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11. 发明专利

JP2021014543A 低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法、及び、粉末审中-公开
公开(公告)号：JP2021014543A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019130586
申请日：2019-07-12
申请人：ダイキン工業株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：東千誠 , 増田英二 , 辻雅之 , 下堂亨 , 中野泰宏 , 大島明博
IPC分类号： C08F8/50 , C08J3/28
摘要：【課題】パーフルオロオクタン酸及びその塩を生成させにくい低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法等を提供する。【解決手段】実質的に酸素の不存在下で、高分子量ポリテトラフルオロエチレンに250kGy以上の放射線を照射して、380℃における溶融粘度が1.0×10 2 〜7.0×10 5 Pa・sである低分子量ポリテトラフルオロエチレンを得る工程(1)を含む低分子量ポリテトラフルオロエチレンの製造方法。【選択図】図1

12. 发明专利

JP6293645B2 基板処理システム有权
公开(公告)号：JP6293645B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014233370
申请日：2014-11-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：永原誠司 , 白石豪介 , 志村悟 , 吉原孝介 , 川上真一路 , 友野勝 , 田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/20 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L21/67196 , H01L21/67225

13. 发明专利

JP2016206680A レジストパターン形成方法、レジスト潜像形成装置、レジストパターン形成装置及びレジスト材料有权
标题翻译：形成抗蚀剂图案的方法，抗蚀剂潜像形成装置中，抗蚀剂图案形成装置和抗蚀剂材料
公开(公告)号：JP2016206680A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016147432
申请日：2016-07-27
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/203 , G03F7/2032 , G03F7/32 , G03F7/38
摘要：【課題】トレードオフの関係を解決し、レジストの感度を向上させることができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のレジストパターン形成方法は、基板11にレジスト層12を形成するレジスト層形成ステップS101と、活性化エネルギービームの照射によって前記レジスト層を活性化する活性化ステップS103と、前記レジスト層の活性の減衰を抑制する減衰抑制ステップS105と、潜像形成エネルギービームの照射によって、前記活性化されたレジスト層にパターン潜像を形成するパターン潜像形成ステップS107と、前記レジスト層を現像する現像ステップS110とを含有する。【選択図】図1
摘要翻译：甲解决了折衷关系，提供一种可以提高抗蚀剂的灵敏度的抗蚀剂图案形成方法。用于形成抗蚀剂图案，本发明涉及一种用于形成在衬底11上的抗蚀剂层12形成工序S101的抗蚀剂层的方法，通过活化能射线的照射活化抗蚀剂层的活化步骤S103，其中和抑制衰减抑制步骤S105中的抗蚀剂层的活性的衰减，通过潜像形成能量射束的照射，图案潜像形成在活化抗蚀剂层的图案潜像形成步骤S107中，将抗蚀剂层含显影的显影步骤S110。点域1

14. 发明专利

JP6512994B2 化学増幅型レジスト材料有权
公开(公告)号：JP6512994B2
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：JP2015163254
申请日：2015-08-20
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , G03F7/20 , G03F7/004

16. 发明专利

JP2019168475A 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019168475A
公开(公告)日：2019-10-03
申请号：JP2016156024
申请日：2016-08-08
申请人： JSR株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , C09K3/00 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】高い感度及び優れたリソグラフィ性能を得ることが可能な化学増幅型レジスト材料及びこの化学増幅型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学増幅型レジスト材料は、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となる重合体成分と、(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分と、(3)上記(2)成分が発生する酸に対して相対的に塩基性を有する成分とを含み、上記(2)成分が、下記(a)成分、下記(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は下記(a)〜(c)成分の全てを含有し、上記(a)成分又は(c)成分が、感放射線性酸発生基を有する第1化合物を有し、上記(3)成分が、下記(d)成分である第2化合物を含有する。 (a)感放射線性酸−増感体発生剤 (b)感放射線性増感体発生剤 (c)感放射線性酸発生剤 (d)感放射線性光崩壊性塩基【選択図】なし

