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91. 发明公开

KR1019890012343A 발열용 플라즈마 이온 방전관 无效
标题翻译：等离子体离子放电管加热
公开(公告)号：KR1019890012343A
公开(公告)日：1989-08-25
申请号：KR1019880000115
申请日：1988-01-09
申请人： 배성재 , 이용지
发明人： 이용지
IPC分类号： H01J27/04
摘要： 내용 없음.

92. 发明申请

WO2017051469A1 イオンミリング装置审中-公开
标题翻译：离子切割装置
公开(公告)号：WO2017051469A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/JP2015/077095
申请日：2015-09-25
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：浅井　健吾 , 岩谷　徹 , 高須　久幸 , 志知　広康
IPC分类号： H01J37/305 , H01J27/04 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/305 , H01J37/08
摘要：電子顕微鏡カラムから放出される観察用電子ビームの軌道シフトを抑圧可能なイオンミリング装置を提供するために、永久磁石１１４を含み試料を加工するイオンを発生させるペニング放電方式のイオンガン１００と、試料を観察するための走査電子顕微鏡と、を備えたイオンミリング装置において、永久磁石１１４から電子顕微鏡カラムへの漏洩磁場を低減するための磁気シールド１７２を設ける。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种离子研磨装置，其中可以防止从电子显微镜柱发射的观察电子束的轨迹发生偏移。离子研磨装置设置有：Penning放电型离子枪100，其包括永磁体114并产生用于处理样品的离子; 和用于观察样品的扫描电子显微镜。在离子研磨装置中，设置用于将从永磁体114泄漏的磁场减少到电子显微镜柱的磁屏蔽172。

93. 发明申请

WO2014196262A1 イオン源およびイオンミリング装置审中-公开
标题翻译：离子源和离子磨机
公开(公告)号：WO2014196262A1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/JP2014/060102
申请日：2014-04-07
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：浅井　健吾 , 志知　広康 , 大嶋　卓 , 武藤　宏史 , 岩谷　徹
IPC分类号： H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/30
CPC分类号： H01J27/146 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/082
摘要：　イオンガン（ＩＧ）は、イオン化室（ＩＣ）と、イオン化室（ＩＣ）でイオンを生成するイオン生成部（ＧＰ）とを有する。イオン生成部（ＧＰ）は、アノード（１３）、カソード（１１）、ガス供給機構（１０）および永久磁石（１４）を含む。イオン生成部（ＧＰ）は、カソード（１１）により放出された電子を、永久磁石（１４）が発生した磁場により旋回させて、ガス供給機構（１０）により供給されたガスに衝突させることで、イオン化室（ＩＣ）でイオンを生成する。そして、カソード（１１）の表面のうちイオン化室（ＩＣ）に面した領域（４０）に、凹凸（ＩＲ）が形成されている。
摘要翻译：离子枪（IG）具有用于在电离室（IC）中产生离子的电离室（IC）和离子产生单元（GP）。离子产生单元（GP）包括阳极（13），阴极（11），气体供给机构（10）和永磁体（14）。离子产生单元（GP）使得由阴极（11）发射的电子由于永磁体（14）产生的磁场而旋转，并与气体供给机构（10）供给的气体碰撞，从而产生电离室中的离子。然后在与电离室（IC）相对的阴极（11）的表面上的区域（40）中形成不规则性（IR）。

94. 发明申请

WO2014063970A3 LAMINATED MATERIALS, METHODS AND APPARATUS FOR MAKING SAME, AND USES THEREOF 审中-公开
标题翻译：层压材料，制造方法和设备及其用途
公开(公告)号：WO2014063970A3
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/EP2013071640
申请日：2013-10-16
申请人： NITRIDE SOLUTIONS INC
发明人： BRORS DANIEL , CLARK RICHARD , DEMARAY RICHARD , SLUTZ DAVID
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/32 , C23C14/56 , H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： C23C14/0617 , C23C14/32 , C23C14/562 , C23C14/564 , H01J27/16 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/3178 , H01J2237/3137
摘要： PVD methods and apparatus for producing materials, for example nitrides, are disclosed as are electrode materials.
摘要翻译：公开了用于制造材料的PVD方法和装置，例如氮化物，以及电极材料。

