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11. 发明专利

TW201437766A 包含含有羰基之聚羥芳香環酚醛樹脂之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含含有羰基之聚羟芳香环酚醛树脂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201437766A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102146076
申请日：2013-12-13
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 橋本圭裕 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
摘要：本發明之課題在於提供一種具有高耐乾式蝕刻性、耐扭動性、耐熱性等之微影步驟中所使用之阻劑下層膜。本發明之解決手段是一種微影用阻劑下層膜形成組成物，其係包含含有下列式(1)的單位結構之聚合物， (式(1)中，A表示來自聚羥芳香族化合物之碳數6至40之經羥基取代的伸芳基，B表示碳數6至40的伸芳基或是含有氮原子、氧原子、硫原子或此等的組合之碳數4至30的雜環基，X+表示H+、NH4+、1級銨離子、2級銨離子、3級銨離子、或4級銨離子，T為氫原子、或是可經鹵素基、羥基、硝基、胺基、羧酸酯基、腈基、或此等的組合之取代基所取代之碳數1至10的烷基、碳數6至40的芳基或是含有氮原子、氧原子、硫原子或此等的組合之碳數4至30的雜環基，B與T，可與此等所鍵結之碳原子成為一體而形成碳數4至40的環)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种具有高耐干式蚀刻性、耐扭动性、耐热性等之微影步骤中所使用之阻剂下层膜。本发明之解决手段是一种微影用阻剂下层膜形成组成物，其系包含含有下列式(1)的单位结构之聚合物， (式(1)中，A表示来自聚羟芳香族化合物之碳数6至40之经羟基取代的伸芳基，B表示碳数6至40的伸芳基或是含有氮原子、氧原子、硫原子或此等的组合之碳数4至30的杂环基，X+表示H+、NH4+、1级铵离子、2级铵离子、3级铵离子、或4级铵离子，T为氢原子、或是可经卤素基、羟基、硝基、胺基、羧酸酯基、腈基、或此等的组合之取代基所取代之碳数1至10的烷基、碳数6至40的芳基或是含有氮原子、氧原子、硫原子或此等的组合之碳数4至30的杂环基，B与T，可与此等所键结之碳原子成为一体而形成碳数4至40的环)。

12. 发明专利

TW201310173A 含有含丙烯醯胺結構的聚合物之微影用有機硬罩層形成用組成物审中-公开
简体标题：含有含丙烯酰胺结构的聚合物之微影用有机硬罩层形成用组成物
公开(公告)号：TW201310173A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101118006
申请日：2012-05-21
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 臼井友輝 , USUI, YUKI , 加藤雅一 , KATO, MASAKAZU , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO
IPC分类号： G03F7/11 , C08F220/56 , C08F220/58 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要：本發明提供一種相對於過去去除時使用灰化，為了可藉由鹼性水溶液去除遮罩，而可期待去除時減少對基板之損傷之有機硬罩層材料。本發明提供一種組成物，其係包含含有以下述式(1)表示之結構單位及以下述式(2)表示之結構單位之聚合物(A)、具有至少兩個經封阻異氰酸酯基、羥甲基或碳原子數1至5之烷氧基甲基之交聯性化合物(B)、及溶劑(C)之有機硬罩層形成用組成物，且由該有機硬罩層形成用組成物所得之有機硬罩層可用於使用多層膜之微影製程中之最下層者。 (式中，R1至R4、Y及X之定義係如說明書所記載)。
简体摘要：本发明提供一种相对于过去去除时使用灰化，为了可借由碱性水溶液去除遮罩，而可期待去除时减少对基板之损伤之有机硬罩层材料。本发明提供一种组成物，其系包含含有以下述式(1)表示之结构单位及以下述式(2)表示之结构单位之聚合物(A)、具有至少两个经封阻异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数1至5之烷氧基甲基之交联性化合物(B)、及溶剂(C)之有机硬罩层形成用组成物，且由该有机硬罩层形成用组成物所得之有机硬罩层可用于使用多层膜之微影制程中之最下层者。 (式中，R1至R4、Y及X之定义系如说明书所记载)。

