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    • 14. 发明申请
      US20130117636A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM HAVING REDUNDANCY CELLS 审中-公开
    • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM HAVING REDUNDANCY CELLS
    • 具有冗余电池的半导体存储器件和系统
    • US20130117636A1
    • 2013-05-09
    • US13670822
    • 2012-11-07
    • Su-a KIM , Dae-hyun KIM , Woo-jin LEE
    • Su-a KIM , Dae-hyun KIM , Woo-jin LEE
    • G11C29/04 , G06F11/16
    • G11C29/04 , G11C7/1045 , G11C29/808 , G11C29/81 , G11C29/848
    • In one embodiment, the memory device includes a memory cell array, a data line selection circuit and selection control logic. The memory cell array has at least a first memory cell group and a redundancy memory cell group. The first memory cell group includes a plurality of first memory cells associated with a first data line, and the redundancy memory cell group includes a plurality of redundancy memory cells associated with a redundancy data line. The selection control logic is configured to detect if a defective memory cell in the first memory cell group is being accessed, and is configured to control the data line selection circuit to replace access via the first data line with access via the redundancy data line such that a detected defective memory cell in the first memory cell group is replaced with one of the plurality of redundancy memory cells.
    • 在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列，数据线选择电路和选择控制逻辑。 存储单元阵列具有至少第一存储单元组和冗余存储单元组。 第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，并且冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。 所述选择控制逻辑被配置为检测所述第一存储器单元组中的有缺陷的存储单元是否被访问，并且被配置为控制所述数据线选择电路经由所述冗余数据线经由所述第一数据线的访问来替换访问，使得 第一存储单元组中的检测到的有缺陷的存储单元被多个冗余存储单元中的一个代替。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 15. 发明申请
      US20130117615A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM HAVING REDUNDANCY CELLS 审中-公开
    • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM HAVING REDUNDANCY CELLS
    • 具有冗余电池的半导体存储器件和系统
    • US20130117615A1
    • 2013-05-09
    • US13671261
    • 2012-11-07
    • Su-a KIM , Dae-hyun KIM , Woo-jin LEE
    • Su-a KIM , Dae-hyun KIM , Woo-jin LEE
    • G11C29/04
    • G11C29/04 , G11C7/1045 , G11C29/808 , G11C29/81 , G11C29/848
    • In one embodiment, the memory device includes a memory cell array, to data line selection circuit and selection control logic. The memory cell array has at least a first memory cell group and a redundancy memory cell group. The first memory cell group includes a plurality of first memory cells associated with a first data line, and the redundancy memory cell group includes a plurality of redundancy memory cells associated with a redundancy data line. The selection control logic is configured to detect if a defective memory cell in the first memory cell group is being accessed, and is configured to control the data line selection circuit to replace access via the first data line with access via the redundancy data line such that a detected defective memory cell in the first memory cell group is replaced with one of the plurality of redundancy memory cells.
    • 在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列，数据线选择电路和选择控制逻辑。 存储单元阵列具有至少第一存储单元组和冗余存储单元组。 第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，并且冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。 所述选择控制逻辑被配置为检测所述第一存储器单元组中的有缺陷的存储单元是否被访问，并且被配置为控制所述数据线选择电路经由所述冗余数据线经由所述第一数据线的访问来替换访问，使得 第一存储单元组中的检测到的有缺陷的存储单元被多个冗余存储单元中的一个代替。
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