95. 发明申请

WO2002033725A3 SYSTEM AND METHOD FOR RAPIDLY CONTROLLING THE OUTPUT OF AN ION SOURCE FOR ION IMPLANTATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002033725A3
公开(公告)日：2002-04-25
申请号：PCT/US2001/051033
申请日：2001-10-19
申请人： PROTEROS, LLC
发明人： BERRIAN, Donald, W.
IPC分类号： H01J27/04
摘要： An apparatus and a method are disclosed for rapidly controling the rate of ion generation in an ion source. The ion source includes an ion chamber, filament-cathode, a mirror electrode, and a grid. The ion source is operable to generate an ion beam from the ionization of ion precursor gas present in the ion chamber bz electrions emitted from the filament. The rate of ion generation is controlled by modifying the potential of the grid relative to the filament to control the number of electrons available for ioniation between the grid and the mirror electrode. An alernative embodiment for rapidly controlling the rate of ion generation in an ion source is disclosed. In the alternative embodiment, the ion source comprises an ion chamber having mutually opposed sides and congifured to receive ion precursor gas; a filament-cathode located on one side of said ion chamber and operable to emit elctrons for the ionization of the precursor gas for the generation of the ion bean; and a mirror electrode having a potential associated therewith and located on the other side of said ion chamber. The mirror electrode is connected to a circuit to vary its potential relative to said filament so as to vary the number of the electrons available in the ion chamber for ionization.

96. 发明申请

WO2016017661A1 イオンミリング装置、イオン源およびイオンミリング方法审中-公开
标题翻译：离子切割装置，离子源和离子切割方法
公开(公告)号：WO2016017661A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/JP2015/071433
申请日：2015-07-29
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：浅井　健吾 , 志知　広康 , 高須　久幸 , 岩谷　徹
IPC分类号： H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/04 , H01J37/30 , H01J37/305 , H01J2237/081 , H01J2237/082 , H01J2237/303
摘要：　従来よりも著しく大きいミリング速度を得ることが可能なペニング放電方式のイオンガンおよびそれを有するイオンミリング装置、イオンミリング方法を提供する。イオン生成部は、電子を放出するカソード（１１、１２）と、前記イオン生成部の内部に設けられ、内径が５．２ｍｍ以下のアノード（１３）と、最大エネルギー積が１１０ｋＪ／ｍ３から１９１ｋＪ／ｍ３の範囲である永久磁石による磁場発生手段（１４）と、を有することを特徴とする。
摘要翻译：提供一种Penning放电型离子枪，可以获得比传统实现的更高的铣削速度，具有离子枪的离子研磨装置和离子铣削方法。本发明的特征在于具有：用于发射电子的阴极（11,12）的离子发生器; 设置在离子发生器中的阳极（13），阳极（13）的内径为5.2mm以下; 以及能够使用具有110-191kJ / m 3的最大能量积的永磁体的磁场产生装置（14）。

97. 发明申请

WO2016017660A1 イオンミリング装置およびイオンミリング方法审中-公开
标题翻译：离子切割装置和离子磨法
公开(公告)号：WO2016017660A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/JP2015/071432
申请日：2015-07-29
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：浅井　健吾 , 志知　広康 , 高須　久幸 , 岩谷　徹
IPC分类号： H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/302 , H01J27/04 , H01J37/08 , H01J37/243 , H01J37/304 , H01J37/305 , H01J37/3053 , H01J2237/08 , H01J2237/30461 , H01J2237/3151
摘要：　低い加速電圧において低いイオンビーム電流でかつビームを細く絞ることができるペニング放電方式のイオンガン、およびそれを有するイオンミリング装置・イオンミリング方法を提供する。イオンガン（１）から試料（６）へ照射されるイオンビーム（２）のビームプロファイルの半値幅を２００μｍから３５０μｍまでの範囲に制御するイオンミリング装置であって、外部から供給されたガスをイオン化してイオンビームを放出する前記イオンガン（１）と、前記イオンガン（１）に供給される前記ガスの流量を可変させるガス流量可変部（４０）と、前記イオンガン（１）から放出されるイオンビーム（２）の電流値を測定する電流測定部（５０）と、を有し、前記ガス流量可変部（４０）は、前記ガス流量可変部（４０）にて定められる前記ガスの流量と前記電流測定部（５０）にて測定される前記電流値とに基づき、前記イオンビーム電流が最大となるガス流量よりも多いガス流量に設定されることを特徴とするイオンミリング装置。
摘要翻译：提供：能够在低加速电压和低离子束电流下将光束聚焦的Penning-discharge离子枪; 具有所述离子枪的离子研磨装置; 和离子研磨法。一种离子铣削装置，用于控制从离子枪（1）在样品（6）照射到200-350μm的离子束（2）的光束轮廓的半值宽度的范围，并具有离子枪（1），用于通过电离外部供应气体排出离子束;能够改变供给到离子枪（1）的气体流量的气体流量调节单元（40）;以及电流测量单元（50），用于测量从离子枪（1）排出的离子束（2）的电流值，离子铣削装置的特征在于，气流调节单元（40）将气流设定为高于气流基于由气体流量调节单元（40）设定的气体流量和由电流测量单元（50）测量的电流值，离子束电流处于最大值。