17. 发明专利

JP2017040918A パターン形成方法审中-公开
标题翻译：的图案形成方法
公开(公告)号：JP2017040918A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/2032 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要：【課題】EUV光等の電離放射線等を利用したパターン形成技術の実用化に有用なパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明のパターン形成方法は、基板上に形成された反射膜上にレジスト材料を用いてレジスト材料膜を形成する膜形成工程と、レジスト材料膜の所定の箇所に電離放射線又は非電離放射線を照射するパターン露光工程と、上記レジスト材料膜に非電離放射線を照射する一括露光工程と、上記レジスト材料膜を加熱するベーク工程と、レジストパターンを形成する現像工程とを備え、一括露光工程で照射する非電離放射線における上記反射防止膜の消衰係数が0.1以上であり、上記レジスト材料が、(1)酸の作用により現像液に可溶又は不溶となるベース成分と(2)露光により感放射線性増感体及び酸を発生する成分とを含み、上記(2)成分が、(a)成分、(a)〜(c)成分中の任意の2つの成分、又は(a)〜(c)成分の全てを含有する。【選択図】図1
摘要翻译：提供有用的图案形成方法，实际使用的利用电离辐射的图案化技术，例如EUV光或类似物。本发明的一种图案形成方法，成膜形成使用形成在衬底上的反射膜的抗蚀剂材料的抗蚀剂材料的膜的步骤中，在预定位置处的抗蚀剂的电离辐射或非材料膜包括照射电离放射线，照射非电离辐射在抗蚀剂材料的膜，加热该抗蚀材料膜的烘烤工序，的全面曝光步骤的图案曝光工序和形成上述抗蚀剂图案的显影步骤中，拍摄的曝光和在非电离辐射的防反射膜的消光系数在上述步骤0.1被照射时，抗蚀剂材料（1）由酸和碱成分的作用的水溶性或显影剂变得不溶于（2）曝光和由上述（2）成分，（a）成分，产生一辐射敏感的敏化剂和酸的成分的（a）〜（c）中所述的部件，或任意两个组分（a）〜（c）含所有组件。点域1

18. 发明专利

JP6809843B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6809843B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2016160898
申请日：2016-08-18
申请人：国立大学法人大阪大学 , 東京エレクトロン株式会社 , JSR株式会社
发明人：中川恭志 , 成岡岳彦 , 永井智樹 , 田川精一 , 大島明博 , 永原誠司
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/20 , G03F7/38

19. 发明专利

JP2016035582A レジスト材料有权
标题翻译：耐性材料
公开(公告)号：JP2016035582A
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：JP2015199430
申请日：2015-10-07
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/203 , G03F7/2032 , G03F7/32 , G03F7/38
摘要：【課題】高感度のレジスト材料を提供する。【解決手段】本発明のレジストパターン材料は、ベース樹脂および増感体前駆体を含有するレジスト組成物を含む。前記レジスト組成物は、第1エネルギービームの照射によって増感体を生成し、前記増感体によるレジスト反応を促進させる第2エネルギービームを、前記第1エネルギービームを照射することなく照射しても増感体を生成させない。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高灵敏度的抗蚀剂材料。解决方案：本发明的抗蚀剂图案材料包括含有基础树脂和敏化剂前体的抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物通过用第一能量束的照射产生敏化剂。当未用第一能量束照射的抗蚀剂组合物用加速感光剂的抗蚀剂反应的第二能量束照射时，抗蚀剂组合物不会产生敏化剂。选择图：无

20. 发明专利

JP5881093B1 レジスト材料有权
标题翻译：抗蚀材料
公开(公告)号：JP5881093B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2015199430
申请日：2015-10-07
申请人：国立大学法人大阪大学
发明人：田川精一 , 大島明博
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/203 , G03F7/2032 , G03F7/32 , G03F7/38
摘要：【課題】高感度のレジスト材料を提供する。【解決手段】本発明のレジストパターン材料は、ベース樹脂および増感体前駆体を含有するレジスト組成物を含む。前記レジスト組成物は、第1エネルギービームの照射によって増感体を生成し、前記増感体によるレジスト反応を促進させる第2エネルギービームを、前記第1エネルギービームを照射することなく照射しても増感体を生成させない。【選択図】なし
摘要翻译：以提供具有高灵敏度的抗蚀剂材料。本发明的抗蚀剂图案材料包含含有基础树脂和增感前体抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物通过的第1能量束的照射产生的敏化体，所述第二能量束以加速抗蚀剂敏化剂反应，它是在没有照射所述第一能量束照射不产生敏体。系统技术领域

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