专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

171. 发明公开

KR1020040021533A 반도체 기판에 막을 형성하는 방법 无效
标题翻译：在半导体衬底上形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020040021533A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020030058753
申请日：2003-08-25
申请人： 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤
发明人： 산넬슨로크초우 , 카가미케니치 , 사토키요시
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/4405 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/314 , H01L21/31633 , Y10S438/905
摘要： PURPOSE: A method of forming a film on a semiconductor substrate is provided to clean contaminations in a reaction chamber of CVD(Chemical Vapor Deposition) by using active oxygen species generated from oxygen plasma. CONSTITUTION: In a method for forming a film on a semiconductor substrate using CVD, a CVD reaction chamber is cleaned by using active oxygen species. The active oxygen species is mixed with active fluorine species. The active oxygen species are products of oxygen plasma, which may be either generated within the CVD reaction chamber or generated remotely and introduced into the CVD reaction chamber.
摘要翻译：目的：提供一种在半导体衬底上形成膜的方法，以通过使用由氧等离子体产生的活性氧来清洁CVD反应室（化学气相沉积）中的污染。构成：在使用CVD在半导体基板上形成膜的方法中，通过使用活性氧来清洗CVD反应室。活性氧与活性氟物质混合。活性氧是氧等离子体的产物，其可以在CVD反应室内产生或远程产生并引入CVD反应室。

172. 发明公开

KR1020030007494A 실리콘 카바이드 접착 프로모터 층을 이용하여 저유전상수플루오르화 비결정 탄소에 대한 실리콘 질화물의 접착을강화하는 방법 失效
标题翻译： 실리콘카바이드접착프로모층을을이용하여저유전상수플루오르화비결정탄소에대한실리콘질화물의접착을강화하는방
公开(公告)号：KR1020030007494A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020027013236
申请日：2001-04-02
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 양홍닝 , 엔구옌튜
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76832 , C23C16/325 , C23C16/345 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3127 , H01L21/314 , H01L21/3146 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L2221/1036
摘要： 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 공정은 집적 회로의 배선 구조용 기판상에서 하나 이상의 유전 물질를 증착시키기 위해 제공된다. 약 28 ㎫ 의 내부 압축응력을 갖는 aF:C 층을 증착시키기 위해, 본 방법은 플루오르 함유 가스, 바람직하게는 옥타플루오로시클로부탄과, 탄소 함유 가스, 바람직하게는 메탄을 제공함으로써, 기판상에 플루오르화 비결정 가스 (aF:C) 층을 증착시키는 단계를 포함한다. 증착시킨 후에, 막은 약 400℃ 에서 약 2 시간동안 어닐링된다. 그 후, 상대적으로 수소가 없는 수소결합 실리콘 카바이드의 접착 프로모터층은 증착 가스로 실란 (SiH
4 ) 과 메탄 (CH
4 ) 을 이용하는 aF:C 층상에 증착된다. 실리콘 카바이드층은 분당 약 180 Å 의 비율로 증착될 수도 있고, 통상적으로 약 400 ㎫ 의 내부 압축응력을 갖는 실리콘 카바이드의 증착으로 귀착한다. 증착된 실리콘 카바이드층은 상대적으로 적은 수소결합을 가지며, 그것에 의하여 실리콘 질화물층과 aF:C 에 대한 aF:C 층의 접착성을 증진시키는 콤팩트한 구조를 생산하고, 그것은 실리콘 카바이드층을 통해서 플루오르의 확산을 감소시킨다. 그 후, 실리콘 질화물층은 접착 프로모터층상에 증착되고, 바람직하게는 증착 물질은 400℃ 에서 30 : 100 비율로 실란 (SiH
4 ) 과 질소 (N
2 ) 로 구성된다. 형성된 실리콘 질화물층은 상대적으로 적은 수소결합을 가지며, 그 결과 약 240 ㎫ 의 내부 압축응력을 갖는 층을 생산한다. 이 스택층 구조는 열 안정성을 가지며, 450 ℃ 까지 박리와 크랙킹에 저항하며, aF:C 유전층은 2.5 보다 더 낮은 유전 상수 (k) 를 갖는다.
摘要翻译：提供等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺用于在衬底上沉积一个或多个电介质材料层以用于集成电路的互连结构。该方法包括通过提供含氟气体（优选八氟环丁烷）和含碳气体（优选甲烷）以约5.6的比例沉积氟化无定形碳（aF：C）层在基底上以沉积 aF：具有大约28MPa的内部压缩应力的C层。沉积之后，薄膜在大约400℃退火; C.大约两个小时。然后使用硅烷（SiH 4）和甲烷（CH 4）作为沉积气体在a-F：C层上沉积相对不含氢的氢化碳化硅的助粘剂层。碳化硅层可以以大约180埃的沉积速率沉积; 每分钟并且通常导致沉积具有约400MPa的内部压缩应力的碳化硅层。沉积的碳化硅层具有相对较少的氢键，由此产生致密的结构，其促进a-F：C层与氮化硅层和a-F：C层的粘附，并且减少了氟通过碳化硅层的扩散。然后将氮化硅层沉积在粘附促进剂层上，沉积材料优选包含在400℃下以30:100的比例的硅烷（SiH 4）和氮气（N 2） C.氮化硅层具有相对较少的氢键，从而导致具有大约240MPa的内部压缩应力的层。这种叠层结构具有热稳定性并且抵抗剥离和开裂达450℃。 C.和a-F：C介电层具有低于或低于2.5的介电常数（k）。

