专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

IL250936D0 Method for purifying halogenated oligosilanes 未知
公开(公告)号：IL250936D0
公开(公告)日：2017-04-30
申请号：IL25093617
申请日：2017-03-05
申请人： PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN; LANGESTR , HEUER MATTHIAS
发明人： BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN; LANGESTR , HEUER MATTHIAS
IPC分类号： C01B20060101
摘要： The invention relates to a method for purifying halogenated oligosilanes in the form of a pure compound or a mixture of compounds with respectively at least one direct Si—Si bond, the substituents thereof being exclusively made from halogen or from halogen and hydrogen and in the composition thereof, the atomic ratio of the substituents:silicon is at least 3:2, by the action of at least one purification agent on the halogenated oligosilane and by isolating the halogenated oligosilanes with improved purity. According to prior art, halogenated monosilanes such as HSiCl3 are purified by treating with organic compounds, preferably polymers, containing amino groups, and are separated from said mixtures. Based on the contained amino groups, said method can not be used for halogenated oligosilanes as the secondary reactions lead to a decomposition of the products. The novel method is used to provide the desired products in a high yield and purity without using the amino groups.

2. 发明申请

WO2016037601A4 METHOD FOR PURIFYING HALOGENATED OLIGOSILANES 审中-公开
标题翻译： PROCEDURE净化卤化低聚
公开(公告)号：WO2016037601A4
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/DE2015000439
申请日：2015-09-07
申请人： PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH
发明人： BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , HEUER MATTHIAS
IPC分类号： C07F7/20 , C01B33/00 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10773 , B01D3/34 , C01B33/00 , C01B33/04 , C01B33/10778 , C07D323/00 , C07F7/20 , C08G77/60 , C08K3/16 , C08K5/54
摘要： The invention relates to a method for purifying halogenated oligosilanes in the form of a pure compound or a mixture of compounds with respectively at least one direct Si-Si bond, the substituents thereof being exclusively made from halogen or from halogen and hydrogen and in the composition thereof, the atomic ratio of the substituents: silicon is at least 3:2, by the action of at least one purification agent on the halogenated oligosilane and by isolating the halogenated oligosilanes with improved purity. According to prior art, halogenated monosilanes such as HSiCl3 are purified by treating with organic compounds, preferably polymers, containing amino groups, and are separated from said mixtures. Based on the contained amino groups, said method can not be used for halogenated oligosilanes as the secondary reactions lead to a decomposition of the products. The novel method is used to provide the desired products in a high yield and purity without using the amino groups. The purification of the halogenated oligosilanes is carried out in the presence of specific purification agents which transform said contaminations such as for example, FeCl2 into an insoluble and/or less volatile form. Separating the product completes the purification. Said method leads to a higher yield and prevents problems linked to the state of the art such as, for example, long distillation times. Said method is suitable for purifying for example Si2CI6, Si3CI8, Si4Cl10 and higher homologues. These can be used for example in the separation of silicon nitride layers in CVD processes.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于纯化卤代低聚作为纯化合物或化合物的混合物各自具有至少一个直接键合的Si-Si其取代基由专门的卤素或卤素和氢，并在组合物中，原子比取代基：硅为至少3：是2时，通过至少一个纯化剂的作用，以卤代oligosilane提高纯度的卤化oligosilane和隔离。在现有技术中卤代甲硅烷如的HSiCl 3可以通过用含氨基的优选聚合的有机化合物纯化，并从这些混合物中分离。因为所包含的氨基，不能用于卤化低聚这种方法，因为副反应会导致产物分解。该新方法应该提供以高收率和纯度的所需产品无氨基。卤化低聚的纯化发生在特殊的纯化手段，所述污染物例如存在的FeCl 2转化成不溶性和/或低挥发性的形式。产品的分离完成纯化。这种方法提供了高产率并且避免了与现有技术的问题，如相关联的问题长的蒸馏时间。该方法适用于例如的纯化 Si2CI6，Si3CI8，Si4Cl10和更高的同系物。这一发现，例如，在氮化硅的CVD在所述沉积过程中。

