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11. 发明公开

KR1020040093623A 상변화 기억 소자 및 그 형성방법 无效
标题翻译：相移片存储器件及其形成方法，以减少相移材料图案的尺寸
公开(公告)号：KR1020040093623A
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020030027561
申请日：2003-04-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연
IPC分类号： H01L21/8247
摘要： PURPOSE: A phase shift memory device and a forming method thereof are provided to reduce the size of a phase shift material pattern by performing isotropic etching on the material pattern using etching selectivity between the material pattern and a diffusion barrier pattern. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(107) is formed on a semiconductor substrate(101). A contact plug(109) is connected with the substrate through the interlayer dielectric. A phase shift material pattern(111a) and a diffusion barrier pattern(113a) are sequentially stacked on the contact plug. The phase shift material pattern is formed by performing isotropic etching on a phase shift material layer using the diffusion barrier pattern as a mask. The phase shift material layer has an etching selectivity for the diffusion barrier pattern. As a result, the phase shift material pattern is smaller than the diffusion barrier pattern.
摘要翻译：目的：提供一种相移存储器件及其形成方法，以通过在材料图案和扩散阻挡图案之间的蚀刻选择性对材料图案进行各向同性蚀刻来减小相移材料图案的尺寸。构成：在半导体衬底（101）上形成层间电介质（107）。接触插头（109）通过层间电介质与衬底连接。相移材料图案（111a）和扩散阻挡图案（113a）依次堆叠在接触插塞上。通过使用扩散阻挡图案作为掩模在相移材料层上进行各向同性蚀刻来形成相移材料图案。相移材料层对扩散阻挡图案具有蚀刻选择性。结果，相移材料图案比扩散阻挡图案小。

12. 发明公开

KR1020160096487A 식품 보관용 저장 용기, 그 저장 용기의 관리 방법 및 냉장고 审中-实审
标题翻译：食品容器，食品容器和制冷器的管理方法
公开(公告)号：KR1020160096487A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020150018219
申请日：2015-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조태형 , 이수연 , 이재민 , 지은주 , 이선민 , 이선주 , 전상운 , 최준혁
IPC分类号： B65D25/00
CPC分类号： F25D29/005 , F25D25/005 , F25D29/00 , F25D2400/36 , F25D2500/06 , G06F3/147 , G09G2354/00 , G09G2380/06 , B65D25/00 , B65D2203/12
摘要： 저장용기가개시된다. 본발명의식품을보관할수 있는내부공간을갖는저장용기는, 화면을표시하는디스플레이부, 저장용기를관리하기위한외부장치와통신하는통신인터페이스부및 통신인터페이스부를통해외부장치와동기화된식품에관한정보를디스플레이부에표시하도록제어하는제어부를포함한다.
摘要翻译：公开了食品容器。具有用于储存食物的内部空间的食物容器包括：显示屏幕的显示部分; 与外部设备通信以管理食物容器的通信接口部分; 以及控制部件，其通过通信接口部分控制与外部设备同步的食物的信息，以显示在显示部分中。因此，本发明能够容易且方便地管理食物。

13. 发明授权

KR101482639B1 비휘발성 메모리 소자 有权
公开(公告)号：KR101482639B1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020090019268
申请日：2009-03-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정재훈 , 김한수 , 장재훈 , 심선일 , 이수연
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： 비휘발성 메모리 소자가 제공된다. 이 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 교대로 적층된 복수의 셀 게이트 패턴들 및 복수의 게이트간 절연 패턴들, 최상부의 게이트간 절연패턴 상에 배치된 상부 선택 게이트 패턴, 최하부의 게이트간 절연패턴과 기판 사이에 개재된 게이트 패턴, 기판 상에 하부 선택 게이트 패턴, 셀 게이트 패턴 및 상부 선택 게이트 패턴의 측벽들을 따라 위로 연장되는 활성 패턴, 게이트 패턴과 활성 패턴 사이에 개재되는 데이터 저장 패턴, 활성 패턴의 윗부분에 배치되며, 상부 선택 게이트 패턴의 상부면보다 높게 위치하는 하부면을 갖는 상부 도펀트 영역, 및 활성 패턴의 아랫부분에 배치되며, 하부 선택 게이트 패턴의 하부면보다 낮게 위치하는 상부면을 갖는 하부 도펀트 영역을 포함할 수 있다.
비휘발성 메모리 소자. 문턱 전압, 반전층

