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1. 发明申请

WO2011067415A1 KINETISCH STABILE CHLORIERTE POLYSILANE UND DEREN HERSTELLUNG UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：动力学稳定的氯化聚硅烷和其生产和使用
公开(公告)号：WO2011067415A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068991
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C08G77/60
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Gegenstand einer Ausführungsform der Erfindung sind kinetisch stabile halogenierte Polysilane als Gemisch von Verbindungen mit jeweils zumindest vier miteinander verbundenen Siliciumatomen, deren Substituenten Chlor und Chlor und Wasserstoff umfassen und in deren Zusammensetzung das Atomverhältnis Substituent zu Silicium mindestens 1:1 beträgt wobei a) diese eine kinetisch hohe Stabilität gegenüber oxidativer Spaltung durch Chlor aufweisen, wobei bei Temperaturen von 120 °C innerhalb von 10 Stunden unter Chlorgasüberschuss bei 1013 hPa keine Umsetzung zu mehr als 30 mol% erfolgt, und b) diese einen Anteil von Verzweigungsstellen in den Polysilanmolekülen von mehr als 8 Mol% insbesondere mehr als 11 mol% aufweisen. Diese kinetisch stabilen halogenierten Polysilane ermöglichen neue Anwendungen gegenüber weniger stabilen herkömmlichen halogenierten Polysilanen.
摘要翻译：本发明的一个实施例的目的是动力学稳定的卤化聚硅烷为各自具有至少四个相互连接的硅原子的化合物的混合物，所述的取代基包括氯和氯和氢，在其组合物中，原子比取代基硅为至少1：1，其中一个），这是一个动力学针对氧化裂解高稳定性包括氯，由此在10小时时用氯气过剩内的120℃的温度下，以超过30％（摩尔）无反应在1013hPa下被实现的，以及b）的分支点的中的8个以上的Polysilanmolekülen的比例摩尔％，特别是具有多于11摩尔％。这动力学稳定的卤化聚硅烷能够在不太稳定的传统的卤化聚硅烷新的应用程序。

2. 发明申请

WO2009143823A3 HALOGENATED POLYSILANE AND PLASMA-CHEMICAL PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：卤化聚和等离子体增强化学工艺用于生产
公开(公告)号：WO2009143823A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/DE2009000726
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , BAUCH CHRISTIAN , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , AUNER NORBERT
发明人： BAUCH CHRISTIAN , DELTSCHEW RUMEN , LIPPOLD GERD , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD , AUNER NORBERT
IPC分类号： B01J12/00 , C01B33/107 , H05H1/24
CPC分类号： C08G77/60 , B01J19/088 , B01J2219/0871 , B01J2219/0883 , B01J2219/0894
摘要： The invention relates to a halogenated polysilane (referred to in the following as polysilane) as a pure compound or as a mixture of compounds and to a plasma-chemical process for producing the same. The polysilane is particularly soluble and fusible and is characterized by significant product signals in special chemical shifts in 29Si NMR spectra. The process for producing the halogenated polysilane is characterized by using a low hydrogen portion and an especially low power density regarding the plasma discharge, thereby allowing the production of a halogenated polysilane which is particularly soluble.
摘要翻译：有（以下简称为聚硅烷）将化合物的纯化合物或混合物，卤化聚硅烷及其制造相同述的等离子体化学过程。聚硅烷是特别可溶的和熔断并且其特征在于在的29 Si NMR光谱在特殊的化学位移区域显著产物信号。在用于卤化聚硅烷的制备方法与低氢含量和特别低的能量密度相对于等离子体放电工作。这使得能够建立卤化聚硅烷是特别可溶的。

3. 发明申请

WO2011067333A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG VON KURZKETTIGEN HALOGENIERTEN POLYSILANEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备的短链的卤化聚硅烷生产
公开(公告)号：WO2011067333A2
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068733
申请日：2010-12-02
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , TOWARA, René
发明人： BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , TOWARA, René
IPC分类号： C08G77/60
CPC分类号： C08G77/60
摘要： Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von kurzkettigen halogenierten Polysilanen und/oder von kurzkettigen halogenierten Polysilanen und halogenidhaltigem Silicium durch thermolytische Zersetzung von langkettigen halogenierten Polysilanen beschrieben. Die thermolytische Zersetzung von mit niedermolekularen Halogensilanen verdünnten langkettigen halogenierten Polysilanen wird in einer Halogensilan-Atmosphäre durchgeführt. Auf diese Weise wird die einfache und billige Herstellung von derartigen Produkten im industriellen Maßstab möglich.
摘要翻译：
存在用于所描述的长链卤代聚硅烷的热分解产生分解短链的卤化聚硅烷和/或短链卤代聚硅烷和含卤的硅的方法和装置。与低分子量稀释导航用途Nnten长链卤化聚硅烷的卤代硅烷的散热的分解是卤代硅烷气氛＆AUML; HRT;再进行导航用途。以这种方式，在工业麻简单和廉价的生产这种产品是大街杆M＆ouml;类似于。

