基本信息:
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）：半导体结构及其制造方法
- 申请号：TW105133337 申请日：2016-10-14
- 公开(公告)号：TWI635546B 公开(公告)日：2018-09-11
- 发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
- 申请人： 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 申请人地址： 新北市
- 专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新北市
- 代理人： 陳長文; 馮博生
- 优先权： 15/271,603 20160921
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52 ; H01L23/043
公开/授权文献:
- TW201814798A 半導體結構及其製造方法 公开/授权日：2018-04-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/52 | ....半导体在容器中的安装 |