专利号TW105101378 | 電漿蝕刻系統

专利标题：電漿蝕刻系統
专利标题（英）：Plasma etching system
专利标题（中）：等离子蚀刻系统
申请号：TW105101378 申请日：2010-12-15
公开(公告)号：TWI608537B 公开(公告)日：2017-12-11
发明人：高夫凱伊斯威廉 , GAFF,KEITHWILLIAM , 席恩哈密特 , SINGH,HARMEET , 卡門登特凱伊斯 , COMENDANT,KEITH , 瓦海地瓦西德 , VAHEDI,VAHID
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
专利权人：蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
当前专利权人：蘭姆研究公司,LAM RESEARCH CORPORATION
代理人：許峻榮
优先权： 61/286,653 20091215
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀

IPRDB