专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI361948B 著色感光性樹脂組成物 COLORING PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION 有权
简体标题：着色感光性树脂组成物 COLORING PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION
公开(公告)号：TWI361948B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW093112369
申请日：2004-05-03
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：市川幸司 , 白川政和
IPC分类号： G03F , G02B , C08L
摘要：本發明之著色感光性樹脂組成物，係一種含有：著色劑(A)、黏結樹脂(B)、光聚合性化合物(C)、光聚合起始劑(D)、顏料分散劑(E)、及溶劑(F)之著色感光性樹脂組成物；將上述著色感光性樹脂組成物塗布於玻璃基板上而形成樹脂層，當對上述樹脂層施行預烘焙，並隔著遮罩施行曝光、顯影、後烘焙之際，在後烘焙中所獲得硬化樹脂層的硬度，依鉛筆硬度表示，在3H以上、9H以下，且將經預烘焙、隔著遮罩施行曝光後所獲得感光性樹脂層，浸漬於在100rpm攪拌下之25℃鹼水溶液中，經120秒後而溶解感光性樹脂層之非曝光部之部分處的穿透率(400至780nm之平均)係98%以上、100%以下。
简体摘要：本发明之着色感光性树脂组成物，系一种含有：着色剂(A)、黏结树脂(B)、光聚合性化合物(C)、光聚合起始剂(D)、颜料分散剂(E)、及溶剂(F)之着色感光性树脂组成物；将上述着色感光性树脂组成物涂布于玻璃基板上而形成树脂层，当对上述树脂层施行预烘焙，并隔着遮罩施行曝光、显影、后烘焙之际，在后烘焙中所获得硬化树脂层的硬度，依铅笔硬度表示，在3H以上、9H以下，且将经预烘焙、隔着遮罩施行曝光后所获得感光性树脂层，浸渍于在100rpm搅拌下之25℃碱水溶液中，经120秒后而溶解感光性树脂层之非曝光部之部分处的穿透率(400至780nm之平均)系98%以上、100%以下。

2. 发明专利

TWI360163B Ⅲ-Ｖ族化合物半導體及其製造方法有权
简体标题： Ⅲ-Ｖ族化合物半导体及其制造方法
公开(公告)号：TWI360163B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW093115357
申请日：2004-05-28
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：清水誠也 , 佐佐木誠 , 土田良彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32
摘要：本發明係關於具有由一般式InxGayAlzN(x+y+z=1，0
简体摘要：本发明系关于具有由一般式InxGayAlzN(x+y+z=1，0

3. 发明专利

TWI358548B 偏光薄膜及其製造方法，偏光板及光學層合物 POLARIZING FILM, METHOD FOR PRODUCING THE POLARIZING FILM, POLARIZER, AND OPTICAL LAMINATE 有权
简体标题：偏光薄膜及其制造方法，偏光板及光学层合物 POLARIZING FILM, METHOD FOR PRODUCING THE POLARIZING FILM, POLARIZER, AND OPTICAL LAMINATE
公开(公告)号：TWI358548B
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：TW093126078
申请日：2004-08-30
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：網谷圭二 , 山根尚德 , 藤本清二 , 松元浩二
IPC分类号： G02B
摘要：本發明之課題係提供無色相不均勻之偏光薄膜。
本發明之解決手段係聚乙烯醇系薄膜依照膨脹，染色，硼酸處理及水洗處理之順序處理。在硼酸處理步驟及/或其前之步驟進行一軸延伸，進而在延伸處理後之各步驟使加諸於前述薄膜之張力可各自實質上維持於一定所得之偏光薄膜，將聚乙烯醇系薄膜連續地以膨脹處理，染色處理，硼酸處理，水洗處理之順序處理，在硼酸處理步驟及/或其前之步驟進行一軸延伸，在延伸處理後之各步驟中進行前述薄膜之張力控制來製造。其結果，薄膜之行走安定，可減低色相不均勻。
简体摘要：本发明之课题系提供无色相不均匀之偏光薄膜。本发明之解决手段系聚乙烯醇系薄膜依照膨胀，染色，硼酸处理及水洗处理之顺序处理。在硼酸处理步骤及/或其前之步骤进行一轴延伸，进而在延伸处理后之各步骤使加诸于前述薄膜之张力可各自实质上维持于一定所得之偏光薄膜，将聚乙烯醇系薄膜连续地以膨胀处理，染色处理，硼酸处理，水洗处理之顺序处理，在硼酸处理步骤及/或其前之步骤进行一轴延伸，在延伸处理后之各步骤中进行前述薄膜之张力控制来制造。其结果，薄膜之行走安定，可减低色相不均匀。

