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11. 发明专利

DE102008000261B4 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102008000261B4
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：DE102008000261
申请日：2008-02-08
申请人： DENSO CORP
发明人： FUJII TETSUO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/48 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01P15/08 , H01L21/50 , H01L25/065
摘要： Halbleitervorrichtung, die aufweist: ein erstes Substrat (B1–B4, B6–B8, B10, B11), das aus einem Halbleiter besteht und eine Mehrzahl von ersten Bereichen (Bs) aufweist, wobei die ersten Bereiche (Bs) voneinander isoliert sind und in einem Oberflächenabschnitt des ersten Substrats (B1–B4, B6–B8, B10, B11) angeordnet sind und wobei jeder erste Bereich (Bs) ein Halbleiterbereich ist; und ein zweites Substrat (C1–C8, C10–C14), das eine elektrische Leitfähigkeit aufweist und eine Mehrzahl von zweiten Bereichen (Ce) und eine Mehrzahl von Isolationsgräben (31, 43) aufweist, wobei jeder Isolationsgraben (31, 43) das zweite Substrat (C1–C8, C10–C14) derart durchdringt, dass die zweiten Bereiche (Ce) voneinander isoliert sind, und wobei jeder zweite Bereich (Ce) ein leitfähiger Bereich ist, wobei das erste Substrat (B1–B4, B6–B8, B10, B11) ein Trägersubstrat bereitstellt und das zweite Substrat (C1–C8, C10–C14) ein Abdecksubstrat bereitstellt, das zweite Substrat (C1–C8, C10–C14) derart mit dem ersten Substrat (B1–B4, B6–B8, B10, B11) verbunden ist, dass...

12. 发明专利

DE112006001152B4 Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung mit Elementabschnitt ichtung 未知
公开(公告)号：DE112006001152B4
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：DE112006001152
申请日：2006-04-25
申请人： DENSO CORP
发明人： OGINO MASAHIRO , MURATA MINORU , SUGIURA KAZUHIKO , FUJII TETSUO
IPC分类号： B81B5/00 , B81C1/00 , G01P15/08 , G01P15/125 , H01L21/60
摘要： Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung, mit den Schritten: – Vorbereiten eines Halbleitersubstrats (10); – Bilden eines Elementabschnitts (20) auf dem Halbleitersubstrat (10), wobei der Elementabschnitt ein bewegliches Element aufweist; und – Verbinden eines Bonddrahts (200) elektrisch mit dem Halbleitersubstrat (10), wobei – der Bonddraht (200) aus einem leitfähigen Material gebildet ist, um eine elektrische Verbindung zu einer externen Schaltung zu schaffen, und – der Schritt des Verbindens die Schritte umfasst: – in Kontakt Bringen des Bonddrahts (200) direkt mit einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (10) an einem Kontaktabschnitt; und – Bestrahlen des Kontaktabschnitts lokal mit einem Laserstrahl zum Bilden eines Reaktionsproduktabschnitts (300) in dem Halbleitersubstrat derart, dass das den Bonddraht (200) bildende leitfähige Material mit einem das Halbleitersubstrat (10) bildenden Halbleiter reagiert.

13. 发明专利

DE102006054087A1 未知
公开(公告)号：DE102006054087A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：DE102006054087
申请日：2006-11-16
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , YOKOYAMA KENICHI , TAMURA MUNEO , FUJII TETSUO , ASAI MAKOTO
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/40
摘要： A separating device for separating a semiconductor substrate includes: a cutting element for cutting the semiconductor substrate into a plurality of chips along with a cutting line on the semiconductor substrate; an adsorbing element for adsorbing a dust on a surface of the semiconductor substrate by using electrostatic force; and a static electricity generating element for generating static electricity and for controlling the static electricity in order to remove the dust from the adsorbing element.

