基本信息:
- 专利标题： RADIATION DETECTOR AND FABRICATION PROCESS
- 专利标题（中）：辐射探测器和制造工艺
- 申请号：US12779355 申请日：2010-05-13
- 公开(公告)号：US20110278464A1 公开(公告)日：2011-11-17
- 发明人： Andrew Clark , David L. Williams
- 申请人： Andrew Clark , David L. Williams
- 主分类号： G01T1/20
- IPC分类号： G01T1/20 ; H01L21/30 ; G01T1/208
摘要：
A monolithic integrated radiation detector includes a photodetector and a scintillator deposited directly on the photodetector. Preferably the photodetector is silicon and the scintillator is a rare earth phosphor. The rare earth phosphor is crystal lattice matched to the silicon by a transitional layer epitaxially grown therebetween.
摘要（中）：
单片集成放射线检测器包括直接沉积在光电检测器上的光电检测器和闪烁体。 优选地，光电检测器是硅，闪烁体是稀土荧光体。 稀土荧光体通过其间外延生长的过渡层与硅晶格匹配。
公开/授权文献:
- US09360565B2 Radiation detector and fabrication process 公开/授权日：2016-06-07