3. 发明专利

DE102014007766A1 Verfahren zur plasmachemischen Herstellung halogenierter Oligosilane aus Tetrachlorsilan 未知
公开(公告)号：DE102014007766A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：DE102014007766
申请日：2014-05-21
申请人： PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH
发明人： BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN
IPC分类号： C01B33/107
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung halogenierter Oligosilane aus Silicium und Tetrachlorsilan. Im Stand der Technik werden halogenierte Oligosilane wie Si2Cl6 durch Chlorierung von Silicium oder Calciumsilicid mit Chlorgas oder als Nebenprodukt bei der Umsetzung von HSiCl3 zu Halbleitersilicium („Siemens-Prozess”) erhalten. Diese Reaktionen liefern in erster Linie SiCl4 als Produkt und die gewünschten halogenierten Oligosilane nur als Nebenprodukte. Weiterhin sind anfallende Kontaminationen von den Endprodukten aufgrund ähnlicher Siedepunkte nur mit großem Aufwand abtrennbar. Das neue Verfahren soll die gewünschten Produkte in hoher Ausbeute und Reinheit liefern. Die Synthese erfolgt in einem katalytischen Kreisprozess mit HCl als Katalysator. Die Umsetzung erfolgt im ersten Schritt mit Silicium bei ca. 270°C und im zweiten Schritt im kalten Plasma. Eine partielle Chlorierung schließt die Synthese ab. Die Ausbeute dieses Verfahrens liegt über der der bekannten Verfahren. Das Verfahren eignet sich zur Herstellung halogenierter Oligosilane wie Si2Cl6, Si3Cl8, Si4Cl10 und höherer Homologen. Diese finden z. B. bei der Abscheidung von Siliciumnitridschichten in CVD-Prozessen Verwendung.

4. 发明专利

DE102016014900A1 Verfahren zur Erhöhung der Reinheit von Oligosilanen und Oligosilanverbindungen 未知
公开(公告)号：DE102016014900A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：DE102016014900
申请日：2016-12-15
申请人： PSC POLYSILANE CHEMICALS GMBH
发明人： BAUCH CHRISTIAN
IPC分类号： C01B33/10 , C07F7/12
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erhöhung der Reinheit von Oligosilanen und/oder Oligosilanverbindungen, bei dem ein aus mindestens 50 % Oligosilanverbindungen, umfassend anorganische Oligosilane und/oder halogenierte Oligosilane und/oder organisch substituierte Oligosilane, gebildetes erstes flüssiges Substanzgemisch bereitgestellt wird, und das erste flüssige Substanzgemisch mindestens einem Reinigungsdurchgang unterzogen wird, wobei in einem ersten Schritt a) das flüssige Substanzgemisch auf eine Temperatur temperiert wird, bei der zumindest ein Anteil der Oligosilanverbindungen erstarren, und in einem zweiten Schritt b) zumindest ein Anteil des flüssigen Substanzgemischs abgetrennt wird.

5. 发明申请

WO2009143825A3 SILICON CONTAINING HALOGENIDE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND USE OF THE SAME 审中-公开
标题翻译：卤硅，方法及其制造相同，使用
公开(公告)号：WO2009143825A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/DE2009000728
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , BAUCH CHRISTIAN , GEBEL THORALF , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , AUNER NORBERT
发明人： MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , BAUCH CHRISTIAN , GEBEL THORALF , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , AUNER NORBERT
IPC分类号： C01B33/03 , C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C01B33/027 , Y10T428/2982
摘要： The invention relates to silicon containing halogenide obtained by thermal disintegration of halogenized polysilane, and a method for producing the silicon. The silicon has a halogenide content of 1 at%-50 at%. The invention further relates to the use of the silicon containing halogenide for purifying metallurgical silicon.
摘要翻译：通过卤化聚硅烷获得的含卤硅的热分解和用于生产硅的方法进行说明。硅具有1原子％-50原子％的卤化物含量。此外，使用含卤素的硅被用于纯化冶金硅说明。

