基本信息:
- 专利标题： 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置へのデータ書込方法
- 专利标题（英）：Nonvolatile storage apparatus and method for writing data into nonvolatile storage apparatus
- 专利标题（中）：非易失存储设备和将数据写入非易失存储设备的方法
- 申请号：PCT/JP2008/002291 申请日：2008-08-25
- 公开(公告)号：WO2009034687A1 公开(公告)日：2009-03-19
- 发明人： 加藤佳一 , 島川一彦
- 申请人： パナソニック株式会社 , 加藤佳一 , 島川一彦
- 申请人地址： 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック株式会社,加藤佳一,島川一彦
- 当前专利权人： パナソニック株式会社,加藤佳一,島川一彦
- 当前专利权人地址： 5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 特許業務法人 有古特許事務所
- 优先权： JP2007-233804 20070910
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00
摘要：
同一極性の電気パルスで複数の抵抗状態の間を遷移する抵抗変化型素子を複数備えたメモリセルアレイを有する不揮発性記憶装置（３００）。メモリセルアレイ（７０）と電気パルス印加装置（５０）との間に直列抵抗設定器（３１０）を設け、直列抵抗設定器を制御することにより、選択された抵抗変化型素子を低抵抗状態から高抵抗状態へと変化させる時および高抵抗状態から低抵抗状態へと変化させる時の少なくとも一方において、直列電流経路の抵抗値を所定の範囲で時間と共に変化させる。
摘要（中）：
一种具有存储单元阵列的非易失性存储装置（300），该存储单元阵列响应于相同极性的电脉冲，包括多个电阻变化元件，每个电阻可变元件从多个电阻状态之一转变到另一个电阻状态。 在存储单元阵列（70）和电脉冲施加装置（50）之间设置有串联电阻设定单元（310）。 控制串联电阻器设定单元，随着时间的推移，串联电流路径的电阻值至少在将电阻可变元件从低电阻状态变为高电阻时至少在预定范围内变化 当所选择的电阻变化元件从高电阻状态变为低电阻状态时。