基本信息:
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor structure and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：半导体结构及其制造方法
- 申请号：TW105133337 申请日：2016-10-14
- 公开(公告)号：TW201814798A 公开(公告)日：2018-04-16
- 发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
- 申请人： 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 申请人地址： 新北市
- 专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新北市
- 代理人： 陳長文; 馮博生
- 优先权： 15/271,603 20160921
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52 ; H01L23/043
摘要：
一種半導體結構包含一基板，該基板包含一第一表面、與該第一表面對立的一第二表面、以及自該第一表面朝向該第二表面凹陷的一凹部；一傳導層，位於該第一表面上方且位於該凹部內；以及一保護層，位於該第一表面上方且局部覆蓋該傳導層，其中位於該凹部內的該傳導層自該保護層暴露。
摘要（中）：
一种半导体结构包含一基板，该基板包含一第一表面、与该第一表面对立的一第二表面、以及自该第一表面朝向该第二表面凹陷的一凹部；一传导层，位于该第一表面上方且位于该凹部内；以及一保护层，位于该第一表面上方且局部覆盖该传导层，其中位于该凹部内的该传导层自该保护层暴露。
摘要（英）：
A semiconductor structure includes a substrate including a first surface, a second surface opposite to the first surface and a recess recessed from the first surface towards the second surface; a conductive layer disposed over the first surface and within the recess; and a passivation disposed over the first surface and partially covering the conductive layer, wherein the conductive layer disposed within the recess is exposed from the passivation.
公开/授权文献:
- TWI635546B 半導體結構及其製造方法 公开/授权日：2018-09-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/52 | ....半导体在容器中的安装 |