6. 发明申请

WO2009143823A3 HALOGENATED POLYSILANE AND PLASMA-CHEMICAL PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：卤化聚和等离子体增强化学工艺用于生产
公开(公告)号：WO2009143823A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/DE2009000726
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , BAUCH CHRISTIAN , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , AUNER NORBERT
发明人： BAUCH CHRISTIAN , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , AUNER NORBERT
IPC分类号： B01J12/00 , C01B33/107 , H05H1/24
CPC分类号： C08G77/60 , B01J19/088 , B01J2219/0871 , B01J2219/0883 , B01J2219/0894
摘要： The invention relates to a halogenated polysilane (referred to in the following as polysilane) as a pure compound or as a mixture of compounds and to a plasma-chemical process for producing the same. The polysilane is particularly soluble and fusible and is characterized by significant product signals in special chemical shifts in 29Si NMR spectra. The process for producing the halogenated polysilane is characterized by using a low hydrogen portion and an especially low power density regarding the plasma discharge, thereby allowing the production of a halogenated polysilane which is particularly soluble.
摘要翻译：有（以下简称为聚硅烷）将化合物的纯化合物或混合物，卤化聚硅烷及其制造相同述的等离子体化学过程。聚硅烷是特别可溶的和熔断并且其特征在于在的29 Si NMR光谱在特殊的化学位移区域显著产物信号。在用于卤化聚硅烷的制备方法与低氢含量和特别低的能量密度相对于等离子体放电工作。这使得能够建立卤化聚硅烷是特别可溶的。

7. 发明专利

DE102014013250B4 Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane 未知
公开(公告)号：DE102014013250B4
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：DE102014013250
申请日：2014-09-08
申请人： BAUCH CHRISTIAN
发明人： BAUCH CHRISTIAN
IPC分类号： C01B33/107
摘要： Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane SinX2n+2mit n = 2 bis n = 6 als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, deren Substituenten X Chlor oder Chlor und Wasserstoff umfassen, bei dem durch mindestens ein Trennverfahren, ausgewählt aus einer Gruppe, welche Dekantieren, Filtrieren, Destillieren und Sublimieren umfasst, eine Isolierung des halogenierten Oligosilans vorgenommen wird und mit dem nach der Aufreinigung ein reduzierter Gesamtmetallgehalt erzielt wird, dadurch gekennzeichnet, dass(a) dem halogenierten Oligosilan ein Fluorid zugesetzt wird, wobei dieses in reiner Form und/oder als Fluoridgemisch und/oder als eine fluorhaltige Verbindung und/oder Zubereitung und in einer Menge, gerechnet als F-in Bezug auf die Masse des halogenierten Oligosilans, von mehr als 1 ppb, bevorzugt mehr als 100 ppb, besonders bevorzugt mehr als 1 ppm, insbesondere mehr als 10 ppm zugegeben wird,b) dem halogenierten Oligosilan ein Komplexbildner zugesetzt wird, ausgewählt aus einer Gruppe, welche Polyether, Kronenether und Kryptanden umfasst, bevorzugt Kronenether, besonders bevorzugt [18]Krone-6, undc) mindestens eine Prozessierungsphase folgt, in der mindestens das Fluorid auf das halogenierte Oligosilan einwirkt, wobei die mindestens eine Prozessierung ausgewählt ist aus einer Gruppe, welche Rühren, Schwenken, Schütteln, unter Rückfluss erhitzen, Diffundieren und Hindurchleiten umfasst, bevorzugt mindestens zwei Prozessierungsphasen, umfassend Rühren und unter Rückfluss erhitzen.