98. 发明申请

WO9950878A3 METHOD FOR GENERATING A PULSED ELECTRON BEAM AND A TRIGGER PLASMA SOURCE FOR CARRYING OUT SAID METHOD 审中-公开
标题翻译：方法用于产生脉冲电子束和TRIGGER等离子体源用于实现过程
公开(公告)号：WO9950878A3
公开(公告)日：2001-12-20
申请号：PCT/EP9901742
申请日：1999-03-17
申请人： KARLSRUHE FORSCHZENT , FREY WOLFGANG
发明人： FREY WOLFGANG
IPC分类号： H01J37/077 , H01J27/04 , H01J3/02
CPC分类号： H01J37/077 , H01J2237/3132
摘要： According to the invention, an electron beam impulse which has a high current intensity and which can always be reproduced can be generated for long durations by the method and by the trigger plasma source for carrying out said method. The electron beam impulse is extremely well-suited for the ablation of thin layers on an exposed substrate. A pulsed Penning discharge occurs in the trigger plasma source. Rather than using surface discharge to form the electron beam, a clean gas discharge is used which does not disadvantageously influence the proceeding process sequence due to impurities. The potentials independently develop on the trigger plasma source after applying the magnetic field for the Penning discharge, said magnetic field being required for triggering.
摘要翻译：通过该方法和触发等离子体源可以是用于总是进行很长一段时间可再现的一样，料流，其是非常适于薄膜的暴露的基板上的烧蚀要生成强电子束脉冲。在Trigger等离子体源，脉冲放电潘宁期满。对于电子束形成任何蠕变被使用，但是，这并不影响nachteillig通过杂质的进一步处理的流程的清洁气体放电。为潘宁创造必要的点火磁场后的放电在触发等离子体源的电势独立地发展。

99. 发明申请

WO98048973A1 PLASMA GUN AND METHODS FOR THE USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：等离子喷枪及其使用方法
公开(公告)号：WO98048973A1
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：PCT/US1998/008507
申请日：1998-04-28
IPC分类号： F03H1/00 , H01J27/04 , H05G2/00 , H05H1/54 , B23K10/00
CPC分类号： H05G2/003 , F03H1/0087 , H01J27/04 , H05G2/005 , H05H1/54
摘要： A high pulse repetition rate (PRF) plasma gun is provided which gun inlets a selected propellant gas into a column formed between a center electrode (12) and a coaxial outer electrode (14), utilizes a solid state high repetition rate pulse driver (36) to provide a voltage across the electrodes and provides a plasma initiator at the base of the column, which is normally operative when the driver is fully charged. The plasma expands from the base end of the column and off the exit end thereof. When used as a thruster, for example in space applications, the driver voltage and electrode lengths are selected such that the plasma for each pulse exits the column at approximately the same time the voltage across the electrode reaches zero, thereby maximizing the thrust. The plasma is magnetically pinched as it exits the column, thereby raising the plasma temperature to provide thermal radiation at desired wavelengths. The plasma gun parameters can be selected to achieve a desired wavelength within the EUV band.
摘要翻译：提供了一种高脉冲重复率（PRF）等离子体枪，其将选择的推进剂气体喷射入形成在中心电极（12）和同轴外部电极（14）之间的柱中，利用固态高重复率脉冲驱动器（36 ）以在电极两端提供电压，并在柱的底部提供等离子体启动器，其在驱动器完全充电时通常工作。等离子体从塔的基端延伸并离开其出口端。当用作推进器时，例如在空间应用中，选择驱动器电压和电极长度，使得每个脉冲的等离子体几乎在电极两端的电压达到零的同时离开列，从而使推力最大化。等离子体在离开色谱柱时被磁力挤压，从而提高等离子体温度以提供所需波长的热辐射。可以选择等离子体枪参数以在EUV频带内实现期望的波长。

100. 发明申请

US20190198281A1 Metallic Ion Source 审中-公开
公开(公告)号：US20190198281A1
公开(公告)日：2019-06-27
申请号：US16313051
申请日：2017-11-30
申请人： ION LAB Co., Ltd.
发明人： Masanobu NUNOGAKI
IPC分类号： H01J27/22 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J27/04 , H01J37/08
CPC分类号： H01J27/22 , H01J27/04 , H01J27/08 , H01J27/16 , H01J27/20 , H01J37/08
摘要： Metallic ion source for resolving the issue of not being able to produce high-density ions efficiently with small-scale ion sources in situations where an electron beam injecting scheme is employed as the evaporation source to evaporate a solid, and for producing high-density ions highly efficiently. Designed to be compact and lightweight, the metallic ion source also facilitates selection of the ion extraction direction. The ion source, structured exploiting the characteristic physical property that whether ionization takes place is dependent on the energy of the electron beam, is furnished with a dual evaporation-plasma chamber that inside the same chamber enables a high-speed electron beam, whose ionization efficiency is low, and low-speed electrons generated by electric discharge, whose ionization efficiency is high, to participate independently and simultaneously in, respectively, evaporation of precursor and ionization action.

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