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101. 发明授权

KR100960855B1 전기영동증착을 이용한 적층형 세라믹 소자의 공극 밀봉방법 失效
标题翻译：一种使用电泳沉积法在共烧多层陶瓷器件中密封电极与陶瓷层之间气隙的新方法
公开(公告)号：KR100960855B1
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080052416
申请日：2008-06-04
申请人： 한국전기연구원
发明人： 정순종 , 김민수 , 김인성 , 송재성 , 이대수
IPC分类号： H01L41/273
摘要： 본 발명은 전기영동증착을 이용한 적층형 세라믹 소자의 공극 밀봉 방법에 관한 것으로 동시 소성이 요구되는 적층형 세라믹 소자의 제조 시 부 전극과 세라믹 테이프로 구성되는 적층체들 사이에 발생되는 세라믹테이프와 전극 사이의 단차를 줄일 수 있으며 고 적층체를 제조하기 위해서 적층형 세라믹 소자의 상층부와 하층부에 포함된 내부 전극의 변형이 없이 간편하게 일체화된 고적층형 세라믹 소자를 제조할 수 있는 공정에 관한 것이다.
세라믹 적층 소자 공극 밀봉 전기영동증착

102. 发明公开

KR1020100049928A 고변위 적층형 압전액츄에이터용 저온소결 압전 자기 조성물 有权
标题翻译：用于低温烧结的高性能多层陶瓷致动器的压电陶瓷组合物
公开(公告)号：KR1020100049928A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080108969
申请日：2008-11-04
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김민수 , 정순종 , 김인성 , 송재성 , 전소현
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/493
CPC分类号： H01L41/1875 , C04B35/48 , C04B2235/3234 , C04B2235/3248 , C04B2235/3281 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/768 , C04B2235/96
摘要： PURPOSE: A piezoelectric composition is provided to use in a multilayer piezoelectric actuator for controlling piezoelelctric strain and to lower sintering temperature by 950 °C. CONSTITUTION: A piezoelectric composition is a composition in which Li2CO3, Bi2O3, PbO and CuO are added to xPb(Mg_1/3 Nb_2/3)O3-yPbZrO_3-zPbTiO_3. X is 0.35-0.45, and y is 0.2-0.3, z is 1-x-y. The addition amount of Li_2CO_3, Bi_2O_3 and PbO is a weight parts, b weight parts, and c weight parts.
摘要翻译：目的：提供一种压电组合物，用于多层压电致动器，用于控制压电应变和将烧结温度降低950℃。构成：压电组合物是其中将Li 2 CO 3，Bi 2 O 3，PbO和CuO加入到xPb（Mg_1 / 3Nb_2 / 3）O3-yPbZrO_3-zPbTiO_3中的组合物。 X为0.35-0.45，y为0.2-0.3，z为1-x-y。 Li_2CO_3，Bi_2O_3和PbO的添加量是重量份，b重量份和c重量份。

103. 发明公开

KR1020100045655A 적층 벤딩형 압전소자 및 이를 이용한 에너지 발생 장치 无效
标题翻译：使用多层弯曲型压电装置的能量产生装置
公开(公告)号：KR1020100045655A
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020080104694
申请日：2008-10-24
申请人： 한국전기연구원
发明人： 정순종 , 김민수 , 김인성 , 송재성 , 이대수
IPC分类号： H01L41/08 , H02N2/00
CPC分类号： H01L41/0973 , H01L41/083 , H01L41/187 , H02N2/0005
摘要： PURPOSE: A stacked bending type piezoelectric device and an energy generation device using the same are provided to successively generate energy by overlapping the attenuation section of voltage signal. CONSTITUTION: A metal plate(120) is stacked on one side of a piezoelectric device(110) which is based on a ceramic. The ceramic-based piezoelectric device and one end of the metal plate are bent. A bending part(b) is formed. The piezoelectric device and the metal plate are adhered by a resin adhesion layer(130). The resin adhesion layer fixes the metal plate and the piezoelectric device.
摘要翻译：目的：提供堆叠式弯曲型压电装置和使用该压电装置的能量产生装置，以通过与电压信号的衰减部分重叠来连续产生能量。构成：金属板（120）层叠在基于陶瓷的压电元件（110）的一侧。陶瓷基压电元件和金属板的一端弯曲。形成弯曲部（b）。压电装置和金属板通过树脂粘合层（130）粘合。树脂粘合层固定金属板和压电装置。

