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11. 发明专利

JP2017040833A 化学増幅型レジスト材料有权
标题翻译：化学放大抗蚀材料
公开(公告)号：JP2017040833A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163254
申请日：2015-08-20
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/203 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用な化学増幅型レジスト材料の提供。【解決手段】レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線である第一の放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線である第二の放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備えるプロセスにおいて使用される化学増幅型レジスト材料であって、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となるベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(2)成分から発生する酸のファンデルワールス体積が、3.0×10 −28 m 3 以上である化学増幅型レジスト材料。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种有用的化学放大型抗蚀剂材料图案化实际使用电离辐射如EUV光等技术。在预定的点A照射所述第一辐射的图案曝光工序的抗蚀剂材料的膜的电离辐射或非电离辐射，散装照射第二辐射是非电离辐射，以该抗蚀剂材料的膜曝光工序中，加热该抗蚀材料膜，的烘烤步骤的化学放大抗蚀剂的方法中使用的材料和形成由（1）酸的作用抗蚀剂图案，可溶于显影剂的显影步骤可溶的或包括由基体组分和（2）使所述不溶性，（2）成分，（a）成分产生辐射敏感的敏化剂和酸的成分中，（a）〜（c）成分的任何两个部件，或（a）包含所有〜（c）成分，从组件产生的酸的范德华体积（2）是一种化学放大型抗蚀剂是3.0×10-28m3以上材料。系统技术领域

12. 发明专利

JP2015172741A 光増感化学増幅型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法、半導体デバイス、リソグラフィ用マスク、並びにナノインプリント用テンプレート审中-公开
标题翻译：光致变色化学放大型耐光材料，使用其的图案形成方法，半导体器件，用于NANO印迹的层析和模板掩模
公开(公告)号：JP2015172741A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015028423
申请日：2015-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：永原誠司 , 田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027 , C09K3/00 , C08F220/10 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F1/20 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用な光増感化学増幅型レジスト材料を提供する。【解決手段】本発明に係る光増感化学増幅型レジスト材料は、二段露光リソグラフィプロセスに使用され、(1)現像可能なベース成分と、(2)露光により光増感剤と酸とを発生する成分とを含む。上記成分は、(a)酸−光増感剤発生剤、(b)光増感剤前駆体、及び、(c)光酸発生剤の3つの成分のうち、(a)成分のみを含有する、任意の2つの成分を含有する、又は、(a)〜(c)成分のすべてを含有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光敏化学放大型抗蚀剂材料，其可用于实现使用电离辐射的图案形成技术，例如EUV光。解决方案：光敏化学放大型抗蚀剂材料用于两阶段曝光光刻工艺，包括（1）可显影的基础成分和（2）暴露时产生光敏剂和酸的成分，其成分包括（a）单独的酸敏感剂发生器，从成分（a）任意选择的两种成分，，（b）光敏剂前体和（c）光酸产生剂或所有成分（a）至（c）。

13. 发明专利

JP2019507382A 光増感化学増幅レジスト(PS−CAR)シミュレーション审中-公开
公开(公告)号：JP2019507382A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2018544094
申请日：2017-02-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , トーキョーエレクトロンユーエスホールディングス,インコーポレーテッド , 国立大学法人大阪大学
发明人：カルカッシ,マイケル , ラスサック,ベンジャミン,エム. , サマヴェル,マーク,エイチ. , プリンツ,ウォレスピー. , 永原誠司 , 田川精一
IPC分类号： G03F1/70 , G03F7/20
摘要： PS−CARフォトレジストシミュレーションのための方法及びシステムが、記載されている。実施形態において、方法は、放射線感受性材料を用いるリソグラフィプロセスの少なくとも1つのプロセスパラメータをシミュレーションによって特定するステップを含む。かかる実施形態において、放射線感受性材料は、前記放射線感受性材料内において第1酸濃度まで酸の生成を制御し、前記放射線感受性材料内において光増感材分子の生成を制御する第1光波長活性化閾値と、前記第1酸濃度より大きい第2酸濃度を有する酸を生じる前記放射線感受性材料内の前記光増感材分子を励起することができる第2光波長活性化閾値であって、前記第2光波長は前記第1波長と異なる、第2光波長活性化閾値と、を備える。かかる実施形態において、方法は、予め特定された少なくとも1つのプロセスパラメータを用いてリソグラフィプロセスを実行するステップも含む。

15. 发明专利

JP6866631B2 光処理装置、塗布、現像装置、光処理方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP6866631B2
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2016246677
申请日：2016-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永原誠司 , 友野勝 , 福永信貴 , 白石豪介
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/20

