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1. 发明专利

JP2017092789A 電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017092789A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015222585
申请日：2015-11-13
申请人：株式会社日立製作所 , Hitachi Ltd , 株式会社日立パワーデバイス , Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： HORIUCHI KEISUKE , KAWASE DAISUKE , INABA MASAMITSU , SAITO KATSUAKI , ONDA KOHEI
IPC分类号： H03K17/08 , H02M7/48
摘要：【課題】高密度実装と高精度異常電流検出とを両立し、また、短絡検知と過電流検知とを互いに独立に実行する電力変換装置を提供する。【解決手段】以下の制御部を備えた電力変換装置とする。制御部は、端子の両方に対して互いに並列に接続される積分回路および増幅回路と、積分回路の出力側に接続される第1の比較器と、増幅回路の出力側に接続される第2の比較器とを備える。更に制御部は、第1の比較器がオンになった時点から期間t1の間は短絡検知を停止し、第1の比較器がオンになった時点から期間t1後に短絡検知を実行し、第2の比較器がオンになった時点から期間t1より長い期間t2の間は過電流検知を停止し、第2の比較器がオンになった時点から期間t2後に過電流検知を実行するよう構成される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2015033149A 半導体素子の駆動装置及びそれを用いた電力変換装置审中-公开
标题翻译：半导体元件的驱动单元和使用该元件的功率转换器件
公开(公告)号：JP2015033149A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013158588
申请日：2013-07-31
申请人：株式会社日立パワーデバイス , Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H02M7/48 , H03K17/16 , H03K17/56
摘要：【課題】半導体スイッチング素子の温度が変化しても、サージ電圧を確実に半導体スイッチング素子の耐圧以下に抑制する。【解決手段】IGBT10のオン・オフを制御する駆動装置が、IGBT10に印加される電圧を抑制する保護回路を備え、この保護回路は、IGBT10の温度を検出する温度検出手段12と、IGBT10の電圧が、直流電源の電圧とIGBT10の耐圧との間の所定の電圧以上に上昇したことを、ツェナーダイオード16を含む回路によって検知したら、温度検出手段12によって検出される温度に応じてその大きさが制御される電流をゲートに与える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使当半导体开关元件的温度变化时，即使半导体开关元件得到不大于耐受电压的冲击电压，也可以完全抑制浪涌电压。解决方案：控制IGBT10的导通截止动作的驱动单元包括用于抑制施加到IGBT 10的电压的保护电路。保护电路包括用于检测IGBT 10的温度的温度检测装置12以及根据由温度检测装置12检测到的温度来控制栅极的电流的装置当包括齐纳二极管16的电路检测到IGBT 10的电压已经增加到直流电源的电压和IGBT 10的耐受电压之间的至少预定电压时。

3. 发明专利

JP2015032984A 半導体素子の駆動装置およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
标题翻译：用于驱动半导体元件的装置和使用该半导体元件的功率转换装置
公开(公告)号：JP2015032984A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013161193
申请日：2013-08-02
申请人：株式会社日立パワーデバイス , Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H03K17/08 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M7/48
摘要：【課題】半導体スイッチング素子を短絡電流から確実に保護する半導体素子の駆動装置及びそれを用いた電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体スイッチング素子の駆動装置が備える保護回路が、IGBT24を流れる主電流とIGBT24のゲート電圧とに基づいて短絡を検知し、短絡を検知したら短絡検知信号を出力する短絡検知部102と、IGBT24を流れる主電流に基づいて短絡を検知したら短絡電流のdi/dtを低減する短絡di/dt制御部106と、短絡検知信号に基づいて駆動部105に遮断指令信号を送信する駆動遮断部104とを備え、駆動部105は、短絡電流のdi/dtが低減されたら、遮断指令信号に基づいてIGBT24をターンオフする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于驱动半导体元件的装置及其电力转换装置，其可靠地保护半导体开关元件免受短路电流的影响。解决方案：设置在用于驱动半导体开关元件的装置中的保护电路包括：用于根据流过IGBT24的主电流和IGBT24的栅极电压来检测短路的短路检测部102，如果检测短路则输出短路检测信号; 短路di / dt控制部分106，用于根据流经IGBT24的主电流检测短路来减小短路电流的di / dt; 以及用于根据短路检测信号向驱动部分105发送中断指令信号的驱动中断部分104。基于短路电流的di / dt减小后的中断指令信号，驱动部105关断IGBT24。

