基本信息:
- 专利标题： 達成在單一晶粒上的複數電晶體鰭部尺度的技術
- 专利标题（英）：TECHNIQUES FOR ACHIEVING MULTIPLE TRANSISTOR FIN DIMENSIONS ON A SINGLE DIE
- 专利标题（中）：达成在单一晶粒上的复数晶体管鳍部尺度的技术
- 申请号：TW107122648 申请日：2015-02-04
- 公开(公告)号：TWI697961B 公开(公告)日：2020-07-01
- 发明人： 葛雷斯 葛蘭 , GLASS, GLENN , 莫希 安拿 , MURTHY, ANAND
- 申请人： 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US14/31599 20140324
- 主分类号： H01L21/335
- IPC分类号： H01L21/335 ; H01L21/8232 ; H01L27/105
公开/授权文献:
- TW201843742A 達成在單一晶粒上的複數電晶體鰭部尺度的技術 公开/授权日：2018-12-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |