发明申请
US20120086104A1 ATOMIC LAYER DEPOSITION OF CRYSTALLINE PrCaMnO (PCMO) AND RELATED STRUCTURES AND METHODS
有权
基本信息:
- 专利标题： ATOMIC LAYER DEPOSITION OF CRYSTALLINE PrCaMnO (PCMO) AND RELATED STRUCTURES AND METHODS
- 专利标题（中）：晶体沉积的原子层沉积（PCMO）及相关结构与方法
- 申请号：US12902590 申请日：2010-10-12
- 公开(公告)号：US20120086104A1 公开(公告)日：2012-04-12
- 发明人： Eugene P. Marsh
- 申请人： Eugene P. Marsh
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 主分类号： H01L29/92
- IPC分类号： H01L29/92 ; H01L21/02
摘要：
Methods of forming a PrCaMnO (PCMO) material by atomic layer deposition. The methods include separately exposing a surface of a substrate to a manganese-containing precursor, an oxygen-containing precursor, a praseodymium-containing precursor and a calcium-containing precursor. The resulting PCMO material is crystalline. A semiconductor device structure including the PCMO material, and related methods, are also disclosed.
摘要（中）：
通过原子层沉积形成PrCaMnO（PCMO）材料的方法。 这些方法包括将基材的表面分别暴露于含锰前体，含氧前体，含镨前体和含钙前体。 得到的PCMO材料是结晶的。 还公开了包括PCMO材料的半导体器件结构及相关方法。