4. 发明专利

JP2015033222A 半導体素子の駆動装置およびそれを用いる電力変換装置审中-公开
标题翻译：半导体器件的驱动单元和使用其的功率转换器件
公开(公告)号：JP2015033222A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013161192
申请日：2013-08-02
申请人：株式会社日立パワーデバイス , Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48
摘要：【課題】制御電源を共通化しても誘起電圧が制御端子に重畳されることを抑制できる、半導体素子の駆動装置を提供する。【解決手段】複数の下アーム側IGBT(Mnu,Mnv,Mnw)の各ゲート端子に駆動信号を与える複数の下アーム側駆動回路12,112,212と、複数の下アーム側駆動回路12,112,212に共通接続されるゲート電源13と、複数の下アーム側IGBT(Mnu,Mnv,Mnw)の各エミッタ端子と、ゲート電源13との間に接続される複数のインピーダンス手段10,110,210と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供半导体装置的驱动单元，即使在控制电源被共用时也能够抑制感应电压叠加在控制端子上。解决方案：半导体器件的驱动单元包括：多个下部臂驱动电路12,112,212，其向多个下臂IGBT（Mnu，Mnv，Mnw）的各个栅极端子提供驱动信号; 与多个下臂驱动电路12,112,212共同连接的栅极电源13; 以及连接在多个下臂IGBT（Mnu，Mnv，Mnw）和栅极电源13的各发射极端子之间的多个阻抗部件10,110,210。

5. 发明专利

JP2014175433A Power module and electric power conversion apparatus using the same 审中-公开
标题翻译：功率模块和电力转换装置使用它
公开(公告)号：JP2014175433A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046091
申请日：2013-03-08
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC分类号： H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To alleviate influence of a magnetic field to a power semiconductor device.SOLUTION: A power module comprises: an insulation substrate 16; a power semiconductor device 14 connected to the insulation substrate 16; a first control electrode 12 electrically connected to an input electrode for a control signal of the power semiconductor device 14; and a second control electrode 11 electrically connected to a reference electrode for a control signal of the power semiconductor device 14. The power module 14 also has a conductor 13 which induces eddy current by a magnetic field generated due to main current flowing through the power semiconductor device and passing between the first control electrode 12 and the second control electrode 11.
摘要翻译：要解决的问题：减轻磁场对功率半导体器件的影响。解决方案：功率模块包括：绝缘基板16; 连接到绝缘基板16的功率半导体装置14; 电连接到用于功率半导体器件14的控制信号的输入电极的第一控制电极12; 以及电连接到用于功率半导体器件14的控制信号的参考电极的第二控制电极11.功率模块14还具有导体13，该导体13由于主电流流过功率半导体而产生的磁场而感应涡电流并且在第一控制电极12和第二控制电极11之间通过。

6. 发明专利

JP2014175432A Power module and electric power conversion apparatus using the same 审中-公开
标题翻译：功率模块和电力转换装置使用它
公开(公告)号：JP2014175432A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013046089
申请日：2013-03-08
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To alleviate influence of a magnetic field to a power semiconductor device.SOLUTION: A power module comprises: an insulation substrate 16; a power semiconductor device 14 connected to the insulation substrate 16; a first control electrode 12 electrically connected to an input electrode for a control signal of the power semiconductor device 14; and a second control electrode 11 electrically connected to a reference electrode for a control signal of the power semiconductor device 14. Magnetic shield films are adhered to the first control electrode and the second control electrode so as to surround the first control electrode and the second control electrode.
摘要翻译：要解决的问题：减轻磁场对功率半导体器件的影响。解决方案：功率模块包括：绝缘基板16; 连接到绝缘基板16的功率半导体装置14; 电连接到用于功率半导体器件14的控制信号的输入电极的第一控制电极12; 电连接到用于功率半导体器件14的控制信号的参考电极的第二控制电极11.磁屏蔽膜粘附到第一控制电极和第二控制电极，以便围绕第一控制电极和第二控制电极电极。

