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1. 发明专利

JP6482597B2 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体有权
公开(公告)号：JP6482597B2
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：JP2017101833
申请日：2017-05-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：井関智弘 , 竹口博史 , 寺下裕一
IPC分类号： G03F7/30 , B05C5/02 , B05C11/08 , H01L21/027

2. 发明专利

JP5956975B2 液処理装置及び液処理方法有权
公开(公告)号：JP5956975B2
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：JP2013259068
申请日：2013-12-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：吉原孝介 , 一野克憲 , 古庄智伸 , 佐々卓志 , 土屋勝裕 , 寺下裕一 , 竹口博史
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027

3. 发明专利

JP2015162665A 熱処理方法、熱処理装置、及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：热处理方法，热处理设备和储存介质
公开(公告)号：JP2015162665A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014038960
申请日：2014-02-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：井関智弘 , 寺下裕一 , ▲鶴▼田豊久
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：【課題】露光、現像後のレジストパターンに形成される凹凸が小さくなるようにレジスト膜を形成することが可能な基板の熱処理方法などを提供する。【解決手段】基板Wを加熱する熱処理方法において、化学増幅型のフォトレジスト組成物51と、第1の溶剤53と、前記フォトレジスト組成物51との相互作用により、予め設定された加熱温度における揮発性が前記第1の溶剤53よりも低い第2の溶剤52と、を含むレジスト液が塗布された基板Wを加熱開始前の温度雰囲気に置く。そして、前記基板Wを加熱温度まで加熱し、前記レジスト液から第1の溶剤及び第2の溶剤を揮発させレジスト膜を形成する。次いで、レジスト膜中に前記第2の溶剤が残存している状態で、基板Wを加熱温度から、当該第2の溶剤の揮発を抑えるための加熱停止温度まで冷却する。【選択図】図12
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成抗蚀剂膜的晶片的热处理方法等，以减少在曝光和显影之后以抗蚀剂图案形成的凹凸。解决方案：加热晶片的热处理方法 W包括在加热开始之前的温度环境中放置施加有抗蚀剂液体的晶片W，所述抗蚀剂液体含有化学放大型光致抗蚀剂组合物51，第一溶剂53和第二溶剂52，其中预设有挥发性通过与光致抗蚀剂组合物51的相互作用使加热温度低于第一溶剂53的温度。然后将晶片W加热至加热温度，第一溶剂和第二溶剂从抗蚀剂液体中挥发，从而形成抗蚀剂电影。接下来，在第二溶剂在抗蚀剂膜中残留的状态下，将晶片W从加热温度冷却至加热停止温度，以抑制第二溶剂的挥发。

4. 发明专利

JP2015073007A 処理液供給装置及び処理液供給方法有权
标题翻译：处理液体供应装置和处理液体供应方法
公开(公告)号：JP2015073007A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013207748
申请日：2013-10-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：寺下裕一 , 吉原孝介 , ▲高▼▲柳▼ 康治 , 古庄智伸 , 佐々卓志
IPC分类号： B05C11/10 , B01D19/00 , B01D24/48 , B01D29/60 , B05C11/08 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67017
摘要：【課題】処理液を無駄に消費することなく、処理液中のパーティクルの増加を効率的に抑制することができる処理液供給装置を提供する。【解決手段】被処理体を処理するための処理液を供給する処理液供給源60と、前記処理液供給源に供給路を介して接続され、前記処理液を被処理体Wに吐出する吐出部70と、前記供給路に設けられ、処理液中の異物を除去するためのフィルタ装置52aと、前記供給路におけるフィルタ装置の一次側及び二次側に夫々設けられた供給ポンプP1及び吐出ポンプP2と、前記処理液供給源から供給された処理液を、前記供給ポンプ及び吐出ポンプの少なくとも一方を用いて減圧して脱気し、次いで脱気された処理液を前記供給ポンプ及び吐出ポンプを用いて前記フィルタ装置の一次側から当該フィルタ装置を介して二次側へ通過させるように制御信号を出力する制御部200と、を備える。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种处理液供给装置，能够有效地抑制处理液中的粒子的增加，而不会不必要地消耗处理液。解决方案：处理液供给装置包括：处理液供给源60，处理被处理对象; 经由供给路连接到处理液供给源的排出部70，用于将处理液排出到处理体W; 设置在供给路径上用于除去处理液中的异物的过滤装置52a; 设置在供给路径上的过滤装置的一次侧和次级侧的供给泵P1和排出泵P2; 以及控制部200，用于输出控制信号，以通过使用供给泵和排出泵中的至少一个来对从处理液体供给源供给的处理液进行解压缩和脱气，并且允许脱气处理液从初级通过使用供给泵和排出泵，通过过滤装置将过滤装置的一侧流向次级侧。

5. 发明专利

JP6148210B2 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体有权
公开(公告)号：JP6148210B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2014124158
申请日：2014-06-17
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：竹口博史 , 井関智弘 , 寺下裕一
IPC分类号： G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/162 , G03F7/3028 , B05D1/005 , H01L21/6715