14. 发明公开

KR1020100042454A 비휘발성 메모리 장치 有权
标题翻译：非易失性存储器件
公开(公告)号：KR1020100042454A
公开(公告)日：2010-04-26
申请号：KR1020080101607
申请日：2008-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심선일 , 허성회 , 장영관 , 김진호 , 이수연 , 문희창
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C5/02 , G11C5/063 , G11C8/14 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/0688
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory device is provided to prevent a potential difference among a word line, a channel, and a source/drain region by applying different voltages to adjacent word lines. CONSTITUTION: First word line stacks comprise laminated first word lines(WL1). Second word line stacks comprise laminated second word lines(WL2). First connection lines connect the first word lines which are positioned on the same layer. Second connection lines connect the second word lines which are positioned on the same layer. At least one second word line stack is arranged between a pair of first word line stacks.
摘要翻译：目的：提供非易失性存储器件，以通过对相邻字线施加不同的电压来防止字线，沟道和源/漏区之间的电位差。构成：第一字线堆叠包括层叠的第一字线（WL1）。第二字线堆叠包括层叠的第二字线（WL2）。第一连接线连接位于同一层上的第一个字线。第二连接线连接位于同一层上的第二字线。至少一个第二字线堆叠被布置在一对第一字线堆叠之间。

15. 发明授权

KR100786993B1 표시장치 및 그 제조방법과 표시장치 제조용 잉크 조성물 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法及其制造方法
公开(公告)号：KR100786993B1
公开(公告)日：2007-12-20
申请号：KR1020060017831
申请日：2006-02-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차순욱 , 정진구 , 이주현 , 하재국 , 이정수 , 이수연 , 김성민
IPC分类号： C09K11/06
摘要： 본 발명은 표시장치 및 그 제조방법과 표시장치 제조용 잉크 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 절연기판과; 상기 절연기판 상에 형성되어 있으며 소정영역을 둘러싸는 격벽과; 상기 격벽 내에 10℃ 내지 30℃에서 고상인 제1용매, 10℃ 내지 30℃에서 액상인 제2용매 및 유기물을 혼합하여 잉크 조성물을 공급하고 상기 제1용매와 상기 제2용매를 휘발시켜 형성된 유기층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 유기층의 품질이 균일한 표시장치가 제공된다.

16. 发明公开

KR1020070072296A 표시장치 및 그 제조방법과 표시장치 제조용 잉크 조성물 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070072296A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020060017831
申请日：2006-02-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차순욱 , 정진구 , 이주현 , 하재국 , 이정수 , 이수연 , 김성민
IPC分类号： C09K11/06
摘要： Provided are a display device, a method for preparing the display device capable of improving the uniformity of the quality of an organic layer, and an ink composition for preparing the display device. The display device comprises: an insulating substrate; a partition wall which is formed on the insulating substrate and surrounds a certain region; and an organic layer which is formed by providing an ink composition into the partition wall and volatilizing the solvents of the ink composition. The ink composition comprises: a first solvent which is in solid phase at a temperature of 10-30 deg.C; a second solvent which is in liquid phase at a temperature of 10-30 deg.C; and an organic material. The second solvent is volatilized before the first solvent, and the first solvent is volatilized after the second solvent is in solid phase.
摘要翻译：提供一种显示装置，能够提高有机层质量均匀性的显示装置的制备方法和用于制备显示装置的油墨组合物。显示装置包括：绝缘基板; 分隔壁，其形成在所述绝缘基板上并围绕某一区域; 以及通过将油墨组合物提供到分隔壁中并使油墨组合物的溶剂挥发而形成的有机层。油墨组合物包括：在10-30℃的温度下为固相的第一溶剂; 在10-30℃的温度下处于液相的第二溶剂; 和有机材料。第二溶剂在第一溶剂之前挥发，第二溶剂在固相后挥发。

17. 发明授权

KR100642634B1 게이트 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들 有权
标题翻译：具有门相变层图案的PRAM及其形成方法
公开(公告)号：KR100642634B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040049820
申请日：2004-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연 , 안수진 , 정창욱
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 게이트 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램(PRAM; Phase-change Random Access Memory)들 및 그 형성밥법들을 제공한다. 이 피이. 램들 및 그 형성방법들은 PN 정션 다이오드와 동일한 스위칭 특성을 나타내는 게이트 상전이막 패턴을 사용해서 CMOS 트랜지스터를 대체할 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 기판에 적어도 하나의 활성영역을 고립시키는 트랜치 절연막이 배치된다. 상기 활성영역 상에 게이트 스위칭 패턴 및 메모리 스위칭 패턴이 차례로 적층된다. 상기 메모리 스위칭 패턴 및 게이트 스위칭 패턴은 전기적으로 연결된다. 그리고, 상기 메모리 스위칭 패턴 및 게이트 스위칭 패턴의 각각은 상전이막을 갖도록 배치된다. 이를 통해서, 상기 피이. 램들 및 그 형성방법들은 상전이막을 사용하여 고집적화 및 고속화를 구현해서 반도체 장치의 시장 욕구에 대응할 수 있게 해준다.
피이. 램, PN 정션 다이오드, 게이트 상전이막 패턴, 셀.

