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11. 发明公开

KR1020040082610A 복제방법에 의한 초전도체의 제조방법 失效
标题翻译：使用重复方法制作具有良好特性的超导体的方法
公开(公告)号：KR1020040082610A
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020030017204
申请日：2003-03-19
申请人： 한국전기연구원
发明人： 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준 , 박찬
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a superconductor using a duplication method is provided to obtain the superconductor having a prominent characteristic by selecting freely a support layer. CONSTITUTION: A separation layer(2) is formed on an upper surface of a basic preform(1). A superconducting layer(3) is formed on an upper surface of the separation layer. A support layer(4) is formed on an upper surface of the superconducting layer. The separation layer is removed therefrom. The basic preform is formed with a continuous single crystalline metal loop. The coated superconductor obtained thereby has a shape of a tape. The separation layer and the superconducting layer are grown by using an epitaxial growth method.
摘要翻译：目的：提供一种使用复制方法制造超导体的方法，以通过自由地选择支撑层来获得具有突出特征的超导体。构成：在基本预成型件（1）的上表面上形成分离层（2）。在分离层的上表面上形成超导层（3）。在超导层的上表面上形成支撑层（4）。从其中除去分离层。基本预成型件由连续的单晶金属环形成。由此获得的涂覆超导体具有带状。通过使用外延生长法生长分离层和超导层。

12. 发明授权

KR101172810B1 초전도 선재 리플로우 라미네이팅 장치 有权
标题翻译：超导磁带回流层压装置
公开(公告)号：KR101172810B1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：KR1020100054148
申请日：2010-06-09
申请人： 한국전기연구원
发明人： 오상수 , 김호섭 , 이남진 , 고락길 , 염도준 , 하홍수
IPC分类号： B32B37/00 , B32B15/04 , B23K1/008
摘要： 본 발명은 초전도 테이프에 보강재 혹은 안정화재용으로 사용되는 금속 테이프를 접합시키기 위한 라미네이팅 장치에 관한 것으로서, 초전도 테이프에 보강재 혹은 안정화재용의 금속 테이프를 접합시키기 위한 라미네이팅 장치에 있어서, 초전도 테이프를 공급시키는 초전도 테이프 공급릴과, 상기 초전도 테이프 일측면 또는 양측면에 접합되는 금속 테이프를 공급시키는 금속 테이프 공급릴로 구성된 테이프공급부와; 상기 초전도 테이프 또는 금속 테이프에 크림솔더를 공급하는 솔더코팅부와; 상기 크림솔더가 공급된 초전도 테이프와 금속 테이프가 공급되어 솔더링되는 리플로우접합부와; 상기 초전도 테이프와 금속 테이프가 리플로우접합된 초전도 선재를 일정 장력으로 당겨 감아내는 선재수거부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 초전도 선재 리플로우 라미네이팅 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 초전도 테이프와 금속 테이프 간의 접합이 연속적으로 이루어지도록 하고, 별도의 플럭스(flux) 도포 공정 및 이에 따른 열처리 공정이 필요없어 경제적이면서도, 초전도 테이프와 금속 테이프 간의 계면에서의 불균일한 솔더링 부분이 없어 계면에서의 결함을 최소화할 수 있어 초전도 선재가 안정적으로 작동할 수 있도록 하고, 솔더의 두께 제어가 용이하여 솔더의 낭비를 줄일 수 있는 이점이 있다.

13. 发明公开

KR1020110134548A 초전도 선재 리플로우 라미네이팅 장치 有权
标题翻译：用于超级连接胶带的反光层压装置
公开(公告)号：KR1020110134548A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100054148
申请日：2010-06-09
申请人： 한국전기연구원
发明人： 오상수 , 김호섭 , 이남진 , 고락길 , 염도준 , 하홍수
IPC分类号： B32B37/00 , B32B15/04 , B23K1/008
CPC分类号： B32B37/24 , B23K1/008 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B2037/243
摘要： PURPOSE: A super conductive line reflow laminating device is provided to eliminate a ununiform soldering part from the interface between a super conductive tape and a metal tape, thereby minimizing a defect on the interface. CONSTITUTION: A tape supply unit(100) includes a super conductive tape supply reel(110) and a metal tape supply reel(120). A solder coating unit(200) supplies a super conductive tape or a metal tape. A reflow bonding unit(300) bonds the super conductive tape with the metal tape. A super conductive line with which the super conductive tape and the metal tape are bonded is wound on a line collecting unit(400).
摘要翻译：目的：提供超导线回流层压装置，以从超导导带和金属带之间的界面消除不均匀的焊接部分，从而最小化界面上的缺陷。构成：磁带供应单元（100）包括超导电磁带供应卷轴（110）和金属带供应卷轴（120）。焊接涂层单元（200）提供超导电带或金属带。回流焊接单元（300）将超导电带与金属带粘合。将超导电带和金属带接合的超导线缠绕在线收集单元（400）上。

