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11. 发明申请

WO2006043000A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'AU MOINS UN OBJET DE TAILLE MICROMETRIQUE OU MILLIMETRIQUE AU MOYEN D'UNE POIGNEE EN POLYMERE 审中-公开
标题翻译：用于通过聚合物手柄传送至少一个微米级或者米勒尺寸对象的方法
公开(公告)号：WO2006043000A2
公开(公告)日：2006-04-27
申请号：PCT/FR2005/050863
申请日：2005-10-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , ZUSSY, Marc
发明人： KOSTRZEWA, Marek , DI CIOCCIO, Léa , ZUSSY, Marc
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/96 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01061 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert d'au moins un objet de taille micrométrique ou millimétrique vers un substrat de réception au moyen d'une poignée. Le procédé comprend les étapes suivantes : - fixation d'une poignée en polymère sur ledit objet afin de pouvoir obtenir une structure, constituée de la poignée et de l'objet superposés, déformable, - préparation de surface de la face de l'objet opposée à la poignée en vue de son adhésion sur une face du substrat de réception, - mise en contact et adhésion de ladite face de l'objet sur ladite face du substrat de réception après déformation d'au moins la poignée, - retrait de la poignée en polymère.
摘要翻译：本发明涉及一种通过手柄将至少一个千兆或毫米尺寸的物体转移到接收基板的方法。本发明的方法在于将聚合物手柄固定到所述物体上，使得由叠合的手柄和物体组成的可变形结构可以在制备与把手相对的物体表面以便粘附到物体表面上接收基板面，使所述物体面与所述接收基板面接触，至少在所述手柄变形后将其粘接，并且移除所述聚合物手柄。

12. 发明申请

WO2004057667A2 PROCEDE DE REROUTAGE DE DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES SANS LITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：重新布线无电解微电子器件的方法
公开(公告)号：WO2004057667A2
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：PCT/FR2003/050188
申请日：2003-12-17
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BALERAS, François , DELAGUILLAUMIE, Fanny , ZUSSY, Marc
发明人： BALERAS, François , DELAGUILLAUMIE, Fanny , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L23/525 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un boîtier à la taille d'une puce électronique et réalisé à l'échelle du substrat, le substrat comportant au moins une puce et ladite au moins une puce possédant des plots d'entrée-sortie sur une face du substrat dite face avant, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) formation, au moyen d'un moule ou d'un pochoir complexe, d'une couche isolante de relaxation de contraintes sur ladite face avant, ladite couche de relaxation recouvrant la face avant du substrat avec un relief présentant des puits d'accès au niveau des plots d'entrée-sortie, et ailleurs, des parties en saillie destinées à relaxer les contraintes, chaque partie en saillie ayant une forme étagée comprenant au moins une zone proéminente et au moins une zone, en retrait parrapport à ladite zone proéminente, destinée à supporter un plot de connection électrique, b) formation de pistes électriquement conductrices sur la couche de relaxation pour connecter les plots d'entrée/sortie aux plots de connection électrique correspondants, c) formation de moyens de contact électrique vers l'extérieur sur les plots de connection électrique. L’invention concerne également, d’une part, un moule ou pochoir complexe destiné à réaliser un boîtier à la taille d’une puce selon le procédé de l’invention, et d’autre part, ledit boîtier en lui-même.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造晶片级电子芯片级封装的方法，该晶片包括至少一个芯片，并且所述至少一个芯片包括称为前侧的晶片的一个表面上的输入/输出接触焊盘，该方法包括以下步骤：a）通过模具或复合模板在所述前表面上形成绝缘应力缓和层，所述松弛层用包括在输入/输出接触垫上的进入孔的凸起部分覆盖晶片前表面，以及在其他地方，设计成放松应力的突出部分，每个突出部分具有阶梯形状，其包括至少一个突出区域和至少一个相对于所述突出区域凹陷的区域，设计成支撑电接合焊盘; b）在松弛层上形成导电轨迹，以将输入/输出接触焊盘连接到相应的电接合焊盘。本发明还涉及使用所述发明方法制造芯片级封装的模具或复合模版以及所得到的封装本身。