173. 发明公开

KR1020020007224A 확산을 감소시키도록 낮은 유전상수 Ｋ의 유전층을 처리하기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于处理低介电常数降低氧气扩散的介电层的方法和装置
公开(公告)号：KR1020020007224A
公开(公告)日：2002-01-26
申请号：KR1020010042623
申请日：2001-07-14
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 후앙,케강 , 후앙,주디엘. , 수,핑
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/325 , C23C16/56 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L21/318 , H01L21/3185 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , Y10S438/931
摘要： PURPOSE: A method and an apparatus for treating dielectric layers with low dielectric constant to reduce oxygen diffusion is provided to reduce oxygen diffusion in low k layers and oxygen content in barrier layers, such as silicon carbide layers used in copper metallization. CONSTITUTION: A method and an apparatus for depositing low dielectric constant layers in a copper metallization stack that are resistant to oxygen diffusion and have low oxygen contents are provided. The layers may be formed by exposing a low dielectric constant layer to a plasma of an inert gas to densify the low dielectric constant layer, by exposing the low dielectric constant layer to a nitrating plasma to form a passivating nitride surface on the layer, or by depositing a thin passivating layer on the low dielectric constant layer to reduce oxygen diffusion therein.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理具有低介电常数以降低氧扩散的电介质层的方法和装置，以减少低k层中的氧扩散和阻挡层中的氧含量，例如用于铜金属化的碳化硅层。提供了一种用于在铜金属化堆叠中沉积低介电常数层的方法和装置，其耐氧扩散和氧含量低。可以通过将低介电常数层暴露于惰性气体的等离子体来致密化低介电常数层，通过将低介电常数层暴露于硝化等离子体以在层上形成钝化氮化物表面，或通过在低介电常数层上沉积薄钝化层以减少其中的氧扩散。

174. 发明授权

KR100269315B1 램프가열방식의매엽식장비를이용한반도체장치의제조방법 失效
标题翻译：使用单个加热装置的半导体器件制造方法采用灯泡加热方法
公开(公告)号：KR100269315B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019970062439
申请日：1997-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경훈 , 박영욱 , 남갑진 , 원석준 , 윤덕수 , 곽선우
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： C23C16/45561 , C23C16/45557 , C23C16/481 , H01L21/28556 , H01L21/314 , Y10S438/907
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to increase the throughput per unit time by reducing a temperature stabilization time of a wafer when semiconductor devices are manufactured using a sheet type equipment. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor devices stabilizes a wafer loaded to a chamber and performs a given process for the stabilized wafer. In order to increase the throughput of wafers per unit time by reducing the time consumed in the process stabilization step, the chamber pressure in the process stabilization step is maintained to be higher that in the process implementation step for a given hour.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过在使用片式设备制造半导体器件时降低晶片的温度稳定时间来增加每单位时间的吞吐量。构成：制造半导体器件的方法使加载到腔室中的晶片稳定，并为稳定的晶片执行给定的工艺。为了通过减少在过程稳定步骤中消耗的时间来增加每单位时间的晶片的生产量，过程稳定步骤中的腔室压力被保持为高于给定时间的过程实施步骤。

175. 发明授权

KR100269025B1 층진 초격자 물질의 제조를 위한공정 失效
标题翻译：工艺FFOR制作层状材料
公开(公告)号：KR100269025B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019940702027
申请日：1992-12-08
申请人： 시메트릭스 코포레이션
发明人： 파즈데아라조,카로스,에이. , 쿠치아로,조셉,디. , 스코트,마이클,씨. , 맥밀란,래리,디.
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L27/10805 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D3/0493 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C26/02 , C30B7/00 , C30B29/68 , H01C7/1013 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/318 , H05K3/105
摘要： A precursor comprising a metal 2-ethylhexanoate in a xylenes solvent is applied to an integrated circuit wafer. The wafer is baked to dry the precursor, annealed to form a layered superlattice material on the wafer, then the integrated circuit is completed. If the metal is titanium, the precursor comprises titanium 2-methoxyethoxide having at least a portion of its 2-methoxyethoxide ligands replaced by 2-ethylhexanoate. If the metal is a highly electropositive element, the solvent comprises 2-methoxyethanol. If the metal is lead, bismuth, thallium, or antimony, 1% to 75% excess metal is included in the precursor to account for evaporation of the oxide during baking and annealing.

176. 发明授权

KR100205318B1 자유전율의 절연막 제조방법 失效
标题翻译：低介电隔离薄膜的制造
公开(公告)号：KR100205318B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960045259
申请日：1996-10-11
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박진원 , 이영희 , 김동선
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02129 , C23C16/30 , C23C16/517 , H01L21/02274 , H01L21/3127 , H01L21/314 , Y10S438/958
摘要： The method for forming an insulating film having a low dielectric constant, which is suitable for intermetal insulating film applications, by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) includes the step of supplying a first source gas containing fluorine and carbon to a dual-frequency, high density plasma reactor. The method also includes the step of supplying a second source gas containing silicon dioxide to the reactor. In this manner a fluorocarbon/silicon dioxide film is formed on a substrate in the reactor.

177. 发明授权

KR1019950000865B1 세라믹 피복물을 지지체위에 형성하는 방법 失效
标题翻译：来自金属氧化物的多层陶瓷涂层和在氨基酸中陶瓷的硅烷氧化物树脂
公开(公告)号：KR1019950000865B1
公开(公告)日：1995-02-02
申请号：KR1019880017556
申请日：1988-12-27
申请人： 다우 코닝 코포레이션
发明人： 로렌안드류할루스카 , 케이스윈튼마이클 , 레오타레이
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/3144 , H01L21/314 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
摘要： 내용 없음.