14. 发明公开

KR1020060028606A 박막증착장치 失效
标题翻译：薄膜沉积设备
公开(公告)号：KR1020060028606A
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020040077631
申请日：2004-09-25
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김호섭 , 박찬 , 염도준 , 이병수 , 송규정 , 고락길 , 하홍수 , 정준기
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 본 발명은 반도체 기판상에 박막을 증착시키는 박막증착장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스퍼터링과 진공증발 증착법을 동시에 이용하여 다원자화합물로 구성된 박막을 기판상에 증착할 수 있도록 한 박막증착장치에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 반응챔버의 내부에서 기판의 표면에 박막을 증착하는 박막증착장치에 있어서, 증착하고자 하는 물질로 구성된 타겟을 구비하여 불활성 가스의 스퍼터링에 의해 상기 물질을 상기 기판상에 공급하는 스퍼터와, 금속물질을 증발시켜 불활성 가스와 함께 상기 기판상으로 분사하는 증발장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 종래와는 달리 각 증착기술의 장점을 취하여 고품질의 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 각 원소별로 그에 적당한 증착기술을 선택하여 이용할 수 있는 효과를 가진다.
반응챔버, 스퍼터, 증발장치, 하우징, 시료투입구, 가스주입구, 가열수단, 분사구, 분리판
摘要翻译：在本发明中涉及的成膜装置，并且更具体地，溅射成膜是通过真空蒸发沉积法在同一时间，使得原子化合物构成的薄膜可以在基板装置上沉积用于在半导体衬底上沉积薄膜它涉及。

15. 发明公开

KR1020050114953A 금속 산화물 소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：金属氧化物制造方法
公开(公告)号：KR1020050114953A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：KR1020040040086
申请日：2004-06-02
申请人： 한국전기연구원
发明人： 박찬 , 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준
IPC分类号： H01L39/02 , H01B12/00
CPC分类号： C30B23/02 , C30B25/025 , C30B29/22 , H01L39/2422 , Y10S428/93 , Y10T29/49014
摘要： 본 발명은 복제공정을 이용하여 초전도층 성장된 초전도 선재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 루프 형상의 기본모재로부터 길이가 긴 테이프 형상의 초전도 선재를 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 산화물 소자의 제조방법은 단결정 또는 배향된 표면을 갖는 기본모재 상에 물에 용해 가능한 분리층을 형성하고 분리층의 상부에 초전도층을 형성하며, 초전도층의 상부에 지지층을 형성한 후 분리층을 물에 의한 용해 방법으로 제거하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 기본모재로부터 분리된 초전도층과 지지층으로 구성되고 기본모재의 결정성이 그대로 복제된 초전도 선재를 제조하는 것이 가능하다.

16. 发明授权

KR100496930B1 복제방법에 의한 초전도체의 제조방법 失效
标题翻译：使用复制法制造超导体的方法
公开(公告)号：KR100496930B1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030017204
申请日：2003-03-19
申请人： 한국전기연구원
发明人： 염도준 , 김호섭 , 정국채 , 이병수 , 임선미 , 김형준 , 박찬
IPC分类号： H01B12/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 본 발명은 초전도체의 제조방법, 예컨대 복제방법에 의해 고온 초전도체 테이프를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 루프 형태의 단결정 테이프를 기본 모재로 하여 용해성 분리층, 초전도층 및 지지층을 형성한 후 분리하여, 연속적 방법으로 긴 테이프를 얻는다. 본 발명의 방법에 의하면, 결정구조가 이상적으로 정렬된 기본 모재에서 연속적으로 복제함으로써 결함의 가능성이 원리적으로 배제되어 있다. 즉, 기본 모재의 완전성만큼 단결정이다. 또한, 초전도층과 금속 지지층이 직접 접촉되므로 과전류 우회경로가 이루어진다. 그리고, 지지층의 두께를 허용된 만 큼 줄일 수 있으며, 지지층 선택이 극히 자유로우므로 고강도 비자성 물질로 할 수 있다.

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