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161. 发明申请

WO2016124489A1 INHOMOGENE ÜBERTRAGUNGSLEITUNG ZUR POSITIONSAUFGELÖSTEN PERMITTIVITÄTSBESTIMMUNG EINES MESSOBJEKTES 审中-公开
标题翻译：用于位置不均匀的输电线路已解决PERMITTIVITÄTSBESTIMMUNG被测物体
公开(公告)号：WO2016124489A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/EP2016/051887
申请日：2016-01-29
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： MELIANI, Chafik , GUHA, Subhajit , FARABI, Ibne, Jamal
IPC分类号： G01N27/22 , G01N22/00 , G01N33/487
CPC分类号： G01R27/32 , G01N15/1031 , G01N22/00 , G01N33/48728
摘要： Messträger und Messvorrichtung für eine ortsaufgelöste messtechnische Ermittlung einer von der dielektrischen Permittivität eines auf den Messträger aufzulegenden Messobjektes abhängigen Messgröße. Der Messträger hat eine Auflage mit einer Messauflagefläche, auf die das Messobjekt aufgelegt werden kann, sowie eine die Messauflagefläche ganz oder teilweise bildende Mess-Übertragungsleitung, die zur Übertragung eines am Eingangsport einkoppelbaren elektromagnetischen Hochfrequenz-Messsignals als eine elektrische Reihenschaltung einer Vielzahl Übertragungsleitungszellen ausgebildet ist. Die Messauflagefläche ist zellenförmig strukturiert, wobei jede der Übertragungsleitungszellen der Mess-Übertragungsleitung für sich betrachtet in einem messobjektfreien Zustand bezüglich des Hochfrequenz-Messsignals eine zellenindividuelle Ausbreitungskonstante aufweist, die von den jeweiligen zellenindividuellen Ausbreitungskonstanten der anderen Übertragungsleitungszellen verschieden ist, und ausgebildet ist, in einem Mess-Zustand bei Aufliegen des Messobjekts auf der Übertragungsleitungszelle eine im Vergleich mit dem messobjektfreien Zustand verschiedene zellenindividuelle Ausbreitungskonstante anzunehmen.
摘要翻译：测量载体和用于空间分辨计量判定测量装置，其取决于aufzulegenden对测量载波测量对象测量的变量的介电常数。所述测量光束具有带测量支撑表面在其上可放置待测量的对象，以及所测得的接触表面完全或部分地形成用于发送测量传输线被形成为多个传输线单元中的所述输入端口einkoppelbaren电磁高频测量信号中的串联电连接的焊盘。测量支撑表面被构造细胞形的，其中，每个在测量分别考虑所述测量传输线的传输线单元的对象自由状态相对于所述高频测量信号包括细胞单独传播常量，它是从其他传输线单元的各个体的传播常数不同，并且在测量形成接受状态在传输线路上的测量对象的细胞与测量无物体的状态相比，各种细胞个体传播常数的休息。

162. 发明申请

WO2014044771A3 GERMAINIUM PIN PHOTODIODE FOR INTEGRATION INTO A CMOS OR BICMOS TECHNOLOGY 审中-公开
标题翻译：锗PIN光电二极管集成到CMOS或BiCMOS技术
公开(公告)号：WO2014044771A3
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/EP2013069511
申请日：2013-09-19
申请人： IHP GMBH
发明人： KNOLL DIETER , LISCHKE STEFAN , ZIMMERMANN LARS , YAMAMOTO YUJI , TRUSCH ANDREAS
IPC分类号： H01L31/105 , H01L21/02 , H01L27/144 , H01L31/0232 , H01L31/028
CPC分类号： H01L31/105 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/028 , H01L31/1055 , Y02E10/547
摘要： A diode comprising a light-sensitive germanium region, which is totally embedded in silicon and forms with the silicon a lower interface and lateral interfaces, wherein the lateral interfaces do not run perpendicularly, but rather obliquely with respect to the lower interface and therefore produce a facet form.
摘要翻译：二极管与感光锗区域，该区域完全嵌入硅和硅具有较低的接口和横向边界表面形成的横向边界表面不垂直而是倾斜于下边界表面，并因此形成一个面形。