13. 发明专利

TWI689785B 阻劑下層膜之形成方法有权
简体标题：阻剂下层膜之形成方法
公开(公告)号：TWI689785B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105104770
申请日：2016-02-18
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027

14. 发明专利

TWI646396B 包含含有羰基之聚羥芳香環酚醛樹脂之阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：包含含有羰基之聚羟芳香环酚醛树脂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI646396B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW102146076
申请日：2013-12-13
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 橋本圭裕 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027

15. 发明专利

TWI572988B 含有含苯基吲哚之酚醛清漆樹脂的阻劑底層膜形成組成物有权
简体标题：含有含苯基吲哚之酚醛清漆树脂的阻剂底层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI572988B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102110905
申请日：2013-03-27
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO
IPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133

16. 发明专利

TWI554835B 含有含羥基之咔唑酚醛樹脂的光阻下層膜形成組成物有权
简体标题：含有含羟基之咔唑酚醛树脂的光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI554835B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW100145325
申请日：2011-12-08
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 奧山博明 , OKUYAMA, HIROAKI , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 加藤雅一 , KATO, MASAKAZU
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271

17. 发明专利

TW201420667A 含有具多核苯酚類之酚醛清漆樹脂之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具多核苯酚类之酚醛清漆树脂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201420667A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102129810
申请日：2013-08-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L61/12 , C08K5/13 , C08J5/18 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本發明之課題在於提供阻劑下層膜形成組成物，其係用於形成具有高乾蝕刻耐性與耐晃動性，對於階差或凹凸部展現良好的平坦化性或埋入性之阻劑下層膜。本發明之解決手段為一種阻劑下層膜形成組成物，其係含有使具有至少具有3個苯酚基且該苯酚基鍵結於第三級碳原子的構造，或具有該苯酚基鍵結於甲基所鍵結之第四級碳原子的構造之化合物，與芳香族醛或芳香族酮在酸性觸媒之存在下反應而得之苯酚酚醛清漆樹脂。該阻劑下層膜形成組成物係苯酚酚醛清漆樹脂包含下述式(1)的單位構造、式(2)的單位構造、式(3)的單位構造、式(4)的單位構造或彼等單位構造之組合：
简体摘要：本发明之课题在于提供阻剂下层膜形成组成物，其系用于形成具有高干蚀刻耐性与耐晃动性，对于阶差或凹凸部展现良好的平坦化性或埋入性之阻剂下层膜。本发明之解决手段为一种阻剂下层膜形成组成物，其系含有使具有至少具有3个苯酚基且该苯酚基键结于第三级碳原子的构造，或具有该苯酚基键结于甲基所键结之第四级碳原子的构造之化合物，与芳香族醛或芳香族酮在酸性触媒之存在下反应而得之苯酚酚醛清漆树脂。该阻剂下层膜形成组成物系苯酚酚醛清漆树脂包含下述式(1)的单位构造、式(2)的单位构造、式(3)的单位构造、式(4)的单位构造或彼等单位构造之组合：

18. 发明专利

TW201730267A 包含具長鏈烷基之酚醛清漆的阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：包含具长链烷基之酚醛清漆的阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201730267A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105133726
申请日：2016-10-19
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：齊藤大悟 , SAITO, DAIGO , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L61/06 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C08G8/10 , C08G12/08 , G03F7/11 , G03F7/26
摘要：藉由提高聚合物之熱回流性以改善燒成時的對圖型之填充性，並用於在基板上形成平坦化性高的塗膜的阻劑下層膜形成組成物。本發明之阻劑下層膜形成組成物，其係包含藉由芳香族化合物(A)、與醛(B)之反應而得到的酚醛清漆樹脂，該醛(B)係具有鍵結於碳原子數2至26之烷基之第2級碳原子或第3級碳原子的甲醯基。酚醛清漆樹脂係包含下述式(1)： (式(1)中，A係表示自碳原子數6~40之芳香族化合物所衍生之二價基，b1係表示碳原子數1~16之烷基，b2係表示氫原子或碳原子數1~9之烷基)所表示之單位構造。A係自包含胺基、羥基、或其雙方之芳香族化合物所衍生之二價基。包含將阻劑下層膜形成組成物塗佈至半導體基板上並燒成來形成下層膜之步驟的半導體之製造中所使用的阻劑圖型之形成方法。
简体摘要：借由提高聚合物之热回流性以改善烧成时的对图型之填充性，并用于在基板上形成平坦化性高的涂膜的阻剂下层膜形成组成物。本发明之阻剂下层膜形成组成物，其系包含借由芳香族化合物(A)、与醛(B)之反应而得到的酚醛清漆树脂，该醛(B)系具有键结于碳原子数2至26之烷基之第2级碳原子或第3级碳原子的甲酰基。酚醛清漆树脂系包含下述式(1)： (式(1)中，A系表示自碳原子数6~40之芳香族化合物所衍生之二价基，b1系表示碳原子数1~16之烷基，b2系表示氢原子或碳原子数1~9之烷基)所表示之单位构造。A系自包含胺基、羟基、或其双方之芳香族化合物所衍生之二价基。包含将阻剂下层膜形成组成物涂布至半导体基板上并烧成来形成下层膜之步骤的半导体之制造中所使用的阻剂图型之形成方法。

19. 发明专利

TWI588201B 含有具多核苯酚類之酚醛清漆樹脂之阻劑下層膜形成組成物有权
简体标题：含有具多核苯酚类之酚醛清漆树脂之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TWI588201B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102129810
申请日：2013-08-20
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 新城徹也 , SHINJO, TETSUYA , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08L61/12 , C08K5/13 , C08J5/18 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144

20. 发明专利

TW201719289A 含有具長鏈烷基之環氧加成物之光阻下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：含有具长链烷基之环氧加成物之光阻下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201719289A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105120321
申请日：2016-06-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 齊藤大悟 , SAITO, DAIGO , 柄澤涼 , KARASAWA, RYO , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C09D5/006 , C09D163/00 , G03F7/0045 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3081 , H01L21/3086
摘要：本發明提供一種可於基板上形成高平坦化性塗膜的光阻下層膜形成組成物。一種光阻下層膜形成組成物，其為含有，由含有環氧基之化合物(A)，與形成環氧加成物之化合物(B)進行反應而得之環氧加成物(C)，其中，該化合物(A)及該化合物(B)之一者或二者中，為含有可具有分支的碳原子數3以上之烷基。形成環氧加成物之化合物(B)為，由羧酸(B1)、羧酸酐(B2)、酚化合物(B3)、含有羥基之化合物(B4)、硫醇化合物(B5)、胺基化合物(B6)，及醯亞胺化合物(B7)所成之群所選出之至少1種之化合物。形成環氧加成物之化合物(B)中，為含有可具有分支的碳原子數3以上之烷基者。可具有分支的烷基為碳原子數3至19之烷基。
简体摘要：本发明提供一种可于基板上形成高平坦化性涂膜的光阻下层膜形成组成物。一种光阻下层膜形成组成物，其为含有，由含有环氧基之化合物(A)，与形成环氧加成物之化合物(B)进行反应而得之环氧加成物(C)，其中，该化合物(A)及该化合物(B)之一者或二者中，为含有可具有分支的碳原子数3以上之烷基。形成环氧加成物之化合物(B)为，由羧酸(B1)、羧酸酐(B2)、酚化合物(B3)、含有羟基之化合物(B4)、硫醇化合物(B5)、胺基化合物(B6)，及酰亚胺化合物(B7)所成之群所选出之至少1种之化合物。形成环氧加成物之化合物(B)中，为含有可具有分支的碳原子数3以上之烷基者。可具有分支的烷基为碳原子数3至19之烷基。

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