7. 发明专利

JP2014117112A Semiconductor control device, and power conversion equipment 审中-公开
标题翻译：半导体控制器件和功率转换器件
公开(公告)号：JP2014117112A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2012271075
申请日：2012-12-12
申请人： Hitachi Power Semiconductor Device Ltd , 株式会社日立パワーデバイス
发明人： INABA MASAMITSU
IPC分类号： H02M1/08 , H02M1/00 , H02M7/48
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent short circuit vibration by switching a gate resistance when turning on a switching element right after detecting short circuit and delaying turning-on to suppress di/dt.SOLUTION: A main circuit is formed by a plurality of switching elements for performing DC to AC conversion, a first series circuit in which a first switching element, a first resistor, a second resistor, and a second switching element are arranged in this order between DC power supply terminals, and the connection point of the first resistor and the second resistor is connected to the gates of the switching elements, and a second series circuit in which a third switching element and a third resistor are arranged in this order and are connected between one end of the DC power supply terminal and the gates of the switching elements are provided, and the first switching element and the second switching element are alternately controlled by a control signal, and the third switching element is turned on by detecting short circuit of the main circuit to connect the third resistor having a resistance value larger than that of the first resistor to the gate of the switching element.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在检测短路后立即接通开关元件并延迟开启以抑制di / dt时切换栅极电阻的短路振荡。解决方案：主电路由多个开关元件为了进行直流到交流转换，第一串联电路，其中第一开关元件，第一电阻器，第二电阻器和第二开关元件按此顺序布置在直流电源端子与第一电阻器的连接点之间并且第二电阻器连接到开关元件的栅极，并且第二串联电路，其中第三开关元件和第三电阻器按顺序排列并且连接在直流电源端子的一端和栅极之间提供开关元件，并且第一开关元件和第二开关元件由控制信号交替地控制，并且第三开关元件i 通过检测主电路的短路来将具有大于第一电阻器的电阻值的第三电阻器连接到开关元件的栅极来接通。

8. 发明专利

DE102021101327A1 GATE-ANSTEUERUNGSVORRICHTUNG, GATE-ANSTEUERUNGSVERFAHREN, LEISTUNGSHALBLEITERMODUL UND STROMWANDLERVORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE102021101327A1
公开(公告)日：2021-09-23
申请号：DE102021101327
申请日：2021-01-22
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： IKARASHI DAISUKE , MASUDA TORU , HAYAKAWA SEIICHI , TAKAYANAGI YUJI , INABA MASAMITSU
IPC分类号： H03K17/08 , H02M1/08 , H03K17/06
摘要： Die Erfindung stellt eine Gate-Ansteuerungsvorrichtung, ein Gate-Ansteuerungsverfahren, ein Leistungshalbleitermodul und eine Stromwandlervorrichtung bereit, die in der Lage sind, eine negative Gate-Überspannung zu reduzieren. Die Gate-Ansteuerungsvorrichtung steuert ein Halbleiterbauteil an, das einen Arm in einer Stromwandlervorrichtung bildet. Vor einem Ausschaltbeginn eines Ansteuerungsarms wird in einem Gegenarm die Spannung zwischen einem Hauptanschluss des Halbleiterbauelements und dem Gate-Anschluss des Halbleiterbauelements auf einen Spannungswert geladen, der in einer positiven Richtung größer ist als eine negative Spannung einer negativen Gate-Stromversorgung und kleiner ist als die Gate-Schwellenspannung des Halbleiterbauelements.