163. 发明申请

WO2014102260A1 CHIP-ANTENNE, ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 审中-公开
标题翻译：芯片天线，用于生产电子元件和过程
公开(公告)号：WO2014102260A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/EP2013/077951
申请日：2013-12-23
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： WANG, Ruoyu , SUN, Yaoming , SCHEYTT, Johann Christoph , KAYNAK, Mehmet
IPC分类号： H01Q1/22 , H01Q9/42 , H01Q21/06 , H01Q1/42 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01L23/66
CPC分类号： H01Q1/38 , H01L23/5227 , H01L23/66 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q1/42 , H01Q19/10 , H01Q21/0093 , H01Q21/062 , H01L2924/00
摘要： Chipantenne (102), umfassend mindestens einen Strahler (114,116), der sich parallel zu einer Hauptoberfläche eines die Chipantenne tragenden Halbleitersubstrats (104) erstreckt, wobei der Strahler auf einer inselartigen Trägerzone (122,124) des Halbleitersubstrats angeordnet ist, die von mindestens einem vollständig mit einem Gas gefüllten Graben (126,128) umgeben ist, welcher das Halbleitersubstrat in dessen gesamter Tiefenerstreckung durchdringt und durch mindestens einen Haltesteg (130,132,134,136) überbrückt ist, welcher eine tragende Verbindung zwischen der Trägerzone und dem übrigen Halbleitersubstrat bildet.
摘要翻译：芯片天线（102），包括至少一个辐射（114,116）平行于所述芯片天线支承半导体衬底（104），其中，所述散热器设置在所述半导体衬底的岛状支承区（122,124），与所述至少一个完全的主表面填充气体的沟槽（126,128）被包围，贯通所述半导体基板在其整个深度延伸，并通过形成在支撑区和半导体衬底的其余部分之间的承载连接的至少一个保持接片（130132134136）桥接。

164. 发明申请

WO2014064275A1 INDIVIDUALISIERTE SPANNUNGSVERSORGUNG VON BAUELEMENTEN INTEGRIERTER SCHALTUNGEN ALS SCHUTZMAßNAHME GEGEN SEITENKANALANGRIFFE 审中-公开
标题翻译：个性化的电源元器件集成电路AS防侧信道攻击的保护措施
公开(公告)号：WO2014064275A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/EP2013/072447
申请日：2013-10-25
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： DYKA, Zoya , LANGENDÖRFER, Peter
IPC分类号： H01L23/00 , H01L27/02
CPC分类号： H01L23/573 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/5286 , H01L23/53204 , H01L27/0292 , H01L27/11807 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Halbleitervorrichtung, insbesondere eine integrierte Schaltung mit Schutz gegen Seiten- kanalangriffe, insbesondere Imaging- und Probing-basierte Angriffe, EMA und Reverse Engineering wobei eine metallisch leitfähige Schicht einer ersten (104) und/oder einer zweiten Potentialzuführung (106) mit allen Schaltungskomponenten jeweils einzeln über jeweils individuelle Leitbahnstrukturen (V1, V2) direkt verbunden sind.
摘要翻译：一种半导体装置，在具有防止侧信道攻击，特别是成像和特定的集成电路的探测基于攻击，EMA和逆向工程，其中的一个第一（104）金属导电层和/或与所有电路元件的第二电位供给（106）各自独立地在每个单独的导体结构（V1，V2）被直接连接。

165. 发明申请

WO2013117765A3 HALBLEITERBAUELEMENTE MIT STEILEM PHOSPHOR-PROFIL IN EINER GERMANIUMSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2013117765A3
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2013/052699
申请日：2013-02-11
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK
发明人： YAMAMOTO, Yuji , TILLACK, Bernd
IPC分类号： H01L29/36 , H01L21/22 , H01L29/167 , H01L29/165 , H01L29/864 , H01L21/329 , H01L31/0288 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L33/02 , H01S5/30 , H01L33/00 , H01L33/34
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement ein Verfahren zur Begrenzung einer Dotierstoff-Diffusion, insbesondere einer Phosphor-Diffusion in Germanium. Erfindungsgemäß wird dazu ein Si-Spike verwendet.