14. 发明专利

DE102006052693A1 未知
公开(公告)号：DE102006052693A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：DE102006052693
申请日：2006-11-08
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , YOKOYAMA KENICHI , TAMURA MUNEO
IPC分类号： H01L21/50 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01P15/08 , H01L29/84
摘要： A method of manufacturing a semiconductor sensor includes a forming step, a preparing step, a fixing step and a separating step. In the forming step, a plurality of caps made of resin is formed on a supporting substrate through a separable agent. Each of the caps has a cavity therein. In the preparing step, a semiconductor wafer is prepared, on which a plurality of sensor elements are formed. In the fixing step, the caps are fixed to the semiconductor wafer. Each cavity of the caps corresponds to each of the sensor elements. In the separating step, the separable agent and the supporting substrate are separated from the caps so as to leave the caps on the semiconductor wafer.

15. 发明专利

DE102014206572B4 SILIZIUMCARBIDHALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR DIESELBE 未知
公开(公告)号：DE102014206572B4
公开(公告)日：2022-01-13
申请号：DE102014206572
申请日：2014-04-04
申请人： DENSO CORP
发明人： KAWAI JUN , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/268 , H01L21/283 , H01L29/161 , H01L29/78
摘要： Siliziumcarbidhalbleitervorrichtung, aufweisend:ein Halbleitersubstrat (1, 2, 3a, 3b, 4a, 4b), das aus Siliziumcarbideinkristall gefertigt ist und eine Hauptoberfläche und eine Rückseite aufweist; undeine ohmsche Elektrode (11), die eine der Hauptoberfläche und der Rückseite des Halbleitersubstrats (1, 2, 3a, 3b, 4a, 4b) ohmsch kontaktiert,wobei eine Grenze zwischen der ohmschen Elektrode (11) und der einen der Hauptoberfläche und der Rückseite des Halbleitersubstrats (1, 2, 3a, 3b, 4a, 4b) mit einem Element abgeschlossen ist, das eine Elektronegativität nach Pauling aufweist, die größer als die von Silizium ist, und eine Bindungsenergie mit Silizium aufweist, die größer als eine Bindungsenergie von Si-H ist,wobei die Grenze zwischen der ohmschen Elektrode (11) und dem Halbleitersubstrat (1, 2, 3a, 3b, 4a, 4b) eine ohmsche Eigenschaft aufweist.

16. 发明专利

DE112015005217B4 Halbleitervorrichtung und elektronisches Bauteil, welches diese verwendet 未知
公开(公告)号：DE112015005217B4
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：DE112015005217
申请日：2015-10-16
申请人： DENSO CORP
发明人： YAMAMOTO TAKEO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
摘要： Halbleitervorrichtung, aufweisend:einen Wärmeverteiler mit einer Oberfläche;ein Halbleiterelement, welches auf der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet ist; undein Verbindungsteil, das zwischen dem Wärmeverteiler und dem Halbleiterelement angeordnet ist und den Wärmeverteiler und das Halbleiterelement thermisch und elektrisch miteinander verbindet, wobei:der Wärmeverteiler wenigstens zwei erste Wärmeverteiler und wenigstens einen zweiten Wärmeverteiler enthält;die ersten Wärmeverteiler und der zweite Wärmeverteiler in der Reihenfolge erster Wärmeverteiler, zweiter Wärmeverteiler und erster Wärmeverteiler in einer Richtung einer Ebenenrichtung der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet sind;jeder der ersten Wärmeverteiler und der zweite Wärmeverteiler so gebildet ist, dass er eine Mehrzahl von Schichten enthält, die aufeinander gestapelt sind und eine Wärmeleitfähigkeit in einer gewissen Ebenenrichtung haben, die höher als eine Wärmeleitfähigkeit in einer Richtung senkrecht zu der gewissen Ebenenrichtung ist;eine Oberfläche eines jeden der ersten Wärmeverteiler und des zweiten Wärmeverteilers, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, als eine anisotrope wärmeleitfähige Ebene definiert ist und jede der ersten Wärmeleiter und der zweite Wärmeleiter eine Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen enthält;jeder der ersten Wärmeleiter so angeordnet ist, dass die Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen parallel zu sowohl einer Stapelrichtung des Wärmeverteilers und dem Halbleiterelement und einer ersten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung ist;der zweite Wärmeverteiler so angeordnet ist, dass die Mehrzahl von anisotropen wärmeleitfähigen Ebenen parallel zu sowohl der Stapelrichtung und einer zweiten Richtung senkrecht zur Stapelrichtung und unterschiedlich zur ersten Richtung ist;ein Bereich des Wärmeverteilers, der gebildet ist durch Vorstehenlassen des Halbleiterelements an der einen Oberfläche des Wärmeverteilers, als Vorstehbereich definiert ist; undder Vorstehbereich zumindest den zweiten Wärmeverteiler überlappt;der Wärmeverteiler weiterhin ein leitfähiges Bauteil enthält, welches einen elektrischen Widerstandswert hat, der niedriger als derjenige der Mehrzahl von Schichten ist;das leitfähige Bauteil in der einen Oberfläche des Wärmeverteilers angeordnet ist; unddas leitfähige Bauteil den Vorstehbereich in einer Ebene des Wärmeverteilers senkrecht zur Stapelrichtung überlappt.

