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1. 发明公开

KR1020090071427A 유전체 코어를 갖는 수동소자 제조방법 失效
标题翻译：具有介质芯的被动元件的制造工艺
公开(公告)号：KR1020090071427A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020080132812
申请日：2008-12-24
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 육종민
IPC分类号： H01P3/08
CPC分类号： H01P3/08 , H01P9/02 , H01P11/003
摘要： A manufacturing method of a passive device having a dielectric core is provided to easily form a conductive structure having thick thickness by performing plating after forming a dielectric core. A core(20) is formed on a substrate(10) into a shape having a step with a dielectric(S20). The dielectric is one among polymer, metal oxide, and anodized silicon. A seed metal(30) is coated on a surface of the core(S30). A masking pattern(40) is formed on a non-plating region by using a dielectric thin film(S40). A plating layer(50) is formed by electroplating(S50). The masking pattern and the seed metal of the non-plating region are removed(S60).
摘要翻译：提供具有介质芯的无源器件的制造方法，以在形成介质芯之后通过进行电镀来容易地形成具有厚度厚度的导电结构。在基板（10）上形成具有电介质台阶的形状（S20）（S20）。电介质是聚合物，金属氧化物和阳极氧化硅之一。在芯的表面上涂覆种子金属（30）（S30）。通过使用电介质薄膜在非电镀区域上形成掩模图案（S40）（S40）。通过电镀形成镀层（S50）（S50）。去除非电镀区域的掩模图案和种子金属（S60）。

2. 发明授权

KR100907508B1 패키지 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译：封装基板及其制造方法
公开(公告)号：KR100907508B1
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：KR1020070076676
申请日：2007-07-31
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민 , 유제인
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/045
CPC分类号： H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L24/31 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , Y10T29/49117 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 패키지 기판 및 그 제조방법, 그리고 베이스 패키지 모듈과 베이스 패키지 모듈 상하부에 패키지 기판이 적층된 다층 패키지 모듈을 제공한다. 베이스 패키지 모듈은 베이스 금속 기판과, 베이스 금속 기판 상에 형성되고 내부에 캐비티가 형성되어 있는 제1 금속 산화층과, 캐비티 내의 베이스 금속 기판 상에 실장되고 캐비티 내의 측벽에 형성된 제1 금속 산화층으로 절연된 소자와, 소자와 제1금속산화층 상에 형성된 배선 패드와 연결하는 도선을 포함한다. 패키지 기판은 배선 패드, 도선 및 소자를 노출하는 개구를 갖는 제2 금속 산화층과, 상기 제2 금속 산화층의 소정 부분에 형성되어 배선 패드와 연결 패드를 통하여 연결되는 비아를 포함한다.
패키지 기판, 베이스 패키지 모듈, 다층 패키지 모듈, 비아
摘要翻译：一种封装基板及其制造方法以及一种多层封装模块，其中封装基板层叠在基础封装模块和基础封装模块的上部和下部上。基于封装模块被安装在所述第一金属氧化物层的基体金属基板和在其中形成的腔中的腔体上形成基体金属基板和基底金属基板上，并从在腔体形成在所述侧壁上的第一金属氧化物层绝缘并且引线连接形成在第一金属氧化物层上的元件和配线焊盘。该封装基板包括经由被形成在第二金属氧化物层的预定部分，并具有暴露布线焊盘，引线的开口的第二金属氧化物层，并经由连接焊盘和配线焊盘连接的设备。

3. 发明公开

KR1020080108885A 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：使用阳极氧化层的半导体封装模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080108885A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020070094584
申请日：2007-09-18
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01078 , H01L2924/15153
摘要： A semiconductor package module and a manufacturing method thereof are provided to effectively connect the semiconductor device, the optical device, and the circuitry by extending and forming the lead line up to girth of the organic insulating layer or the oxide layer. A semiconductor device module using the anodized film comprises the substrate(10), the oxide layer(12), the semiconductor device(16), the organic layer, and the lead line(26). The substrate is formed of the material forming the anodized film. The oxide layer is formed on the top of the substrate. The oxide layer has one or more opening(14). The semiconductor device is mounted in the opening of the oxide layer. The organic layer is formed in order to cover the oxide layer and the semiconductor device. The lead line is formed on the organic layer or the oxide layer. The lead line is connected to the semiconductor device.
摘要翻译：提供了一种半导体封装模块及其制造方法，以通过将引线延伸和形成直到有机绝缘层或氧化物层的周长来有效地连接半导体器件，光学器件和电路。使用阳极氧化膜的半导体器件模块包括衬底（10），氧化物层（12），半导体器件（16），有机层和引线（26）。基板由形成阳极氧化膜的材料形成。氧化物层形成在衬底的顶部。氧化物层具有一个或多个开口（14）。半导体器件安装在氧化物层的开口中。形成有机层以覆盖氧化物层和半导体器件。引线在有机层或氧化物层上形成。引线与半导体器件连接。