4. 发明申请

WO2011067331A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HEXACHLORDISILAN 审中-公开
标题翻译：用于生产六氯乙
公开(公告)号：WO2011067331A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068728
申请日：2010-12-02
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/107 , C01B33/10773
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan beschrieben. Hexachlordisilan wird gewonnen, indem chloriertes Polysilan der empirischen Formel SiCl x (x = 0,2- 0,8) mit Chlorgas oxidativ gespalten wird. Hierdurch wird das Hexachlordisilan selektiv mit großer Ausbeute gewonnen.
摘要翻译：提供了一种用于所描述的六氯乙硅烷的制备方法。六氯乙硅烷是由SiClx得到（X = 0.2-0.8）通过与氯气，经验式的氯化聚硅烷的氧化裂解。由此，六氯乙硅烷被选择性地以高收率回收。

5. 发明申请

WO2010031390A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALOGENIERTEN OLIGOMEREN UND/ODER HALOGENIERTEN POLYMEREN VON ELEMENTEN DER III. BIS V. HAUPTGRUPPE 审中-公开
标题翻译：用于生产卤化低聚物和/或III的元素的卤化聚合物。 BIS五主族
公开(公告)号：WO2010031390A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/DE2009/001299
申请日：2009-09-15
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES, INC. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , GEBEL, Thoralf , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , GEBEL, Thoralf , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad
IPC分类号： C08G77/60 , C08G77/50
CPC分类号： C08G77/60 , C08G77/50
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von halogenierten Oligomeren und/oder halogenierten Polymeren von Elementen der III. bis V. Hauptgruppe beschrieben, bei dem die halogenierten Oligomere und/oder halogenierten Polymere auf plasmachemische Weise aus einem ersten Kettenbildner und einem zweiten Kettenbildner synthetisiert werden. Von den beiden Kettenbildnern ist mindestens einer eine Halogenverbindung eines Elementes der III. bis V. Hauptgruppe.
摘要翻译：它是卤化低聚物和/或III族元素的卤化聚合物的制备方法。通过V.主基团，其中该卤化低聚物和/或卤化聚合物在第一和第二链的链 - 的等离子体化学方式合成描述。两个成形链剂中的至少一个是第三元素的卤化合物。到五群主。

6. 发明申请

WO2009143823A2 HALOGENIERTES POLYSILAN UND PLASMACHEMISCHES VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：卤化聚和等离子体增强化学工艺用于生产
公开(公告)号：WO2009143823A2
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2009/000726
申请日：2009-05-27
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES, INC. , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
发明人： BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
IPC分类号： B01J12/00 , C01B33/107 , H05H1/24
CPC分类号： C08G77/60 , B01J19/088 , B01J2219/0871 , B01J2219/0883 , B01J2219/0894
摘要： Es werden ein halogeniertes Polysilan (im Folgenden Polysilan genannt) als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen sowie ein plasmachemisches Verfahren zur Herstellung desselben beschrieben. Das Polysilan ist besonders gut löslich und schmelzbar und durch signifikante Produktsignale in speziellen chemischen Verschiebungsbereichen in 29 Si-NMR-Spektren charakterisiert. Bei dem Verfahren zur Herstellung des halogenierten Polysilans wird mit einem geringen Wasserstoffanteil und einer besonders niedrigen Energiedichte in Bezug auf die Plasmaentladung gearbeitet. Hierdurch lässt sich ein halogeniertes Polysilan herstellen, das besonders gut löslich ist.
摘要翻译：有（以下简称为聚硅烷）将化合物的纯化合物或混合物，卤化聚硅烷及其制造相同述的等离子体化学过程。聚硅烷是特别可溶的和熔断并且其特征在于在的29 Si NMR光谱在特殊的化学位移区域显著产物信号。在用于卤化聚硅烷的制备方法与低氢含量和特别低的能量密度相对于等离子体放电工作。这使得能够建立卤化聚硅烷是特别可溶的。