166. 发明申请

WO2013117765A2 SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH STEEP PHOSPHORUS PROFILE IN A GERMANIUM LAYER 审中-公开
标题翻译：急倾斜磷PROFILE半导体器件，锗层
公开(公告)号：WO2013117765A2
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2013052699
申请日：2013-02-11
申请人： IHP GMBH
发明人： YAMAMOTO YUJI , TILLACK BERND
CPC分类号： H01L29/365 , H01L21/22 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66159 , H01L29/864 , H01L33/0054 , H01L33/025 , H01L33/343 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18377 , H01S5/3027 , H01S5/305 , H01S5/3072
摘要： The invention relates to a semiconductor component and to a method for limiting a dopant diffusion, in particular a phosphorus diffusion in germanium. According to the invention, an Si spike is used for this purpose.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，在锗限制掺杂剂扩散，特别是磷扩散的方法。根据本发明，使用在Si穗。

167. 发明申请

WO2011128188A3 MICROELECTRONIC COMPONENT 审中-公开
标题翻译： MICRO电子元件
公开(公告)号：WO2011128188A3
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/EP2011054362
申请日：2011-03-22
申请人： IHP GMBH , KAYNAK MEHMET , TILLACK BERND , SCHOLZ RENE
发明人： KAYNAK MEHMET , TILLACK BERND , SCHOLZ RENE
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00587 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C2201/014
摘要： In a method for producing an MEMS component, wherein, in the course of producing the multilevel interconnect layer stack for connecting microelectronic circuits, micromechanical structure elements (7, 8, 9) that are to be exposed later are embedded at the same time, a cutout is subsequently produced from a substrate rear side (R) as far as the multilevel interconnect layer stack, and then the micromechanical structure elements in the multilevel interconnect layer stack are exposed through the cutout. In order to increase the process accuracy, as early as in the course of producing the multilevel interconnect layer stack or even in the front end of line, a reference mask (22) for defining a lateral position or a lateral extent of the micromechanical structure elements (7, 8, 9) to be exposed is produced, wherein the reference mask (22) is arranged on the substrate front side between the substrate and the multilevel interconnect layer stack or in a layer of the multilevel interconnect layer stack that is situated nearer to the substrate (1) in comparison with the structure element.
摘要翻译：被嵌入在一种用于制造MEMS装置，其中在生产所述多级Leitbahnschichtstapels的用于同时或随后连接微电子电路的过程中被暴露的微机械的结构元件（7，8，9），在基板背面侧的anschließendeine凹部（R）的多级Leitbahnschichtstapel制备，然后通过在所述多级Leitbahnschichtstapel通过凹部微机械结构元件露出。为了提高加工精度是已经在生产多级Leitbahnschichtstapels的过程中或甚至在线路的前端的基准掩模（22），以限定一个横向位置或侧向延伸derfreizulegenden微机械结构元件（7，8，9），使用参考掩模（22）被设置在所述基板和所述多级Leitbahnschichtstapel之间或在与基板（1）更接近多级Leitbahnschichtstapels的层的结构元件的比较基板正面。