8. 发明申请

WO2011067413A3 CHLORINATED OLIGOGERMANES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：氯低聚甘油及其生产方法
公开(公告)号：WO2011067413A3
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2010068986
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE SARL , AUNER NORBERT , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , GEBEL THORALF
发明人： AUNER NORBERT , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , GEBEL THORALF
IPC分类号： C08G79/00 , C01G17/04 , C08G85/00
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： The invention relates to chlorinated oligogermanes as a pure compound or as a mixture of compounds, and to a method for the production thereof. The chlorinated oligogermanes as a pure compound or a mixture of compounds respectively comprise at least one direct bond Ge-Ge, the substituents comprise chlorine or chlorine and hydrogen and in the composition thereof, the atomic ratio of substituent to germanium is at least 1:1. The mixture has on average a ratio Ge:Cl of 1:2 - 1:3, or the pure compound has a ratio Ge:Cl of 1:2 - 1:2, 67, preferably 1:2, 2 - 1:2, 5, and the mixture has an average number of germanium atoms of 2 - 10.
摘要翻译：它提供氯化Oligogermane作为纯化合物或化合物的混合物及其制备方法。氯化Oligogermane作为纯化合物或混合物中的每种具有至少一个直接键合的Ge-戈为包括取代基氯，或氯和氢，且在组合物中，原子比取代基：锗至少1：1，其中所述混合物是对Ge平均比：1 CL：2至1：或3，纯化合物，比戈：2至1：2，67，优选为1：2，2〜1：1 Cl 2中，5，且其中所述混合物具有的平均锗原子数从2到10有。

9. 发明申请

WO2011067333A3 METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SHORT-CHAINED HALOGENATED POLYSILANES 审中-公开
标题翻译：方法和设备的短链的卤化聚硅烷生产
公开(公告)号：WO2011067333A3
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/EP2010068733
申请日：2010-12-02
申请人： SPAWNT PRIVATE SARL , BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , TOWARA RENE
发明人： BAUCH CHRISTIAN , HOLL SVEN , DELTSCHEW RUMEN , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , LIPPOLD GERD , TOWARA RENE
IPC分类号： C08G77/60 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60
摘要： The invention relates to a method and a device for producing short-chained halogenated polysilanes and/or short-chained halogenated polysilanes and halogenide-containing silicon by thermolytic decomposition of long-chained halogenated polysilanes. The thermolytic decomposition of long-chained halogenated polysilanes diluted with low-molecular halogen silanes is carried out under an atmosphere of halogen silanes, thereby ensuring the production of such products at industrial scale in a simple and cost-effective manner.
摘要翻译：有用于通过描述的长链卤化聚硅烷的热分解产生分解短链的卤化聚硅烷和/或短链和含卤的硅的卤化聚硅烷的方法和装置。的具有低分子量的长链的卤化聚硅烷卤代硅烷稀释散热的分解是在一卤代硅烷气氛中进行。通过这种方式，在工业规模上的简单和廉价的生产此类产品的可能。

10. 发明申请

WO2008031427A3 SOLID POLYSILANE MIXTURES 审中-公开
标题翻译： FIXED聚MIXES
公开(公告)号：WO2008031427A3
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/DE2007001648
申请日：2007-09-13
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , AUNER NORBERT , HOLL SVEN , BAUCH CHRISTIAN , LIPPOLD GERD , DELTSCHEW RUMEN
发明人： AUNER NORBERT , HOLL SVEN , BAUCH CHRISTIAN , LIPPOLD GERD , DELTSCHEW RUMEN
IPC分类号： C08G85/00 , C08L83/16
CPC分类号： C08G77/60
摘要： The invention relates to mixtures of polysilanes which are macroscopically solid at room temperature. The individual constituents of said mixtures, of the composition SinH2n and/oder SinH2n+2, decompose before boiling under an applied process pressure, and the mixtures of polysilanes themselves are obtained from the hydrogenation of largely chlorinated polysilane mixtures produced by plasma-chemical methods. Said mixtures of polysilanes are especially suitable for applying to surfaces as solutions or dispersions and for obtaining silicon-based structures or layers in subsequent process steps. They are also especially safe to handle and can furthermore be treated for transport in suitable transport containers.
摘要翻译：本发明涉及聚硅烷的宏观固体混合物，该组合物+ 2分解SinH2nund /或SinH2n的施加过程的压力和其下沸腾前的各个部件从等离子体产生的化学上基本上氯化的聚硅烷，在室温下氢化获得。聚硅烷的这些混合物特别适合应用于作为表面上的溶液或分散体，并获得在随后的工艺步骤的基于硅的结构或层。他们也非常安全使用，可以在除适合海运集装箱运输过程的形式。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式