13. 发明申请

WO2012028518A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN FILM, PAR EXEMPLE MONOCRISTALLIN, SUR UN SUPPORT EN POLYMÈRE 审中-公开
标题翻译：用于生产膜的方法，例如聚合物基材上的单晶膜
公开(公告)号：WO2012028518A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064587
申请日：2011-08-24
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
发明人： MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L21/762 , H01L21/76224
摘要： Pour obtenir un film en un premier matériau sur un support en polymère : on colle une première plaque sur une seconde plaque (2), l'une au moins de ces plaques comportant au moins une couche du premier matériau située à proximité de l'interface, on creuse dans la première plaque au moins une cavité (4) dont le fond (5), parallèle à l'interface entre les première et seconde plaques, définit dans la première plaque une zone de fond, on forme une couche de polymère (8) dans cette cavité sur une épaisseur contrôlée à partir de son fond, on élimine la seconde plaque sur au moins la majeure partie de son épaisseur, en sorte de libérer, sous la couche de polymère, un film comportant ladite couche du premier matériau.
摘要翻译：为了获得在聚合物基板上由第一材料制成的薄膜：第一薄片粘合到第二薄片（2）上，这些薄片中的至少一个具有至少一层第一材料位于界面附近; 在第一片材中切割出至少一个空腔（4），所述腔体的底部（5）平行于第一和第二片材之间的界面限定了第一片材中的底部区域; 在该空腔中从其底部开始以受控的厚度形成聚合物层（8）在其至少大部分厚度上除去第二片，以便在聚合物层下方释放包含第一材料层的膜。

14. 发明申请

WO2017009564A1 POCHOIR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU POCHOIR 审中-公开
标题翻译：横断面及其制造方法
公开(公告)号：WO2017009564A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/FR2016/051768
申请日：2016-07-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： ZUSSY, Marc , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/38 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/20 , G03F1/38
摘要： Le pochoir (100) est destiné à la réalisation, à l'échelle micrométrique, d'un dépôt d'un matériau sur un substrat (200) ou de gravure d'un substrat (200), le pochoir (100) comprenant; une membrane (2) comportant une face avant (3) destinée à être orientée vers ledit substrat (200) et une face arrière (4) opposée à la face avant (3), la membrane (2) comportant au moins une portion de rigidification (7) et au moins une portion active (5) comprenant une surface active (10) délimitée par la face avant (3), la au moins une portion active (5) présentant une épaisseur inférieure à l'épaisseur de la au moins une portion de rigidification (7), la au moins une portion de rigidification (7) étant configurée de sorte à assurer la planéité d'au moins la surface active (10), et au moins deux ouvertures (8) traversantes ménagées dans la portion active (5) et débouchant sur la surface active (10).
摘要翻译：本发明涉及一种用于在微尺度上执行材料沉积在基底（200）上或用于雕刻基底（200）的模版（100），所述模板（100）包括：膜（ 2），包括旨在朝向所述基底（200）的前表面（3）和与所述前表面（3）相对的后表面（4），所述膜（2）包括至少一个加强部分（7）至少一个活动部分（5）包括由所述前表面（3）限定的活动表面（10），所述至少一个活动部分（5）的厚度低于所述至少一个加强部分（7）的厚度，所述至少一个加强部分（7）构造成保证至少所述有效表面（10）的平坦度，以及布置在所述有效部分（5）中并连接到所述活动部分（10）的至少两个通孔（8）表面（10）。

15. 发明公开

EP1831923A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 有权转让
标题翻译：方法修剪组合件的手段，两大板块已得到的结构
公开(公告)号：EP1831923A1
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：EP05825588.6
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , Tracit Technologies
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： The invention relates to a method for trimming a structure obtained by fixing a first plate on a second plate on contact faces and thinning the first plate, at least one of the first plate and the second plate being chamfered and hence exposing the edge of the contact face of the first plate, said trimming concerning the first plate. The method comprises the following steps: a) selection of the second plate from those plates with a resistance to the chemical attack planned for step b) adequate with relation to the first plate to permit the step b) to be carried out, b) after fixing the first plate to the second plate, chemical attack of the edge of the first plate is carried out such as to form a pedestal in the first plate resting entirely on the contact face of the second plate and supporting the rest of the first plate, c) thinning of the first plate to just reach and break into the pedestal to provide a thinned part of the first plate.

16. 发明公开

EP1900020A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE 审中-公开
标题翻译：方法，通过沉积薄氧化物或氮化物BONDSHICHT组装SUBSTRATES
公开(公告)号：EP1900020A1
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：EP06778776.2
申请日：2006-07-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78 , H01L21/58 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031
摘要： The invention relates to a method for assembling by molecular bonding two substrates, at least one of which is made of a semiconductor material characterised in that one of substrates, called a first substrate, comprises a surface (A), whose at least one part is flat and provided with an initial surface roughness compatible with the molecular bonding. The inventive method consists in depositing a thin oxide or nitride bonding layer (16a, 16b), whose thickness ranges from 10 to 20 nm, on at least one portion (14a, 14b) of the surface flat part (A) of the first substrate for carrying out a molecular bonding without pre-polishing, in saturating the thin bonding layer with hydroxyl groups, in bringing the thin bonding layer (16a, 16b) saturated with hydroxyl groups into contact with the second substrate (10) surface (B) which is at least locally flat with respect to the flat part of the surface (A) and saturated with hydroxyl groups and in carrying out a hydrophilic molecular bonding between said two substrates.