17. 发明专利

DE102006053596B4 Trennfolienrahmen 未知
公开(公告)号：DE102006053596B4
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：DE102006053596
申请日：2006-11-14
申请人： DENSO CORP
发明人： KOMURA ATSUSHI , TAMURA MUNEO , SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： Ein Trennfolienrahmen, der weitbar ist, wenn ein Halbleiterwafer (W), der an einer Trennfolie (T, Ta) angeheftet ist, in Chips (CP) unterteilt wird, so dass die Chips (CP) voneinander getrennt werden, wobei der Trennfolienrahmen aufweist: eine Mehrzahl von Rahmenteilen (21 bis 24, 31 bis 34, 52, 53, 62, 63, 72, 73, 82, 83) welche die Trennfolie (T, Ta) tragen; und eine Verbindungsvorrichtung (25 bis 28, 45 bis 47, 66, 67, 77, 86), welche die Mehrzahl von Rahmenteilen (21 bis 24, 31 bis 34, 52, 53, 62, 63, 72, 73, 82, 83) derart verbindet, dass die Mehrzahl von Rahmenteilen (21 bis 24, 31 bis 34, 52, 53, 62, 63, 72, 73, 82, 83) eine Ringform einnimmt, wobei die Verbindungsvorrichtung (25 bis 28, 45 bis 47, 56) die Mehrzahl von Rahmenteilen (21 bis 24, 31 bis 34, 52, 53) derart verbindet, dass die Mehrzahl von Rahmenteilen (21 bis 24,...

18. 发明专利

DE102006054087B4 Trennvorrichtung zum Trennen eines Halbleitersubstrats und Verfahren zum Trennen des Gleichen 未知
公开(公告)号：DE102006054087B4
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：DE102006054087
申请日：2006-11-16
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , YOKOYAMA KENICHI , TAMURA MUNEO , FUJII TETSUO , ASAI MAKOTO
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/14 , B23K26/40

19. 发明专利

DE102009041463A1 未知
公开(公告)号：DE102009041463A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：DE102009041463
申请日：2009-09-14
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO
IPC分类号： H01L29/84 , G01L9/06 , H01L25/04

20. 发明专利

DE102008063422A1 未知
公开(公告)号：DE102008063422A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：DE102008063422
申请日：2008-12-31
申请人： DENSO CORP
发明人： SUGIURA KAZUHIKO , ISOBE YOSHIHIKO
IPC分类号： G01P15/125 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01P15/18 , H01L29/84
摘要： A physical sensor includes: a substrate having a silicon layer, an oxide film and a support layer; and a sensor portion having movable and fixed electrodes and a lower electrode. The movable electrode is supported by a beam on the support layer. The fixed electrode faces the movable electrode. The lower electrode is disposed on the support layer and faces the movable electrode. The physical sensor detects horizontal physical quantity based on a capacitance between the movable and fixed electrodes, and vertical physical quantity based on a capacitance between the movable and lower electrodes. The beam includes vertical and horizontal beams. The thickness of the vertical beam is smaller than the thickness of the horizontal beam.

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