9. 发明专利

DE112015003784T5 Halbleiter-Leistungsmodul und Halbleiteransteuerungsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE112015003784T5
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：DE112015003784
申请日：2015-09-10
申请人： HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE LTD
发明人： HORIUCHI KEISUKE , INABA MASAMITSU , SAITO KATSUAKI , KAWASE DAISUKE
IPC分类号： H03K17/08 , H02H3/093 , H02M7/48
摘要： Es wird ein Halbleiterleistungsmodul geschaffen, das einen Überstrom mit einer hohen Genauigkeit detektiert, um ein Halbleiterschaltelement sicher vor Überstrom zu schützen. Das Halbleiterleistungsmodul enthält einen negativen Anschluss (11b), einen positiven Anschluss (11a) und einen IGBT, der eine Emitterelektrode, die mit dem negativen Anschluss (11b) elektrisch verbunden ist, und eine Kollektorelektrode, die mit dem positiven Anschluss (11a) elektrisch verbunden ist, enthält. Eine Eigeninduktivität (L1), die durch den negativen Anschluss (11b) verursacht ist, eine Gegeninduktivität (M12) zwischen dem negativen Anschluss (11b) und dem positiven Anschluss (11a) und eine detektierte Spannung gemäß einer Änderung des Stroms, der zu der Emitterelektrode fließt, werden aus einem Zusatzemitteranschluss (3d) ausgegeben, an dem ein Potential der Emitterelektrode detektiert wird, und aus einem negativen Zusatzanschluss (3f), an dem ein Potential des negativen Anschlusses (11b) detektiert wird, ausgegeben. Die detektierte Spannung wird in einem Überstromschutz des IGBT verwendet, und eine Gegeninduktivität (M12) wird in dem Überstromschutz verwendet.

10. 发明专利

JP2007049835A Device and method for controlling rotating electric machine 审中-公开
标题翻译：用于控制旋转电机的装置和方法
公开(公告)号：JP2007049835A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：JP2005232287
申请日：2005-08-10
申请人： Hitachi Ltd , 株式会社日立製作所
发明人： TAKAMI KAZUHISA , SHIRAKAWA SHINJI , INABA MASAMITSU , YAMAUCHI TATSUMI , IWAMURA MASAHIRO , SAITO AKIHIRO
IPC分类号： H02P29/00 , G01P3/481
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for controlling a rotating electric machine capable of preventing a control operation from being operated unsteady, even if a power running control is transited to a power generation control and the power generation control is transited to the power running control in a rotating electric machine control. SOLUTION: The device includes a main circuit connected between a plurality of rotor winding terminals of the rotating electric machine and a low potential of a battery, and a control unit for controlling the power running and the power generation by turning ON/OFF the main circuit; and switches and controls the power running and the power generation to perform the power running and the power generation, when a control command of the rotating electric machine is switched from a power running command to a power generation command or from the power generation command to the power running command. A stand-by command is added between the power running command and the power generation command, so that the power generation control and the power running control are prevented from being rapidly switched, thus preventing the occurrence of contradiction in the control switching operation. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于控制能够防止控制操作不稳定的旋转电机的装置和方法，即使电力运行控制转移到发电控制，并且发电控制是在旋转电机控制中转移到动力运行控制。解决方案：该装置包括连接在旋转电机的多个转子绕组端子和电池的低电位之间的主电路，以及用于通过接通/断开来控制电力运行和发电的控制单元主电路; 并且当旋转电机的控制命令从电力运行命令切换到发电命令或从发电命令切换到电力生成命令时，切换和控制电力运行和发电以执行电力运行和发电。电源运行命令。在功率运行命令和发电指令之间添加备用命令，防止发电控制和动力运行控制被快速切换，从而防止在控制切换操作中发生矛盾。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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