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1. 发明授权

KR101716652B1 내식막 조성물 有权
标题翻译：抗蚀组成
公开(公告)号：KR101716652B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020090116960
申请日：2009-11-30
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 안도노부오
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： 본발명은 (A) 측쇄에산-불안정그룹을갖는구조단위및 화학식 I의구조단위를포함하는수지, (B) 측쇄에산-불안정그룹을갖는구조단위및 화학식 III의구조단위를포함하는수지및 (C) 산발생제를포함하는내식막조성물에관한것이다. 화학식 I 위의화학식 I에서, R은수소원자또는메틸그룹이고, Z은단일결합또는 -(CH)-CO-O-이고, k는 1 내지 4의정수이고, 환 X는 -COO-를갖는치환되지않거나치환된 C3-C30 사이클릭탄화수소그룹이다. 화학식 III 위의화학식 III에서, R은수소원자또는메틸그룹이고, R은각각의발생시독립적으로직쇄또는측쇄 C1-C6 알킬그룹이고, n은 0 내지 4의정수이다.
摘要翻译：一种抗蚀剂组合物，其包含：（A）包含其侧链具有酸不稳定基团的结构单元的树脂和由式（I）表示的结构单元：其中R1表示氢原子或甲基，Z1表示单键或 - （CH 2）k-CO-O-，k表示1〜4的整数，环X表示未取代或取代的具有-COO-的C3-C30环状烃基，（B）在其侧链具有酸不稳定基团的单元和由式（III）表示的结构单元：其中R 6表示氢原子或甲基，R 7在每种情况下独立地为直链或支链C 1 -C 6烷基 n表示0〜4的整数，（C）酸产生剂。

2. 发明公开

KR1020110090804A 포토레지스트 조성물 无效
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020110090804A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020110009386
申请日：2011-01-31
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 안도노부오 , 다케모토이치키
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/0045 , G03F7/027 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A photo-resist composition and a method for manufacturing a photo-resist pattern using the same are provided to improve the resolution and the line edge roughness of the photo-resist pattern. CONSTITUTION: A photo-resist composition includes a compound represented by chemical formula I and an acid generator represented by chemical formula B1. In the chemical formula I, the R1 to the R4 are respectively hydrogen atom, C1 to C6 alkyl group, C3 to C10 cycloalkyl group, C4 to C20 cycloalkylalkyl group, C6 to C20 aryl group, C7 to C20 aralkyl group, or a group represented by -OX9. One or more hydrogen atom of the alkyl group, the aryl group, and the aralkyl group are capable of being replaced with -OX10. The X1 to X10 are respectively hydrogen atom or a group represented by chemical formula II. In the chemical formula B1, the Q1 and the Q2 are respectively fluorine atom or C1 to C6 perfluoroalkyl group.
摘要翻译：目的：提供光抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂图案的制造方法，以提高光刻胶图案的分辨率和线边缘粗糙度。构成：光致抗蚀剂组合物包括化学式I表示的化合物和由化学式B1表示的酸发生剂。在化学式I中，R 1至R 4分别为氢原子，C 1至C 6烷基，C 3至C 10环烷基，C 4至C 20环烷基烷基，C 6至C 20芳基，C 7至C 20芳烷基，或由-OX9。烷基，芳基和芳烷基的一个或多个氢原子能够被-O X 10替代。 X1至X10分别是氢原子或由化学式II表示的基团。在化学式B1中，Q1和Q2分别为氟原子或C1〜C6全氟烷基。

3. 发明授权

KR101448480B1 화학 증폭형 내식막 조성물 有权
标题翻译：化学放大型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101448480B1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020070125151
申请日：2007-12-04
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마구치사토시 , 야마모토사토시 , 안도노부오
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 본 발명은 화학식 1의 염(A), 화학식 2의 염(B), 및 산 불안정성 그룹을 지니는 구조 단위를 포함하고 그 자체로는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이나 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용성으로 되는 수지(C)를 포함하는 화학 증폭형 내식막 조성물을 제공한다.
화학식 1

화학식 2

위의 화학식 1 및 2에서,
R
21 은 C1-C30 탄화수소 그룹이며, C1-C30 탄화수소 그룹 등을 나타내고,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소 원자 등을 나타내며,
A
+ 는 화학식 1a의 양이온, 화학식 1b의 양이온 및 화학식 1c의 양이온 중에서 선택된 1개 이상의 유기 양이온을 나타내고,
R
22 는 C1-C30 탄화수소 그룹 등을 나타내고,
Q
3 및 Q
4 는 각각 독립적으로 불소 원자 등을 나타내며,
A
'+ 는 화학식 2a의 유기 양이온을 나타낸다.
화학식 1a

화학식 1b

화학식 1c

화학식 2a

위의 화학식 1a, 1b, 1c 및 2a에서,
P
1 , P
2 및 P
3 은 각각 독립적으로 C1-C30 알킬 그룹 등을 나타내고,
P
4 및 P
5 는 각각 독립적으로 수소 원자 등을 나타내며,
P
6 및 P
7 은 각각 독립적으로 C1-C12 알킬 그룹 등을 나타내고,
P
8 은 수소 원자를 나타내며,
P
10 내지 P
21 은 각각 독립적으로 수소 원자 등을 나타내며,
B는 황 원자 또는 산소 원자를 나타내고,
m는 0 또는 1을 나타낸다.
화학 증폭형 포지티브 내식막 조성물, 산 발생제, 유기 짝이온, 연결 그룹, 사이클릭 탄화수소 그룹, 퍼플루오로알킬 그룹, 리소그래피, 해상도, 노광 한계.
摘要翻译：在本发明中通过将盐（A），盐（B）的碱性水溶液，并且影响水不溶性或水难溶性或酸在含有具有酸不稳定基团的结构单元的碱性水溶液，并且是下式的通式2的自身和可溶解的树脂（C）。

4. 发明公开

KR1020110081061A 포토레지스트 조성물 审中-实审
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020110081061A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：KR1020110000316
申请日：2011-01-03
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마시타유코 , 안도노부오
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L21/027 , H01L21/0271
摘要： PURPOSE: A photo-resist composition is provided to modify the photo-resist composition and a photo-resist pattern forming process by including a resin and a structural unit represented by specific chemical formulas. CONSTITUTION: A photo-resist composition includes a resin and a compound. The resin contains a structural unit represented by chemical formula I. The compound represented by chemical formula D'. In the chemical formula I, the Q1 and Q2 represent fluorine or C1 to C6 perfluoroalkyl group. The U represents -CH_2-, -O-, -NH-, -S-, -NRc-, -CO-, or C1 to C20 divalent hydrocarbon capable of being substituted with -CO-. The Rc represents C1 to C6 alkyl group. The X1 is -O-CO-, -CO-O-, -CO-O-CH_2-, -CH_2-O-, -NRd-CO-, or -CO-NRd-. The Rd represents hydrogen or C1 to C6 alkyl group. A+ represents an organic counter ion.
摘要翻译：目的：提供光阻剂组合物以通过包括树脂和由特定化学式表示的结构单元来修饰光致抗蚀剂组合物和光致抗蚀剂图案形成方法。构成：光致抗蚀剂组合物包括树脂和化合物。树脂含有由化学式I表示的结构单元。化学式D'表示的化合物。在化学式I中，Q1和Q2表示氟或C1至C6全氟烷基。 U表示可被-CO-取代的-CH 2 - ， - O - ， - NH - ， - S - ， - NR c - ， - CO-或C 1至C 20二价烃。 Rc表示C1〜C6烷基。 X1是-O-CO-，-CO-O-，-CO-O-CH_2-，-CH2-O-，-NRd-CO-或-CO-NRd-。 Rd代表氢或C1-C6烷基。 A +表示有机抗衡离子。

5. 发明公开

KR1020090091050A 폴리하이드릭 화합물 및 이를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：多晶化合物和含有其的化学放大电阻组合物
公开(公告)号：KR1020090091050A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020090014011
申请日：2009-02-19
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다케모토이치키 , 안도노부오
IPC分类号： C08G61/00 , C08G61/02 , C08L65/00 , G03F7/004
CPC分类号： C07C309/17 , G03F7/0045 , G03F7/039 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/114 , Y10S430/115 , C08G61/00 , C08G61/02 , C08L65/00 , G03F7/0047 , G03F7/0392
摘要： A polyhydric compound is provided to form pattern with excellent resolution and line edge roughness, and to produce a chemically amplified resist composition suitable for extreme ultraviolet lithography and electronic lithography. A polyhydric compound has a structure represented by chemical formula I. In chemical formula I, R^51 - R^67 are independently hydrogen atom or C1-C4 alkyl group; at least one group selected from the group consisting of R^1 - R^5 is the group of chemical formula II; and the other group is hydrogen atom or the group of chemical formula III.
摘要翻译：提供多元化合物以形成具有优异分辨率和线边缘粗糙度的图案，并且制备适用于极紫外光刻和电子光刻的化学放大抗蚀剂组合物。多元化合物具有由化学式I表示的结构。在化学式I中，R 51 - R 67独立地为氢原子或C 1 -C 4烷基; 选自R 1 -R 5的至少一个基团是化学式II的基团; 另一组为氢原子或化学式III的基团。

6. 发明公开

KR1020100067620A 화합물 및 이 화합물을 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물 无效
标题翻译：化合物和化学抑制剂组合物
公开(公告)号：KR1020100067620A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020090122087
申请日：2009-12-09
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다케모토이치키 , 안도노부오
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： C07D311/02 , C07D311/96 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要： PURPOSE: A novel compound and a chemically amplified resist composition containing the same are provided to produce a pattern having excellent resolution and line edge roughness and to be used for extreme ultraviolet radiation and electron-beam lithography. CONSTITUTION: A novel compound is marked as a chemical formula 1. In the chemical formula 1, P1, P2, P3, P4, and P5 are a hydrogen atom, an alkyl group of C1-C4, an alkenyl group of C2-C4, an alkynyl group of C2-C4, a cycloalkyl group, an aryl group of C6-C12, or an aralkyl group of C7-C12. P1 and P2 can form an acyclic hydrocarbon group of C3-C12 by being combined each other.
摘要翻译：目的：提供含有该化合物和化学放大抗蚀剂组合物的新型化合物和化学增幅抗蚀剂组合物以产生具有优异的分辨率和线边缘粗糙度的图案，并用于极紫外辐射和电子束光刻。化学式1化学式1中，P1，P2，P3，P4和P5为氢原子，C1-C4烷基，C2-C4链烯基， C2-C4的炔基，环烷基，C6-C12的芳基或C7-C12的芳烷基。 P1和P2可以通过彼此组合形成C 3 -C 12的无环烃基。

7. 发明公开

KR1020100067619A 레지스트 조성물 无效
标题翻译：耐腐蚀组合物
公开(公告)号：KR1020100067619A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020090121812
申请日：2009-12-09
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 안도노부오 , 다케모토이치키
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/039
摘要： PURPOSE: A resist composition is provided to obtain a good resist pattern in a solution and a pattern profile and to be suitably used for an extreme ultraviolet radiation(EUV) and electron-beam lithography by being comprised of a resin, a polyphenolic compound, and an acid generator. CONSTITUTION: A resists composition comprises: a resin which is insoluble in an alkali aqueous solution but is soluble in the alkali aqueous solution through the action of acid; a polyphenolic compound of a chemical formula 1; and an acid generator. In the chemical formula 1, one or more selected from a group comprising R1, R2, R3, R4, and R5 is included in a group of a chemical formula 2. In the chemical formula 1, the others are hydrogen atoms.
摘要翻译：目的：提供抗蚀剂组合物以在溶液和图案轮廓中获得良好的抗蚀剂图案，并且适合用于极紫外辐射（EUV）和电子束光刻，其由树脂，多酚化合物和酸发生器。构成：抗蚀剂组合物包含：不溶于碱性水溶液但通过酸作用而溶于碱性水溶液的树脂; 化学式1的多酚化合物; 和酸发生剂。在化学式1中，在化学式2的基团中包括选自由R 1，R 2，R 3，R 4和R 5组成的组中的一个或多个。在化学式1中，其余的是氢原子。

8. 发明公开

KR1020080037533A 다가 페놀 화합물 및 이를 함유하는 화학증폭형 레지스트조성물 无效
标题翻译：多羟基苯酚化合物和含有其的化学稳定组合物
公开(公告)号：KR1020080037533A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020070106879
申请日：2007-10-23
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다케모토이치키 , 안도노부오 , 시게마쓰준지
IPC分类号： C07C43/02 , C07C43/20 , C07C33/36
CPC分类号： C07C39/15 , C07C67/31 , C07C69/712 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A novel polyhydric phenol compound, a method for preparing the compound, and a chemically amplified resist composition containing the compound are provided to improve the resolution and line edge roughness of pattern. A polyhydric phenol compound is represented by the formula I, wherein at least one of R1, R2, R3, R4 and R5 is a group represented by the formula II, and the rest is H. In the formula II, X1, X2, X3 and X4 are independently H or a C1-C4 alkyl group; n is an integer of 0-3; Z1 is a C1-C6 alkyl group or a C3-C12 cycloalkyl group; and Y is an alicyclic hydrocarbon group. A chemically amplified resist composition comprises the polyhydric phenol compound of the formula I; and an acid generator.
摘要翻译：提供了一种新型多元酚化合物，该化合物的制备方法和含有化合物的化学放大型抗蚀剂组合物，以提高图案的分辨率和线边缘粗糙度。多元酚化合物由式I表示，其中R 1，R 2，R 3，R 4和R 5中的至少一个为式II表示的基团，其余为H.在式II中，X 1，X 2，X 3 X4独立地为H或C1-C4烷基; n为0-3的整数; Z1是C1-C6烷基或C3-C12环烷基; Y为脂环族烃基。化学放大抗蚀剂组合物包含式I的多元酚化合物; 和酸发生剂。

9. 发明授权

KR101814797B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101814797B1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR1020110000316
申请日：2011-01-03
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마시타유코 , 안도노부오
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要： 본발명은하기화학식(I)으로표시된구조단위를포함한수지및 하기화학식(D')으로표시된화합물을포함하는포토레지스트조성물을제공한다:상기식 중, Q및 Q는독립적으로불소원자등을나타내고, U는 C1-C20 2가탄화수소기 등을나타내며, X은 -O-CO- 등을나타내고, A는유기카운터이온을나타내고;상기식 중, R, R, R및 R는독립적으로 C1-C20 알킬기 등을나타내고, A은하나이상의치환기를가질수 있고하나이상의헤테로원자를함유할수 있는 C1-C36 포화환형탄화수소기를나타낸다.
摘要翻译：本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，其包含含有由下式（I）表示的结构单元和由下式（D'）表示的化合物的树脂：其中Q和Q独立地表示氟原子等 U表示碳数1〜20的二价烃基等，X表示-O-CO-等，A表示有机抗衡离子，其中，R，R，R和R独立地为C 1 -C 20 烷基等，A表示可具有至少一个取代基且可含有一个或多个杂原子的C1-C36饱和环状烃基。

10. 发明授权

KR101508910B1 폴리하이드릭 화합물 및 이를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물 有权
标题翻译：多羟基化合物和含有其的化学放大型抗蚀剂组合物
公开(公告)号：KR101508910B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020090014011
申请日：2009-02-19
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다케모토이치키 , 안도노부오
IPC分类号： C08G61/00 , C08G61/02 , C08L65/00 , G03F7/004
摘要： 본 발명은 화학식 I의 폴리하이드릭 화합물 및 이를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
화학식 I

상기 화학식 I에서,
R
51 내지 R
67 은 각각 독립적으로 수소 원자 등이고,
R
1 내지 R
5 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 그룹은 화학식 II의 그룹이고, 다른 그룹은 수소 원자 또는 화학식 III의 그룹이다.
화학식 II

상기 화학식 II에서,
Q
1 및 Q
2 는 각각 독립적으로 불소 원자 등이고,
U는 C1-C20 2가 탄화수소 그룹 등이고,
A
+ 는 유기 짝이온이다.
화학식 III

상기 화학식 III에서,
X
1 내지 X
4 는 각각 독립적으로 수소 원자 등이고,
n은 0 내지 3의 정수이고,
W는

Z
1 은 C1-C6 알킬 그룹 등이고,
환 Y는 C3-C20 지환족 탄화수소 그룹이다.
폴리하이드릭 화합물, 화학 증폭형 레지스트 조성물,
摘要翻译：本发明提供式（I）的多羟基化合物和含有其的化学放大型抗蚀剂组合物。

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