4. 发明授权

KR100987185B1 유전체 코어를 갖는 수동소자 제조방법 失效
标题翻译：带介质芯的无源元件制造工艺
公开(公告)号：KR100987185B1
公开(公告)日：2010-10-11
申请号：KR1020080132812
申请日：2008-12-24
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 육종민
IPC分类号： H01P3/08
摘要： 높은 단차비와 두께를 갖는 도전구조를 용이하고 저렴하게 제조할 수 있도록, 기판 위에 유전체를 이용하여 단차를 갖는 돌출되는 형상으로 코어를 형성하고, 형성된 코어의 표면에 씨드금속을 코팅하고, 도금이 되지 않아야 하는 부분에 유전체 박막으로 마스킹 패턴을 형성하고, 전기 도금을 행하고, 마스킹 패턴과 도금이 되지 않은 부분의 씨드금속을 제거하는 단계를 포함하는 유전체 코어를 갖는 수동소자 제조방법을 제공한다.
유전체, 코어, 폴리머, 금속산화물, 도금, 인덕터, 수동소자, 고주파, 단차

5. 发明授权

KR100894247B1 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：使用阳极化氧化物层的半导体封装模块及其制造方法
公开(公告)号：KR100894247B1
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：KR1020070094584
申请日：2007-09-18
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01078 , H01L2924/15153
摘要： 수광 또는 발광소자를 사용하는 경우에도 효과적으로 기능이 발휘되고 다른 반도체 소자 및 부품과의 연결이 용이하도록, 양극산화막을 형성할 수 있는 재질로 형성되는 기판과, 기판 상에 형성되고 적어도 하나의 개구부를 갖는 산화물층과, 산화물층의 개구부 내에 실장되는 반도체 소자와, 산화물층 및 반도체 소자를 덮도록 형성되고 반도체 소자의 상면이 노출되도록 일부가 제거되는 유기물층과, 유기물층 또는 산화물층 상에 형성되고 반도체 소자와 연결되는 리드선을 포함하는 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈을 제공한다.
양극산화막, 알루미늄, 패키지, 모듈, 수동소자, 수광소자, 발광소자, 전극, 산화물층

6. 发明授权

KR100888228B1 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：金属基光子器件封装模块及其工艺
公开(公告)号：KR100888228B1
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：KR1020070070817
申请日：2007-07-13
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민 , 현성우 , 손보인
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/64
CPC分类号： H01L31/024 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 열 방출 성능을 크게 향상시키고 얇은 패키지가 가능하도록, 판형상으로 형성되는 금속 기판과, 금속 기판 상에 형성되고 실장홈을 갖는 금속산화물층과, 금속산화물층의 실장홈 내에 실장되는 광소자와, 금속산화물층의 실장홈 내면에 형성되는 반사면을 포함하는 금속베이스 광소자 패키지 모듈을 제공한다.
광소자, LED, 금속, 패키지, 모듈, 금속산화물, 식각, 마스킹 패턴

7. 发明公开

KR1020090012664A 패키지 기판 및 그 제조방법 失效
标题翻译：金属基层包装基板和使用金属基底包装基板的三维多层包装模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090012664A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076676
申请日：2007-07-31
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민 , 유제인
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/045
CPC分类号： H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L24/31 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , Y10T29/49117 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： A metal base package substrate and three dimensional multilayer package module using the metal base package substrate, and a fabrication method thereof are provided to perform the multilayer package module process in stead of the printed circuit board and the LTCC substrate. A metallic base package substrate(40) comprises a metal-oxide layer(44) and a metal via(20). The metal-oxide layer is formed by oxidizing the metallic board. The metal-oxide layer has the form of the flat board. The metal via is arranged on one or more parts of the metallic board which is not oxidized. The metal via passes through the metal-oxide layer. The metal via has the same thickness as the metal-oxide layer. The multilayer package module comprises laminated package substrates(100a,100b,100c). Package substrates contact with a connection pad(62) positioned in the lower side and the upper side of the metal via.
摘要翻译：提供了使用金属基底封装基板的金属基封装基板和三维多层封装模块及其制造方法，以执行多层封装模块工艺而不是印刷电路板和LTCC衬底。金属基底封装衬底（40）包括金属氧化物层（44）和金属通孔（20）。通过氧化金属板形成金属氧化物层。金属氧化物层具有平板的形式。金属通孔设置在不被氧化的金属板的一个或多个部分上。金属通孔穿过金属氧化物层。金属通孔具有与金属氧化物层相同的厚度。多层封装模块包括层压封装衬底（100a，100b，100c）。封装衬底与位于金属通孔的下侧和上侧的连接焊盘（62）接触。

