
基本信息:
- 专利标题: METHOD OF MANUFACTURING SPACER
- 专利标题(中):制造间隔的方法
- 申请号:US10908240 申请日:2005-05-04
- 公开(公告)号:US20060252190A1 公开(公告)日:2006-11-09
- 发明人: Chun-Jen Weng , Chia-Jui Liu
- 申请人: Chun-Jen Weng , Chia-Jui Liu
- 主分类号: H01L21/8234
- IPC分类号: H01L21/8234
摘要:
A method of manufacturing a spacer for a substrate having a gate structure formed thereon. The method comprises steps of forming a first oxide layer over the substrate and forming a nitride layer on the first oxide layer. A first asymmetric etching process is performed to remove a portion of the nitride layer until a portion of a top surface of the first oxide layer is exposed. A second asymmetric etching process is performed to remove a portion of the first oxide layer by using the remaining nitride layer as a mask until about 50% to 90% portion of the first oxide layer is removed. A quick wet etching process is performed to remove a portion of the remaining first oxide located on the top of the gate structure and on the substrate.
摘要(中):
一种制造其上形成有栅极结构的衬底的间隔物的方法。 该方法包括在衬底上形成第一氧化物层并在第一氧化物层上形成氮化物层的步骤。 执行第一非对称蚀刻工艺以去除氮化物层的一部分,直到暴露第一氧化物层的顶表面的一部分。 通过使用剩余的氮化物层作为掩模来执行第二非对称蚀刻工艺以去除第一氧化物层的一部分,直到除去第一氧化物层的约50%至90%的部分。 执行快速湿蚀刻工艺以去除位于栅极结构的顶部上和衬底上的剩余第一氧化物的一部分。
公开/授权文献:
- US07235491B2 Method of manufacturing spacer 公开/授权日:2007-06-26
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
--------------H01L21/782 | ....制造多个器件,每一个由单个电路元件组成 |
----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
--------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |