发明人： KRÄUTER, Gertrud , PLÖSSL, Andreas , WIRTH, Ralph , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines reflektierenden Schichtsystems und ein reflektierendes Schichtsystem zur Aufbringung auf ein III/V-Verbindungshalbleitermaterial (4), wobei eine erste Schicht (1), die Phosphosilikatglas enthält, direkt auf das Halbleitersubstrat (4) aufgebracht ist. Hierauf befindet sich eine zweite Schicht (2), die Siliziumnitrid enthält. Daran anschließend ist eine metallische Schicht (3) aufgebracht.
摘要翻译：本发明描述了用于制造反射层系统和反射层系统用于施加到III / V族化合物半导体材料（4），其中第一层（1）含有磷，直接地（4）被施加在半导体基板上的方法。再有就是含有氮化硅的第二层（2）。此后，金属层（3）被施加。

17. 发明申请

WO2013041313A1 KONVERTERPLÄTTCHEN, STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT MIT EINEM DERARTIGEN KONVERTERPLÄTTCHEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES DERARTIGEN KONVERTERPLÄTTCHENS 审中-公开
标题翻译：转换片，这样的转换片天线的辐射组件及其制造方法这样的转换器板
公开(公告)号：WO2013041313A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/066036
申请日：2012-08-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/005 , H01L33/508 , H01L2924/0002 , H01L2933/0058 , Y10T29/49993 , Y10T428/24273 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Konverterplättchen (1) für ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, wobei das Konverterplättchen (1) ein Grundmaterial (2) aus Glas enthält, in dem zumindest ein Durchbruch (3) angeordnet ist. In dem zumindest einen Durchbruch (3) ist ein Konvertermaterial (4) eingebracht. Weiter ist ein strahlungsemittierendes Bauelement (10) mit einem derartigen Konverterplättchen (1) angegeben. Zudem ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Konverterplättchens (1) angegeben.
摘要翻译：提供了一种转换器板（1）用于发射辐射的半导体部件（10），其中，所述转换器板（1）包括基体材料（2）的玻璃，其中至少一个穿孔（3）被布置。在所述至少一个穿孔（3）的转换器材料（4）被引入。此外，利用这样的转换器板（1）发射辐射的元件（10）被指定。此外，被指定制造这种转换器板（1）的方法。

18. 发明申请

WO2012126735A1 LICHT EMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2012126735A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/053914
申请日：2012-03-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
发明人： SABATHIL, Matthias , PLÖSSL, Andreas , LUGAUER, Hans-Jürgen , LINKOV, Alexander , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/22 , H01L33/26 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/504
摘要： Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.
摘要翻译：本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

19. 发明申请

WO2012110365A1 TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：承载基板及其制造方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012110365A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052060
申请日：2012-02-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
发明人： GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
IPC分类号： H01L21/761 , H01L23/60 , H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L27/14 , H01L33/64 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/66128 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/641 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265
摘要： Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.
摘要翻译：它是为具有第一主表面（11）和具有相对的第二主表面（12）的第一主表面中的一个的半导体层序列的支撑基板（10）中指定。所述第一主表面，并且（2）形成的二极管结构的第二主表面之间，所述第二主表面的第一主表面电性绝缘的至少一种用于电动电压的极性。此外，用于制造半导体芯片（3）的方法设置有支撑衬底。

20. 发明申请

WO2012084743A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRISCHEN ANSCHLUSSTRÄGERS 审中-公开
标题翻译：方法制作电气连接支持
公开(公告)号：WO2012084743A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011/073136
申请日：2011-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PLÖSSL, Andreas
发明人： PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L23/498 , H01L31/02 , H01L33/62
CPC分类号： H01L31/02002 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L31/02005 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlussträgers für einen optoelektronischen Halbleiterkörper mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen einer Trägeranordnung (1), die einen Trägerkörper (11), eine auf einer Außenfläche (111) des Trägerkörpers (11) angeordnete Zwischenschicht (12) und eine auf der Zwischenschicht (12) angeordnete Nutzschicht (13) aufweist; - Einbringen von zumindest zwei in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten Öffnungen (4) in die Nutzschicht (13) über die Außenfläche (131) der Nutzschicht (13), wobei sich die Öffnungen in vertikaler Richtung (V) vollständig durch die Nutzschicht (13) hindurch erstrecken; - Elektrisches Isolieren von Seitenflächen (41) der Öffnungen (4) und der Außenfläche (131) der Nutzschicht (13); - Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (6) in den Öffnungen (4), wobei - nach Fertigstellung des Anschlussträgers (100) das elektrisch leitfähige Material (6) in seinem Verlauf entlang der Außenfläche (131) der Nutzschicht (13) in der lateralen Richtung (L) zwischen benachbarten Öffnungen (4) eine Unterbrechung (U) aufweist.
摘要翻译：提供了一种用于制造电连接载体的光电子半导体本体具有以下步骤的方法： - 提供支撑装置（1）包括在所述支撑体的外表面（111）的载体主体（11），（11）之一排列层之间（12 有）和一（设置在中间层12）的磨损层（13）上; - 在横向方向（L）将至少两个相互间隔开的开口（4）在耐磨层（13）在所述耐磨层（13）的外表面（131），其中，在垂直方向上的开口部（V）完全穿过耐磨层（13）延伸穿过其中; - 磨损层的开口部（4）和所述外表面（131）的侧表面（41）的电隔离（13）; - 在开口的导电材料（6）的布置（4），其中， - 所述连接载体（100），所述导电材料完成后（6）在其沿侧向方向的磨损层（13）的外表面（131）的路径（L）相邻的孔（4）之间的中断（U）具有。

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