6. 发明专利

JP5963785B2 液処理装置、液処理方法及び液処理用記憶媒体有权
标题翻译：液体处理装置，用于存储介质的液体处理方法和处理液
公开(公告)号：JP5963785B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2014000077
申请日：2014-01-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼▲柳▼ 康治 , 嶺川幸江 , 吉原孝介 , 寺下裕一 , 古庄智伸 , 佐々卓志
IPC分类号： B05C11/10 , B05D3/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67017 , F04B43/0081 , F04B49/065 , H01L21/6715 , F04B2205/503

7. 发明专利

JP5929852B2 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体有权
公开(公告)号：JP5929852B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013157006
申请日：2013-07-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：一野克憲 , 吉原孝介 , 寺下裕一
IPC分类号： B05C11/08 , B05C9/12 , B05D1/40 , H01L21/027

8. 发明专利

JP2016086042A 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板处理方法，程序，计算机存储介质和基板处理系统
公开(公告)号：JP2016086042A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014216612
申请日：2014-10-23
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：永原誠司 , 白石豪介 , 寺下裕一 , 友野勝
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
摘要：【課題】露光処理終了からPEB処理開始までの時間によらず、レジストパターンの線幅を所望なものとする。【解決手段】レジスト膜が形成されたウェハを処理する基板処理方法は、ウェハ上のレジスト膜に電子線によりパターンの露光を行う露光工程と、前記パターンの露光が行なわれた後の基板上のレジスト膜に対して、UV光によるポスト露光を行うポスト露光工程と、ポスト露光後の基板に対してPEB処理を行うPEB処理工程と、PEB処理後のレジスト膜を現像して基板上にレジストパターンを形成する現像処理工程と、を有し、露光工程終了からポスト露光工程開始までのタクトタイムが所定の時間からずれる場合には、当該タクトタイムのずれに応じて、当該ポスト露光工程における露光量を補正する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：无论从曝光处理结束到开始PEB（曝光后烘烤）处理的时间为何，获得抗蚀剂图案的期望的线宽。解决方案：一种用于处理晶片的基板处理方法，抗蚀膜形成包括：用于通过电子束将图案曝光到晶片上的抗蚀剂膜的曝光处理; 后曝光处理，用于通过UV光曝光图案后对基板上的抗蚀剂膜进行曝光后曝光; 在曝光后对基板进行PEB处理的PEB处理工艺; 以及用于在PEB处理之后显影抗蚀剂膜以在基板上形成抗蚀剂图案的显影处理工艺。当从曝光处理结束到后曝光处理开始的节拍时间偏离预定时间时，根据节拍时间的偏差来校正后曝光处理中的曝光量。图6

9. 发明专利

JP5807611B2 基板処理方法及び記憶媒体有权
公开(公告)号：JP5807611B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2012106307
申请日：2012-05-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：吉原孝介 , 寺下裕一 , 大河内厚
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027

10. 发明专利

JP2015072985A 処理液供給装置及び処理液供給方法有权
标题翻译：过程液体供应装置和过程液体供应方法
公开(公告)号：JP2015072985A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013207376
申请日：2013-10-02
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼▲柳▼ 康治 , 吉原孝介 , 寺下裕一 , 古庄智伸 , 佐々卓志
IPC分类号： B05C11/10 , H01L21/027
CPC分类号： F17D3/01 , Y10T137/0318 , Y10T137/794
摘要：【課題】処理液であるレジスト液Lを吐出ノズル7から吐出させるにあたって、スループットの低下を抑えながら、一のフィルタ52を用いて当該レジスト液Lの清浄化を図る。【解決手段】レジスト液Lが通流する供給管路51に、フィルタ52とポンプ70あるいはポンプ111、112を設ける。そして、フィルタ52を通過したレジスト液Lの一部を吐出ノズル7から吐出させると共に、残りのレジスト液Lをフィルタ52の一次側に戻して、後続の吐出動作の時、当該残りのレジスト液Lについて、再度フィルタ52を通過させる。このような動作シーケンスにおいて、フィルタ52の一次側に戻すレジスト液Lの戻り量について、吐出ノズル7から吐出されるレジスト液Lの供給量と同じか、あるいは当該供給量よりも多くなるように設定する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过使用一个过滤器52来清洁作为处理液体的抗蚀剂液体L，同时抑制从排出喷嘴7排出抗蚀剂液体L时的通过量的降低。溶液：过滤器52和泵70 或者泵111,112设置在供给管线51中，抵抗液L通过该供给管线51流动。已经通过过滤器52的抗蚀剂液体L的一部分从排出喷嘴7排出，同时剩余的抗蚀剂液体返回到过滤器52的初级侧，剩余的抗蚀剂液体L通过在随后的放电操作期间再次过滤。在这样的操作顺序中，返回到过滤器52的一次侧的抗蚀剂液体返回量被设定为等于或大于从排出喷嘴7排出的抗蚀剂液体L的供给量。

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