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11. 发明申请

WO2007048393A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH CHARGE COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有电荷补偿结构和工艺半导体部件生产同样
公开(公告)号：WO2007048393A3
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/DE2006001879
申请日：2006-10-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
发明人： SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) and method for producing the same. For that purpose, the semiconductor component (1) has a semiconductor body (4) with a drift section (5) between two electrodes (6, 7). The drift section (5) comprises drift zones of a first conductivity type forming a current path between the electrodes (6, 7) in the drift section, while charge compensation zones (11) of a complementary conductivity type narrow the current path in the drift section (5). The drift section (5) comprises for that purpose two alternating, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having a monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having a monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with walls (14, 15) which have a complementary doping and form the charge compensation zones (11).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。为了这个目的，在半导体主体（4）的半导体器件（1）（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。漂移区（5）包括漂移的第一导电类型的区域中，电极之间的电流路径（6,7）提供在漂移路径，而互补的导电类型的电荷补偿区（11）压缩所述漂移区（5）的电流路径。为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）（13），具有互补掺杂壁（14，15），其中，所述互补掺杂壁（14，15）形成电荷补偿区（11）。

12. 发明申请

WO2007048387A3 HALBLEITERBAUELEMENT MIT PN-ÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2007048387A3
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/DE2006/001848
申请日：2006-10-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin
发明人： MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/32 , H01L29/08
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterbauelement (3) weist einen Halbleiterkörper (4) auf. In dem Halbleiterkörper (4) ist ein PN-Übergang angeordnet, der ein p-leitendes Gebiet (11) und ein n-leitendes Gebiet (9) aufweist. Das p-leitende Gebiet (11) oder das n-leitende Gebiet (9) des PN-Übergangs weisen Bereiche (23) auf, welche den PN-Übergang innerhalb des Halbleiterkörpers (4) räumlich begrenzen.

13. 发明申请

WO2007012490A2 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER DRIFTZONE UND EINER DRIFTSTEUERZONE 审中-公开
标题翻译：与漂移区和漂移控制区带半导体部件
公开(公告)号：WO2007012490A2
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/EP2006/007450
申请日：2006-07-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , PFIRSCH, Frank , MAUDER, Anton , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin , ZUNDEL, Markus , HIRLER, Franz , MITTAL, Arunjai
发明人： PFIRSCH, Frank , MAUDER, Anton , SCHULZE, Hans-Joachim , SEDLMAIER, Stefan , WILLMEROTH, Armin , ZUNDEL, Markus , HIRLER, Franz , MITTAL, Arunjai
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7393 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement das einen Halbleiterkörper (100) und folgende weitere Merkmale aufweist: eine Driftzone (2; 211) eines ersten Leitungstyps in dem Halbleiterkörper (100), eine Driftsteuerzone (3; 241) aus einem Halbleitermaterial, die zumindest abschnittsweise benachbart zu der Driftzone (2) in dem Halbleiterkörper angeordnet ist, ein Akkumulationsdielektrikum (4; 251), das zwischen der Driftzone (2; 211) und der Driftsteuerzone (3; 241) angeordnet ist.
摘要翻译：本发明涉及包括具有半导体主体（100）和下面的进一步的特征的半导体器件：一个漂移区（2; 211）在所述半导体主体（100），一个漂移控制区（3; 241）的第一导电类型的由半导体材料制成的，至少在邻近部分，以漂移区（2）被布置在半导体本体，累积电介质（4; 251）设置在所述漂移区域（2; 211）之间以及所述漂移控制区（3; 241）被布置。

14. 发明申请

WO2004008546A1 HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTEM RADIALSYMMETRISCHEM WIDERSTAND 审中-公开
标题翻译：具有集成径向对称的电阻半导体COMPONENT
公开(公告)号：WO2004008546A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007059
申请日：2003-07-02
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH , SCHULZE, Hans-Joachim , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , KELLNER-WERDEHAUSEN , PFIRSCH, Frank
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef , KELLNER-WERDEHAUSEN , PFIRSCH, Frank
IPC分类号： H01L29/8605
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L29/8605
摘要： Die Erfindung betrifft ein in einem Halbleiterkörper (1) angeordnetes Halbleiterbauelement mit mindestens einem integrierten radialsymmetrischen Lateralwiderstand (9) mit ortsabhängigem Schichtwiderstand, dessen radiale Abhängigkeit vorzugsweise so gestaltet ist, dass der differentielle Widerstand dR radial konstant ist oder die im Widerstand dissipierte Leistung radial konstant ist.
摘要翻译：本发明涉及一种在半导体本体（1）设置在具有至少一个集成电路的径向对称的侧向电阻器（9）与ortsabhängigem膜电阻器，其径向相关性优选地被设计为使得微分电阻的dR径向是恒定的或电阻性的功率耗散的功率是径向恒定半导体器件，

15. 发明申请

WO1997044827A1 THYRISTOR WITH INTEGRATED DU/DT PROTECTION 审中-公开
标题翻译：具有集成DU / dt保护晶闸管
公开(公告)号：WO1997044827A1
公开(公告)日：1997-11-27
申请号：PCT/DE1997000927
申请日：1997-05-07
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , RUFF, Martin , SCHULZE, Hans-Joachim , PFIRSCH, Frank
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7424 , H01L29/102 , H01L29/7428
摘要： Too great a dU/dt load on a tyristor can trigger uncontrolled firing in the area of the cathode surface. Because the plasma cannot easily spread out in that area and, consequently, the currency density quickly reaches critical values, the danger exists that local overheating may destroy the tyristor. The thyristor proposed has a centrally located BOD structure and several auxilliary thyristors which surround the BOD structure in a ring form (AG 1-5 (AG = amplifying gate)). Below/Underneath the emmitter area (11) assigned to the innermost auxilliary thyristor (1. AG), the resistance of the base facing the cathode (8) is locally increased. Since the length (L) and the coating resistance of this ring zone (15) decisively influences the dU/dt load capacity of the first auxilliary thyristor (1. AG), these parameters can be suitably dimensioned to ensure that the central thyristor area has the lowest dU/dt sensitivity of the system and, consequently, consistently fires first, when a critical rate of rise in the value of the off-state voltage is reached. This invention can be applied to light-triggered power thyristors.
摘要翻译：在过大的dv / dt应力可以点燃晶闸管这种不受控制的在阴极表面的面积。由于等离子体存在传播不良和电流密度，因此很快达到临界水平，有晶闸管的破坏的局部过热的风险。所提出的晶闸管具有一个位于中心的BOD结构（BOD =盈亏过二极管）和包围环状辅助晶闸管多个BOD结构的（1-5。AG）（AG =放大栅）上。最里面的辅助晶闸管（1 AG）发射极区域（11）相关联的下面局部增大阴极侧基的电阻（8）。由于宽度（L）和所述环形区（15）的薄层电阻决定性地影响所述DU / DT-携带第一辅助晶闸管（1 AG），可以是由这些参数的适当尺寸确保，的容量，中央晶闸管最小的dU / dt的具有该系统的压痛，因此它总是在第一超过所述电压梯度的临界值点燃。光触发晶闸管电源。

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