18. 发明公开

KR1020060021216A 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 개재된 상전이막 패턴을갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들. 有权
标题翻译：具有在成型层和成型层之间插入的相变层模式的模型及其形成方法
公开(公告)号：KR1020060021216A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040070089
申请日：2004-09-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유경창 , 이수연 , 황영남 , 이세호
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 개재된 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들을 제공한다. 상기 피이. 램들 및 그 형성방법들은 축소된 디자인 룰에 대응해서 노드 도전막 패턴 및 하부 전극을 이어줄 수 있는 상전이막 패턴을 제시해준다. 이를 위해서, 반도체 기판의 상부의 평탄화 층간절연막에 노드 도전막 패턴이 배치된다. 상기 평탄화 층간절연막 및 노드 도전막 패턴을 차례로 덮는 몰딩막, 형성막 패턴 및 보호막을 형성한다. 상기 형성막 패턴은 몰딩막으로 둘러싸이도록 배치된다. 그리고, 상기 몰딩막 및 평탄화 층간절연막 사이에 개재되도록 하부 전극을 형성한다. 상기 보호막 상에 상부 전극을 형성한다. 상기 평탄화 층간절연막 상에 위치되어서 몰딩막 및 형성막 패턴 사이에 배치된 상전이막 패턴을 형성한다. 상기 상전이막 패턴 및 몰딩막 사이에 스페이서 패턴이 배치된다. 상기 하부 전극 상에 위치되어서 보호막 및 몰딩막에 배치된 접속 노드막 패턴을 형성한다. 이때에, 상기 접속 노드막 패턴은 상부 및 하부 전극들을 이어준다. 상기 상전이막 패턴은 노드 도전막 패턴 및 하부 전극과 접촉한다. 또한, 상기 하부 전극은 접속 노드막 패턴으로부터 노드 도전막 패턴을 향하여 돌출해서 형성막 패턴 아래에 배치된다.
상전이막 패턴, 하부 전극. 상부 전극.

19. 发明公开

KR1020060000845A 게이트 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램들 및 그 형성방법들 有权
标题翻译：具有门相变更层的图案及其形成方法
公开(公告)号：KR1020060000845A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049820
申请日：2004-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수연 , 안수진 , 정창욱
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 게이트 상전이막 패턴을 갖는 피이. 램(PRAM; Phase-change Random Access Memory)들 및 그 형성밥법들을 제공한다. 이 피이. 램들 및 그 형성방법들은 PN 정션 다이오드와 동일한 스위칭 특성을 나타내는 게이트 상전이막 패턴을 사용해서 CMOS 트랜지스터를 대체할 수 있는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 기판에 적어도 하나의 활성영역을 고립시키는 트랜치 절연막이 배치된다. 상기 활성영역의 반도체 기판의 주 표면 상에 하부 전극막 패턴을 형성한다. 상기 하부 전극막 패턴 상에 게이트 스위칭 패턴이 배치된다. 상기 게이트 스위칭 패턴은 차례로 적층된 게이트 상전이막 패턴 및 게이트 스위칭막 패턴을 사용해서 형성한다. 이를 통해서, 상기 피이. 램들 및 그 형성방법들은 게이트 상전이막 패턴을 사용하여 고집적화 및 고속화를 구현해서 반도체 장치의 시장 욕구에 대응할 수 있게 해준다.
피이. 램, PN 정션 다이오드, 게이트 상전이막 패턴, 셀.

20. 发明授权

KR101805621B1 입력 영상의 채도 향상 장치 및 방법 有权
标题翻译：提高输入图像饱和度的设备和方法
公开(公告)号：KR101805621B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020110052996
申请日：2011-06-01
申请人： 삼성전자주식회사 , 울산과학기술원
发明人： 김연진 , 곽영신 , 박세혁 , 이수연 , 김재현
IPC分类号： H04N9/64 , H04N1/60
CPC分类号： H04N1/6005
摘要： 입력영상의밝기성분및 채도성분중, 상기입력영상의채도성분의채도값에대해채도변환을수행하는단계와; 상기입력영상의채도성분의채도값 및밝기성분의밝기값을포함하는입력영상정보와상기채도변환이수행된채도값에기초하여, 상기입력영상의밝기값을보상하는단계를포함하는것을특징으로하는입력영상의채도향상방법및 장치가개시된다.
摘要翻译：根据所述输入图像的亮度分量和饱和度分量对所述输入图像的饱和度分量的饱和度值进行饱和度转换; 并且基于包括输入图像的饱和分量的饱和度值和亮度分量的亮度值的输入图像信息和通过执行饱和度转换而获得的饱和度值来补偿输入图像的亮度值，公开了一种用于增强输入图像的饱和度的方法和设备。

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