基本信息:
- 专利标题： LOWER LINER WITH INTEGRATED FLOW EQUALIZER AND IMPROVED CONDUCTANCE
- 专利标题（中）：具有集成流量均衡器和改进的导体的下层
- 申请号：PCT/US2009039662 申请日：2009-04-06
- 公开(公告)号：WO2009126576A3 公开(公告)日：2010-03-18
- 发明人： CARDUCCI JAMES D , NGUYEN ANDREW , BALAKRISHNA AJIT , KUTNEY MICHAEL C
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , CARDUCCI JAMES D , NGUYEN ANDREW , BALAKRISHNA AJIT , KUTNEY MICHAEL C
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,CARDUCCI JAMES D,NGUYEN ANDREW,BALAKRISHNA AJIT,KUTNEY MICHAEL C
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,CARDUCCI JAMES D,NGUYEN ANDREW,BALAKRISHNA AJIT,KUTNEY MICHAEL C
- 优先权： US9900708 2008-04-07
- 主分类号： H05H1/34
- IPC分类号： H05H1/34 ; H01L21/3065
摘要：
A plasma processing chamber has a lower liner with an integrated flow equalizer. In an etching process, the processing gases may be unevenly drawn from the processing chamber which may cause an uneven etching of the substrate. The integrated flow equalizer is configured to equalize the flow of the processing gases evacuated from the chamber via the lower liner.
摘要（中）：
等离子体处理室具有具有集成流量均衡器的下衬套。 在蚀刻工艺中，处理气体可能不均匀地从处理室抽出，这可能导致基板的不均匀蚀刻。 集成流量均衡器被配置为使从腔室经由下衬套排出的处理气体的流量相等。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05H | 等离子体技术（离子束管入H01J27/00；磁流体发电机入H02K44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速 |
| ------H05H1/00 | 等离子体的产生；等离子体的处理 |
| --------H05H1/02 | .用电场或磁场约束等离子体的装置；加热等离子体的装置 |
| ----------H05H1/26 | ..等离子体喷管 |
| ------------H05H1/32 | ...应用电弧的 |
| --------------H05H1/34 | ....零部件，例如电极、喷嘴 |