16. 发明专利

JP2016086042A 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP2016086042A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014216612
申请日：2014-10-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永原誠司 , 白石豪介 , 寺下裕一 , 友野勝
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要：【課題】露光処理終了からPEB処理開始までの時間によらず、レジストパターンの線幅を所望なものとする。【解決手段】レジスト膜が形成されたウェハを処理する基板処理方法は、ウェハ上のレジスト膜に電子線によりパターンの露光を行う露光工程と、前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行うポスト露光工程と、ポスト露光後の基板に対してPEB処理を行うPEB処理工程と、PEB処理後のレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成する現像処理工程と、を有し、露光工程終了からポスト露光工程開始までのタクトタイムが所定の時間からずれる場合には、当該タクトタイムのずれに応じて、当該ポスト露光工程における露光量を補正する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：无论从曝光处理结束到开始PEB（曝光后烘烤）处理的时间为何，获得抗蚀剂图案的期望的线宽。解决方案：一种用于处理晶片的基板处理方法，抗蚀膜形成包括：用于通过电子束将图案曝光到晶片上的抗蚀剂膜的曝光处理; 后曝光处理，用于通过UV光曝光图案后对基板上的抗蚀剂膜进行曝光后曝光; 在曝光后对基板进行PEB处理的PEB处理工艺; 以及用于在PEB处理之后显影抗蚀剂膜以在基板上形成抗蚀剂图案的显影处理工艺。当从曝光处理结束到后曝光处理开始的节拍时间偏离预定时间时，根据节拍时间的偏差来校正后曝光处理中的曝光量。图6

17. 发明专利

JP2021532179A 光開始剤审中-公开
公开(公告)号：JP2021532179A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021525374
申请日：2019-07-18
申请人：リントフィールドリミテッド , 東京エレクトロン株式会社
发明人：ウォール,クリストファー , 永原誠司
IPC分类号： C07D495/10 , G03F7/031 , C07D335/16
摘要：潜在的な光開始剤化合物、およびそのような化合物を含む組成物、ならびに構造化されたフォトレジストを生産するための光開始方法におけるそれらの使用が記載されている。

18. 发明专利

JP2021120759A 露光装置及び露光方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021120759A
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：JP2021080569
申请日：2021-05-11
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永原誠司 , 友野勝 , 福永信貴 , 白石豪介 , 嶺川幸江
IPC分类号： G03F7/20
摘要：【課題】基板の表面全体を露光する露光装置において、基板の面内の各部の露光量を精度高く制御することができる技術を提供すること。【解決手段】基板Wの表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、基板Wの表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域30を形成する複数の光照射部4と、載置部33に載置された基板Wを照射領域30に対して相対的に回転させる回転機構34と、照射領域30に対して載置部33を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構36と、を備える露光装置3を構成する。そして、基板Wの表面全体が露光されるように当該基板Wを、第1の照度分布が形成された照射領域30に対して相対的に回転させる。また、基板Wの表面全体が露光されるように、基板Wの回転が停止した状態で当該基板を第2の照度分布が形成された照射領域30に対して前後方向に相対的に移動させる。【選択図】図4

19. 发明专利

JP2018081279A 露光装置、露光方法及び記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2018081279A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016225324
申请日：2016-11-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永原誠司 , 友野勝 , 福永信貴 , 白石豪介 , 嶺川幸江
IPC分类号： H01L21/68 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70725 , G03F7/2022 , G03F7/70558 , G03F7/70775 , H01L21/67178 , H01L21/67225 , H01L21/67718
摘要：【課題】基板の表面全体を露光する露光装置において、基板の面内の各部の露光量を精度高く制御することができる技術を提供すること。【解決手段】基板Wの表面の左右の互いに異なる位置に各々独立して光を照射して、基板Wの表面の一端から他端に亘る帯状の照射領域30を形成する複数の光照射部4と、載置部33に載置された基板Wを照射領域30に対して相対的に回転させる回転機構34と、照射領域30に対して載置部33を前後に相対的に移動させる載置部用移動機構36と、を備える露光装置3を構成する。そして、基板Wの表面全体が露光されるように当該基板Wを、第1の照度分布が形成された照射領域30に対して相対的に回転させる。また、基板Wの表面全体が露光されるように、基板Wの回転が停止した状態で当該基板を第2の照度分布が形成された照射領域30に対して前後方向に相対的に移動させる。【選択図】図4

20. 发明专利

JP6809188B2 光照射装置有权
公开(公告)号：JP6809188B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2016240857
申请日：2016-12-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：守屋光彦 , 友野勝 , 嶋田諒 , 早川誠 , 永原誠司
IPC分类号： H01L33/00 , G03F7/20

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