104. 发明授权

KR100875479B1 비납계 압전 세라믹스 조성물 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 비납계압전세라믹스조성물및그제조방법
公开(公告)号：KR100875479B1
公开(公告)日：2008-12-22
申请号：KR1020070056769
申请日：2007-06-11
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김민수 , 전소현 , 정순종 , 김인성 , 민복기 , 송재성
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/16
摘要： A composition and a manufacturing method of lead-free piezoelectric ceramics are provided to improve the piezoelectricity characteristic by adding Li2CO3 and Na2CO3 to the ceramic composition. The manufacturing method of the lead-free piezoelectric ceramic composition comprises the following steps: the step that mixes and pulverizes the sample of the Na2CO3, K2CO3, Li2CO3, Nb2O5, and Ta2O5 and dries and burns; the step that re-burns the burned sample; the step for remixing, re-pulverizing the sample; the step for sintering and molding the dried sample. Li2CO3 and Na2CO3 are added to the ceramic composition of (NaxK0.95-xLi0.05)(Nb0.95Ta0.05)O3.
摘要翻译：提供无铅压电陶瓷的组成和制造方法，以通过向陶瓷组合物中加入Li 2 CO 3和Na 2 CO 3来改善压电特性。无铅压电陶瓷组合物的制备方法包括以下步骤：将Na 2 CO 3，K 2 CO 3，Li 2 CO 3，Nb 2 O 5和Ta 2 O 5的样品混合并粉碎并干燥和灼烧; 重烧烧伤样本的步骤; 重新混合，重新粉碎样品的步骤; 烧结和模制干燥样品的步骤。（Na x K 0.95-x Li 0.05）（Nb 0.95 Ta 0.05）O 3的陶瓷组合物中添加Li 2 CO 3和Na 2 CO 3。

105. 发明授权

KR100766991B1 박막 커패시터 유전체의 제조방법 失效
标题翻译：制造薄膜电容器电介质的方法
公开(公告)号：KR100766991B1
公开(公告)日：2007-10-15
申请号：KR1020040112676
申请日：2004-12-27
申请人： 한국전기연구원
发明人： 김인성 , 송재성 , 민복기
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본 발명에 따른 박막 커패시터 유전체의 제조방법은, a) 기판상의 실리콘 타겟에 탄탈륨(Ta) 금속을 반응성 가스인 산소와 반응시켜 가면서 증착하는 단계와, b) 상기 증착으로 형성된 산화탄탈륨(TaO) 박막을 산소 분위기 및 진공 분위기에서 소정 온도로 열처리하는 단계; 및 c) 상기 열처리된 Ta
2 O
5-x 박막을 상온까지 냉각하는 단계를 포함한 박막 커패시터 유전체의 제조방법에 있어서: 상기 단계 b)에서의 산소 분위기 및 진공 분위기 조건은 산소 주입을 50cc/min로, 진공도를 10
-6 torr 이하로 유지하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, RF 스퍼터링 방법으로 Ta
2 O
5 박막을 증착시킨 후 결정화 온도 영역으로 알려진 650∼750 ℃의 산소 및 진공 분위기에서 어닐링 처리하여 커페시터 유전체 박막을 제조하므로, 상온에서 200 ℃ 까지 유전율 변화를 측정한 결과 매우 안정한 특성을 나타내고, 4.0 ×102 (kV/cm) 이하의 전계강도 영역에서 비교적 안정한 누설전류 특성을 나타내어 메모리나 박막 커패시터용 유전체로서 채용될 경우 양호한 특성을 갖는 제품의 생산이 가능해 진다.
커패시터, 유전체, 메모리

106. 发明授权

KR100430671B1 자기소자용 ＦｅＴａＮ계 연자성 박막의 제조방법 失效
标题翻译：更多资料来源于FeTaN계연자성박막의제조방법
公开(公告)号：KR100430671B1
公开(公告)日：2004-05-10
申请号：KR1020010055264
申请日：2001-09-08
申请人： 한국전기연구원
发明人： 송재성 , 민복기 , 김인성 , 김현식 , 김형준 , 신동훈
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： H01F10/147
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a FeTaN softmagnetism thin film for magnetic devices is provided to increase the magnetic anisotropy by adding a Ti lower layer on the FeTaN softmagnetism thin film. CONSTITUTION: A substrate is provided at a position apart from a Ti target in order to form a thin film. The Ti target and the substrate are used as a cathode and an anode, respectively. A predetermined DC(Direct Current) power is applied between the Ti target and the substrate, to thereby form a Ti lower layer on the substrate through sputtering. After changing the Ti target into a Fe target, a plurality of Ta leaflets are placed on a surface of the Fe target. Then, a predetermined DC power is applied between the Fe target and the substrate under a predetermined gas pressure to form a FeTaN thin film on the Ti lower layer. The FeTaN thin film is post-heated to form a fine crystal within the FeTaN thin film.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于磁性器件的FeTaN软磁薄膜的方法，以通过在FeTaN软磁薄膜上添加Ti下层来增加磁各向异性。构成：为了形成薄膜，在离开Ti靶的位置提供衬底。 Ti靶和衬底分别用作阴极和阳极。在Ti靶和衬底之间施加预定的DC（直流）功率，从而通过溅射在衬底上形成Ti下层。在将Ti目标改变为Fe目标之后，将多个Ta小叶放置在Fe目标的表面上。然后，在预定的气压下，在Fe靶和衬底之间施加预定的DC功率，以在Ti下层上形成FeTaN薄膜。 FeTaN薄膜后加热以在FeTaN薄膜内形成精细晶体。

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