7. 发明申请

WO2011067416A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALOGENIERTEN POLYSILANEN 审中-公开
标题翻译：用于生产的卤化聚硅烷
公开(公告)号：WO2011067416A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068993
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LUBENTSOV, Andrey
发明人： BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LUBENTSOV, Andrey
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung halogenierter Polysilane als reine Verbindung oder Gemisch von Verbindungen, das eine besondere Reinheit in Bezug auf unter anderem borhaltige Verbindungen aufweist. Eine Ausführungsform der Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines halogenierten Polysilans der allgemeinen Formel H p Si n-p X (2n+2)-p mit n = 1 bis 50; 0 ≤ p ≤ 2n+1 und X = F, Cl, Br, I, als Einzelverbindung oder Gemisch von Verbindungen aus einem Gemisch zur Verfügung, wobei das Gemisch bereits das halogenierte Polysilan enthält oder in dem Gemisch das halogenierte Polysilan gebildet wird. Das Gemisch enthält zusätzlich Bor-haltige Verunreinigungen. Das Verfahren umfasst dabei die Verfahrensschritte, dass c) das Gemisch mit mindestens 1 ppbw (parts per billion per weight) eines Siloxan-bildenden Oxidationsmittels oder mit Siloxan selbst versetzt wird, wobei die Borhaltigen Verunreinigungen mit den Siloxanen Verbindungen mit einer von den halogenierte Polysilanen unterschiedlichen Flüchtigkeit und/oder Löslichkeit bilden, und d) das halogenierte Polysilan von diesen Verbindungen abgetrennt wird, - wobei während des Verfahrens maximal 1 ppmw Wasser und minimal 1 ppbw Siloxane anwesend sind.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备卤化聚硅烷为具有相对于含硼，其它化合物中的特定纯度化合物的纯化合物或混合物。本发明的一个实施例提供了一种用于制备通式HpSin-PX的卤化聚硅烷（2N + 2）P，其中n = 1至50; 0 = P = 2N + 1和X = F，氯，溴，I，卤化聚硅烷形成为从混合物中的化合物的单独的化合物或混合物是可用的，其中该混合物已经含有卤化聚硅烷或在混合物中。将混合物另外含有含硼的杂质。该方法包括C的方法步骤）加入到该混合物中至少有1等于0.1ppbw（每万亿份重量）的硅氧烷形成氧化剂或硅氧烷本身，其中与具有不同的聚硅烷卤代硅氧烷化合物含硼的杂质挥发性和/或溶解度的形式，和d）卤化聚硅烷从这些化合物中，分离 - 其中至多1ppmw的水和至少1个等于0.1ppbw的硅氧烷是过程期间存在。

8. 发明申请

WO2011067410A1 VERFAHREN ZUM ENTFERNEN VON VERUNREINIGUNGEN AUS SILICIUM 审中-公开
标题翻译：方法去除杂质由硅
公开(公告)号：WO2011067410A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068974
申请日：2010-12-06
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd , GEBEL, Thoralf
IPC分类号： C01B33/037 , C08G77/60
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/04 , C01G17/00 , C08G79/14 , Y02P20/582
摘要： Es wird ein Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen aus Silicium angegeben, das die folgenden Schritte umfasst: A) Bereitstellung von metallischem Silicium mit Verunreinigungen, B) Mischen des zu reinigenden Siliciums mit mindestens einem Halogenpolysilan der Formel SiX n , wobei X für Halogen steht, das teilweise durch Wasserstoff ersetzt sein kann und wobei 1
摘要翻译：提供了一种用于从硅中除去杂质，所述方法包括以下步骤的方法：A）提供有杂质的金属硅的，B）与至少一种混合的待清洁硅聚硅烷式SiXn，其中X是卤素，其是部分地可被氢取代，和其中1

9. 发明申请

WO2011067332A1 CHLORIDHALTIGES SILICIUM 审中-公开
标题翻译：氯含硅
公开(公告)号：WO2011067332A1
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：PCT/EP2010/068730
申请日：2010-12-02
申请人： SPAWNT PRIVATE S.À.R.L. , AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd
发明人： AUNER, Norbert , BAUCH, Christian , HOLL, Sven , DELTSCHEW, Rumen , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , LIPPOLD, Gerd
IPC分类号： C08G77/60 , C01B33/107
CPC分类号： C08G77/60 , C01B33/107 , C01B33/10773
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein chloriertes Polysilan mit der Formel SiCl x mit x = 0,01 bis 0,8, das insbesondere durch Thermolyse eines Chlorpolysilansbei einer Temperatur unter 600 °C herstellbar ist.
摘要翻译：本发明涉及具有式SiClx氯代聚硅烷，其中x = 0.01至0.8，这尤其可以通过一个Chlorpolysilansbei的热解在600℃以下的温度下产生

10. 发明申请

WO2010012273A3 PROCESS FOR REMOVING NONMETALLIC IMPURITIES FROM METALLURGICAL SILICON 审中-公开
标题翻译：一种从铸造硅拆卸非金属杂质
公开(公告)号：WO2010012273A3
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/DE2009001059
申请日：2009-07-29
申请人： REV RENEWABLE ENERGY VENTURES , BERLINSOLAR GMBH , MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD
发明人： MOHSSENI-ALA SEYED-JAVAD
IPC分类号： C01B33/037
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B15/34 , C30B29/06
摘要： The invention describes a process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon. A melt is produced from metallurgical silicon and halide-containing silicon. As a result, the impurities are sublimed out and removed from the melt in the form of nonmetal halides. Compared with the known process, in which gaseous halogen is blown through an Si melt, the novel process can be carried out in a particularly simple and efficient manner.
摘要翻译：一种用于从冶金硅中除去非金属杂质方法中描述。从冶金硅和硅卤化物含熔体被创建。这提供的杂质的Aussublimieren和从在非金属卤化物的形式发生熔体除去它们。与已知的方法相比，通过在Si熔喷在其中气态卤素，新方法可以特别简单和有效的来进行。

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