178. 发明授权

KR101086625B1 인 함유 실라잔 조성물, 인 함유 실리카질 막, 인 함유실리카질 충전재, 인 함유 실리카질 막의 제조방법 및반도체 장치 有权
标题翻译：含磷硅氮烷组合物，含磷硅质膜，含磷硅质填料，含磷硅质膜的制造方法以及半导体装置
公开(公告)号：KR101086625B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020067001139
申请日：2004-07-07
申请人： 메르크 퍼포먼스 마테리알즈 고도가이샤
发明人： 아오키도모코 , 아오키히로유키
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/76837 , C08K5/49 , C08L83/16 , C09D183/16 , H01L21/314
摘要： 본 발명은 비유전율 3.5 이하의 인 함유 실리카질 재료를 제공함을 목적으로 한다. 본 발명에 의한 인 함유 실라잔 조성물은 유기 용매 중에 폴리알킬실라잔 및 1종 이상의 인 화합물을 함유함을 특징으로 하는 것이다. 상기 조성물을 기판 위에 도포하여 수득된 막을 온도 50 내지 300℃에서 예비 소성하고, 이어서 온도 300 내지 700℃의 불활성 분위기 속에서 소성함으로써, 인 함유 실리카질 막이 수득된다. 본 발명에 의한 인 화합물은 5가의 인산 에스테르 또는 포스파젠 화합물인 것이 적합하다.
인 함유 실라잔 조성물, 인 함유 실리카질 막, 실리카질 충전재, 반도체 장치.

179. 发明授权

KR100696033B1 반도체 기판 프로세싱 방법 有权
标题翻译：半导体衬底处理方法
公开(公告)号：KR100696033B1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：KR1020000030343
申请日：2000-06-02
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 후앙,주디에이치.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/325 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02323 , H01L21/0234 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L21/3146 , H01L21/31633
摘要： 본 발명은 추가의 증착층을 필요하지 않은 탄소 함유층의 부착성 및 내산화성을 개선하는 것이다. 한 특징에서, 본 발명은 탄화실리콘과 같은 탄소 함유층의 노출면을 헬륨(He), 아르콘(Ar)과 같은 불활성 가스 플라즈마 또는 다른 불활성 가스 플라즈마 또는 산화질소(N
2 O) 플라즈마와 같은 산소 함유 플라즈마로 처리한다. 다른 탄소 함유 재료는 유기 폴리머 재료, 무정질 탄소, 무정질 탄화불소, 탄소 함유 산화물 및 기타 탄소 함유 재료를 포함한다. 플라즈마 처리는 바람직하게 처리되어질 층의 증착과 인시츄 상태에서 이루어진다. 인시츄 증착 및 플라즈마 처리가 일어나는 프로세싱 챔버는 탄소 함유층에 대한 것과 동일 또는 유사한 선구물질을 전달하도록 형상되어 있다. 그러나, 층은 여러 선구물질로 증착될 수 있다. 본 발명은 또한 처리 플라즈마를 발생하는 프로세싱 변수와 처리 플라즈마를 사용하는 시스템을 제공한다. 탄소 함유 재료는 배리어 층, 에칭 스톱, ARC, 패시베이션층 및 절연층과 같은 다양한 층에 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明改进了不需要附加沉积层的含碳层的粘附性和抗氧化性。在一个方面，本发明涉及在惰性气体等离子体或其他惰性气体等离子体（诸如氦（He），氩（Ar））的暴露表面上形成含碳层（例如碳化硅）的方法，

180. 发明授权

KR100656003B1 절연막 형성방법 및 절연막 형성장치 失效
标题翻译：绝缘膜形成方法和绝缘膜形成装置
公开(公告)号：KR100656003B1
公开(公告)日：2006-12-08
申请号：KR1020000055283
申请日：2000-09-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 코미야타카유키 , 나가시마신지 , 코지마시케요시
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02282 , H01L21/02118 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/31058 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , Y10S414/135
摘要： 본 발명은 절연막 형성방법 및 절연막 형성장치에 관한 것으로서, 제 1 절연막 및 제 2 절연막에 대하여 동시에 스핀코트법에 의해 형성함으로써, 제 1 절연막 및 제 2 절연막의 형성을 동일한 해당 SOD 처리시스템 내에서 행할 수 있으며, 또한 이처럼 제 1 절연막 및 제 2 절연막에 대하여 동시에 스핀코트법에 의해 형성한 경우, 저유전율 특성이 양호하여 제 1 절연막 및 제 2 절연막과의 밀착성이 좋아지는 기술이 제시된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式