8. 发明公开

KR1020090003037A 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：基于金属的光电器件封装模块及其工艺
公开(公告)号：KR1020090003037A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070070817
申请日：2007-07-13
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민 , 현성우 , 손보인
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/64
CPC分类号： H01L31/024 , H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： The metallic base optical device package module and manufacturing method thereof are provided to prevent the short between the bottom electrodes and to release effectively the generated heat of the optical device. The metal oxide layer(12) is formed on the metallic board(10) through the optional anode oxidation. The metallic board is formed into the sheet form. The mounting groove(14) is formed by performing the optional anode oxidation on the metal oxide layer. The optical device(16) is mounted in the mounting groove. The reflecting surface(20) is formed in the inner surface of the mounting groove. The luminous efficiency is maximized by using the reflecting surface.
摘要翻译：提供金属基础光学器件封装模块及其制造方法，以防止底部电极之间的短路并且有效地释放光学器件的产生的热量。金属氧化物层（12）通过任选的阳极氧化形成在金属板（10）上。金属板形成片状。通过在金属氧化物层上执行任选的阳极氧化来形成安装槽（14）。光学装置（16）安装在安装槽中。反射面（20）形成在安装槽的内表面。通过使用反射表面使发光效率最大化。

9. 发明授权

KR100656295B1 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지 및 그 제작방법 失效
标题翻译：采用选择性阳极氧化金属的包装及其制造方法
公开(公告)号：KR100656295B1
公开(公告)日：2006-12-11
申请号：KR1020040098769
申请日：2004-11-29
申请人： (주)웨이브닉스이에스피
发明人： 권영세 , 신성호
IPC分类号： H01L23/28 , H01L25/00
CPC分类号： H01L23/142 , H01L23/04 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： A package using selectively anodized metal and a manufacturing method thereof are provided. The method includes a patterning step, an anodized metal film forming step, a via hole forming step, and a bump forming step. The pattering step is performed by attaching a masking material to a surface of a metal substrate for integrating semiconductor elements and patterning regions that will not be anodized. The anodized metal film forming step is performed by selectively anodizing the patterned metal substrate and forming a metal oxidation layer having a predetermined thickness. The via hole forming step is performed by forming the via holes in the metal oxidation layer. The bump forming step is performed by forming the bumps for surface-mounting.
摘要翻译：本发明涉及一种使用选择性阳极氧化金属的封装和制造该封装的方法，本发明涉及一种制造用于发射半导体器件中产生的热量的半导体封装的方法，通过选择性地阳极化所述图案化的金属基板来形成具有特定厚度的金属氧化物层;在所述金属氧化物层中形成通孔以形成通孔; 以及用于形成用于表面安装的焊料凸块的凸块形成工艺。

10. 发明授权

KR100625196B1 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지에서의 고품질인덕터 제조방법 失效
标题翻译：使用选择性阳极氧化金属的封装中的高品质电感器的制造方法
公开(公告)号：KR100625196B1
公开(公告)日：2006-09-15
申请号：KR1020060067470
申请日：2006-07-19
申请人： (주)웨이브닉스이에스피
发明人： 권영세 , 신성호
IPC分类号： H01L23/28 , H01L25/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 선택적 양극 산화된 금속을 이용한 패키지에서의 고품질 인덕터 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명은 금속기판에 기생정전용량을 줄이고 인덕터 라인의 저항성분을 줄이는 인덕터를 제작하는 방법에 있어서, 상기 금속기판에 인덕터가 제작될 부분에 마스크물질을 부착하고 상기 금속기판 이면을 소정 깊이로 식각하는 과정, 금속기판에 금속산화층을 형성하여 인덕터를 제작할 부분을 다른 금속들과 전기적으로 격리시키는 과정, 금속기판에 부착된 마스크물질을 제거한 후 양극산화 되지 않은 금속층을 선택적으로 식각하여 인덕터의 하부라인을 형성하는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
선택적 양극산화, 금속기판, 패키지, 수동소자, 반도체소자, 열방출, 비아, 금속산화,

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