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    • 13. 发明申请
    • 반도체 발광소자
    • 半导体发光元件
    • WO2010064870A2
    • 2010-06-10
    • PCT/KR2009/007236
    • 2009-12-04
    • 주식회사 에피밸리김창태남기연이태희
    • 김창태남기연이태희
    • H01L33/38
    • H01L33/38H01L33/20
    • 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
    • 半导体发光器件技术领域本发明涉及一种半导体发光器件,并且更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合产生光的半导体发光器件, 第一接合电极和第二接合电极; 从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极; 2从接合电极,所述第一分支电极和第二分支dumyeo到延伸第一距离相对于权利要求3的电极之间的第一分支电极,其离开比相对于所述第二指状电极的第一间隙位置的窄第二间隙 其中第二分支电极位于比第一分支电极更远离发光元件中心的位置,第三分支电极位于比第二分支电极更远离发光元件中心的位置。 发射装置。
    • 17. 发明申请
    • 굴절율이 낮은 티오펜계 전도성 고분자
    • 具有低折射率的THIOPENE导电聚合物
    • WO2010041879A2
    • 2010-04-15
    • PCT/KR2009/005754
    • 2009-10-08
    • 서광석김종은김태영이태희
    • 서광석김종은김태영이태희
    • C08G61/12
    • C08G61/126C08L39/04C08L65/00C08L2666/10
    • 본 발명은 굴절율이 1.55 이하인 티오펜계 전도성 고분자의 합성에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는 티오펜계 전도성 고분자 합성 시 도판트 겸 분산제로 사용될 수 있는 고분자 중에서 굴절율이 낮은 화합물인 플로린을 함유하는 고분자를 전도성 고분자 합성용 도판트로 사용함으로서 합성된 전도성 고분자의 굴절율을 1.55 이하로 조절하는 기술 및 이를 통해 합성된 낮은 굴절율을 갖는 폴리티오펜계 전도성 고분자를 제공한다. 본 발명의 기술을 이용하면 저굴절 전도성 고분자 또는 이를 포함하는 전도성 고분자를 만들기 위해 별도의 저굴절 물질을 혼합하지 않고도 자체적으로 1.55 이하의 굴절율을 갖는 전도성 고분자를 합성할 수 있다. 이 전도성 고분자가 포함되어 있는 용액에 불소계 첨가제를 혼합하면 전도성 고분자 조성물의 굴절율을 더욱 낮출 수 있어 저굴절 물질 또는 조성물의 제조에 훨씬 유리하다. 또한 본 발명의 전도성 고분자는 전도성 고분자 성분에 플로린을 포함하고 있어 그 자체적으로 접촉각이 높아 오염방지 기능을 가지면서 높은 전기 전도도를 갖는 등 여러 가지 장점이 있다.
    • 本发明涉及折射率为1.55以下的噻吩类导电聚合物的合成,更具体地说,提供了一种技术,其中在合成噻吩导电聚合物期间,含有氟并具有低折射率的聚合物,其中 也可以用作掺杂剂和分散剂两者的聚合物,用作合成导电聚合物的掺杂剂,使得合成的导电聚合物的折射率调节至1.55以下; 和具有低折射率的合成聚噻吩导电聚合物。 使用本发明的技术,折射率为1.55以下的导电性聚合物可以自身合成而不与低折射率的分离物质混合,制作低折射率的导电性聚合物或导电性聚合物,其包括 一样。 当将氟添加剂混入含有该导电聚合物的溶液中时,导电聚合物组合物的折射率可能进一步降低,因此制备具有低折射率的物质或组合物更有利。 另外,由于本发明的导电性聚合物含有氟成分,因此本身具有高接触角,因此具有防止污染和高导电性等优点。