168. 发明申请

WO2010089179A1 PRÜFSCHALTUNG ZUR PRÜFUNG EINER DURCHFÜHRUNG EINES HANDSHAKE-PROTOKOLLS UND VERFAHREN ZUR PRÜFUNG EINER DURCHFÜHRUNG EINES HANDSHAKE-PROTOKOLLS 审中-公开
标题翻译：用于测试的握手协议的实施实施握手协议和方法，测试电路测试
公开(公告)号：WO2010089179A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/EP2010/050524
申请日：2010-01-18
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , ZEIDLER, Steffen
发明人： ZEIDLER, Steffen
IPC分类号： G06F11/267 , H04L1/24
CPC分类号： H04L1/24 , G06F11/221 , H04L1/16
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Prüfschaltung für ein Handshake-Protokoll. Die Prüfschaltung detektiert übliche Fehler, die bei der Durchführung des Handshake-Protokolls von zwei Kommunikationseinheiten auftreten. Die Prüfschaltung zeichnet sich durch einen kompakten Schaltungsaufbau aus, der eine verringerte Anfälligkeit für Schaltungsfehler und einen stark reduzierten Flächenbedarf mit sich bringt. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Prüfung der Durchführung des Handshake-Protokolls.
摘要翻译：本发明涉及一种测试电路，用于握手协议。测试电路检测进行的两个通信单元的握手协议时发生的正常错误。测试电路的特征在于紧凑的电路配置，其带来了敏感性降低电路的错误和与它大大减少空间的需求。此外，本发明涉及用于测试握手协议的性能的方法。

169. 发明申请

WO2008061915A3 RADIATION-PROTECTED INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：辐射防护集成电路
公开(公告)号：WO2008061915A3
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/EP2007062257
申请日：2007-11-13
申请人： IHP GMBH , SCHOOF GUNTER , KRAEMER ROLF
发明人： SCHOOF GUNTER , KRAEMER ROLF
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/007
CPC分类号： H03K19/0033 , H03K19/00392 , H03K19/0075
摘要： The invention relates to an electric circuit comprising a first circuit section (SAa) that is provided with first switching means (SA) which are designed to limit power consumption of the first circuit section in reaction to the occurrence of a single event effect in the first circuit section (SAa).
摘要翻译：本发明涉及一种具有设置在所述第一转换装置的第一电路部分（SAA）（SA），其适合于响应于在所述第一电路部分（SAA），的电流消耗的单个事件效应的发生的电路以限制所述第一电路部分。

170. 发明申请

WO2007122266A3 PROTECTED EXECUTION OF A SERVICE PROVIDER'S DATA PROCESSING APPLICATION FOR A USER BY MEANS OF A TRUSTWORTHY EXECUTION ENVIRONMENT 审中-公开
标题翻译：由可信执行环境服务提供商为用户保护的执行数据处理中的应用
公开(公告)号：WO2007122266A3
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/EP2007054117
申请日：2007-04-26
申请人： IHP GMBH , LANDGENDOERFER PETER , MAASER MICHAEL
发明人： LANDGENDOERFER PETER , MAASER MICHAEL
IPC分类号： H04L29/06 , G06F9/46 , G06F21/00
CPC分类号： H04L63/04 , G06F9/54 , H04L63/102
摘要： The invention relates to an execution container for a service provider's data processing application. Said execution container comprises at least one execution environment, a communication interface that is connected to the execution environment, and a security control unit which is connected to the communication interface and is configured so as to prevent the data processing application from communicating data with any communication terminal external to the execution environment if the data communication path circumvents the execution environment. An access control unit is also provided which is connected to the communication interface and is configured so as to prevent the execution environment from communicating data with any communication terminal which is external to the execution container and is not defined as authorized through a first security agreement.
摘要翻译：本发明涉及一种容器，用于服务提供者的一个示例性数据处理应用程序。除了至少一个执行环境，并与该示例性容器的执行环境通信接口相关联包括：连接到被设计为防止这样的数据通信与任何外部相对于所述执行环境通信端点的数据处理应用通信接口安全控制单元装置，该通信路径绕过所述执行环境。此外，被连接到所述通信接口访问控制单元，其被设计为防止这样的数据通信的每个外部相对于未由第一安全装置作为可允许的限定的实施例的通信端点容器中的执行环境。

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