17. 发明公开

EP1797587A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 有权
标题翻译：于产生混合层结构有多个区域绝缘和/或垂直法ARRANGED导电区
公开(公告)号：EP1797587A2
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：EP05810739.2
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： The invention concerns a method for producing a semiconductor structure, on a semiconductor substrate whereof one surface has a topology, said method comprising the following steps: a) forming a first layer (24) in a first insulating material on said surface, b) forming a second layer in a second insulating material (28), less dense than the first insulating material, of thickness ranging between 2.5 and 3.5 p, c) planarizing the assembly.

18. 发明公开

EP1576658A1 PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS MIXTES ET STRUCTURE AINSI OBTENUE 有权
标题翻译： PROCESS FOR MIXED基板，这样制作的结构
公开(公告)号：EP1576658A1
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：EP03799685.7
申请日：2003-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/187 , H01L21/76275
摘要： The invention relates to a method of producing a mixed substrate. The inventive method consists in preparing two substrates (10, 12) having respective faces which are intended to be joined together. The substrates essentially comprise crystalline parts on the aforementioned faces and, on at least one of said faces, zones which are produced from a material different to those used to form the crystalline parts. According to the invention, the faces are disposed opposite one another and connected at an interface by means of molecular adhesion such as to form (i) bulk zones in which the opposing faces are essentially crystalline and (ii) stacked zones in which at least one of the opposing faces is essentially made from the above-mentioned different material. When the substrates (10, 12) are being prepared or when the faces are being joined, impurity traps (11A) (e.g. isolating areas) are created at the interface such that any portion of said interface forming part of a bulk zone is disposed at most at a given distance from one such trap. Moreover, the faces are disposed opposite one another with a misalignment between the crystalline parts of the two substrates which is less than a given threshold.

19. 发明授权

EP1346402B1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE EMPILEE 有权
标题翻译：一种用于生产结构桩
公开(公告)号：EP1346402B1
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：EP01995751.3
申请日：2001-12-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , MAGNEA, Noël
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76251
摘要： The invention concerns a method for producing a stacked structure comprising steps which consists in: providing at least two crystalline parts (3, 4) by cleavage from an initial common structure (1); forming structures (30, 40) from the crystalline parts (3, 4), each structure (30, 40) with a surface to be assembled (8, 9) having a controlled angle of inclination relative to the angle of inclination of the generated surface (8, 9) of the corresponding crystalline part (3, 4); assembling the structures (30, 40) while controlling their relative positions, rotating in the interface plane, relative to the positions of the respective crystalline parts (3, 4) within the initial structure (1) so as to obtain a resulting controlled angle of inclination at the interface between the structures (30, 40). The invention is particularly applicable in microelectronics, optics and optoelectronics.

20. 发明公开

EP1774613A2 MICROBATTERIE COMPORTANT DES CONNEXIONS TRAVERSANTES ET PROCEDE DE REALISATION D'UNE TELLE MICROBATTERIE 有权
标题翻译： MIKROBATTERIE MIT DURCHSTEHENDEN VERBINDUNGEN UND VERFAHREN EINE DERARTIGE MIKROBATTERIE HERZUSTELLEN
公开(公告)号：EP1774613A2
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：EP05788665.7
申请日：2005-07-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： LAURENT, Jean-Yves , SALOT, Raphaël , MARSACQ, Didier , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01M10/04
CPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/0257 , H01M4/0421 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , Y10T29/49115
摘要： The invention relates to a microbattery comprising through-connections and to the production method thereof. The inventive microbattery comprises a support (1) having a front face (2) and a rear face (3) and first (4) and second (5) current collectors which are disposed on the front face (2) of the support (1). A stack comprising a cathode (8) and an anode (6) which are separated by an electrolyte (7) is disposed on the current collectors (4 and 5). The anode (6) and the cathode (8) are in contact with the first (4) and second (5) current collectors respectively. The aforementioned stack is covered with a protective layer (9). In addition, the microbattery comprises connections (10) which pass through the support (1) from the front face (2) to the rear face (3) thereof and which are in contact with the first (4) and second (5) current collectors. The stack preferably covers essentially all of the front face (2) of the support (1). The invention also relates to a method of producing the microbattery, which comprises: the etching of cavities in the front face (2) of the support (1), said cavities having a depth less than the thickness of the support (1); the filling of the cavities with a conductive material; and the removal of a layer of the rear face (3) from the support (1), in order to reveal the conductive material contained in the cavities.
摘要翻译：微电池具有支撑件，其具有布置在前表面上的前表面，后表面，第一和第二集电器。包括由电解质分离的阴极和阳极的叠层布置在集电体上。阳极和阴极分别接触第一和第二集电器。保护层覆盖堆叠。微电池具有与第一和第二集电器接触的连接，通过支撑件从前表面到后表面。该堆叠基本覆盖该支撑体的正面。一种用于制造微电池的方法包括蚀刻腔，在支撑体的前表面中，其深度小于支撑体的厚度，用导电材料填充空腔，并且移除支撑体的后表面层以露出空腔中的导电材料。

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