4. 发明专利

TWI356211B 光罩、擴散反射板、彩色濾光片及其製造方法 PHOTO MASK, DIFFUSE REFLECTION SHEET, COLOR FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：光罩、扩散反射板、彩色滤光片及其制造方法 PHOTO MASK, DIFFUSE REFLECTION SHEET, COLOR FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI356211B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW093106579
申请日：2004-03-12
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：藤井幸男 , 六原行一
IPC分类号： G02F
摘要：在此光罩中，在由中心點11~19、31、34、37、21、22、23構成的德洛內(德洛內)三角形群中，配置有單位區域R1內的中心點11~19，使德洛內三角形的面積的平均值A以及標準偏差B在預定的數值範圍內。據此，即使在邊界線Bd2、Bd3附近中也能得到具有在單位區域間無接縫的圖案配置之光罩，可在不產生干涉條紋或不均勻的狀態下製造反射亮度高的擴散反射板。
简体摘要：在此光罩中，在由中心点11~19、31、34、37、21、22、23构成的德洛内(德洛内)三角形群中，配置有单位区域R1内的中心点11~19，使德洛内三角形的面积的平均值A以及标准偏差B在预定的数值范围内。据此，即使在边界线Bd2、Bd3附近中也能得到具有在单位区域间无接缝的图案配置之光罩，可在不产生干涉条纹或不均匀的状态下制造反射亮度高的扩散反射板。

5. 发明专利

TWI351578B 磺酸鹽及阻劑組成物 A SULFONATE AND A RESIST COMPOSITION 有权
简体标题：磺酸盐及阻剂组成物 A SULFONATE AND A RESIST COMPOSITION
公开(公告)号：TWI351578B
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW093121265
申请日：2004-07-16
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：山口訓史 , 秋田誠 , 吉田勳
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0395 , C07C309/58 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要：一種式(I)磺酸鹽：其中Q1、Q2、Q3、Q4、及Q5各自分別表示某個取代基，以及A+表示抗衡離子，但Q1、Q2、Q3、Q4、及Q5中之至少一者為式II基團其中R1及R2自各分別為含1至12個碳原子之烷基等；以及一種化學放大型正型阻劑組成物，係包含式(I)磺酸鹽以及，具有酸不穩定基之結構單元之樹脂，且該樹脂本身為不溶於或不易溶於鹼性水溶液，但藉酸之作用而變成可溶於鹼性水溶液。
简体摘要：一种式(I)磺酸盐：其中Q1、Q2、Q3、Q4、及Q5各自分别表示某个取代基，以及A+表示抗衡离子，但Q1、Q2、Q3、Q4、及Q5中之至少一者为式II基团其中R1及R2自各分别为含1至12个碳原子之烷基等；以及一种化学放大型正型阻剂组成物，系包含式(I)磺酸盐以及，具有酸不稳定基之结构单元之树脂，且该树脂本身为不溶于或不易溶于碱性水溶液，但藉酸之作用而变成可溶于碱性水溶液。

6. 发明专利

TWI331167B 螢光體及螢光體糊料失效
简体标题：萤光体及萤光体煳料
公开(公告)号：TWI331167B
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW092129323
申请日：2003-10-22
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：大野慶司 , 宮崎進
IPC分类号： C09K
摘要：一種螢光體糊料，其係含有電漿處理後之亮度高的螢光體及其螢光體。一種螢光體，其係含有下式(I)所示之化合物與含有1種以上選自Eu、Mn所成群之活化劑的螢光物質A1及鋁酸鹽之螢光物質B1，mM1O．nM2O．2M3O2(I)〔上述式(I)中，M1係2種以上選自Ca、Sr及Ba所成之群，Ca單獨或Ba單獨，而M2係1種以上選自Mg及Zn所成之群，M3係1種以上選自Si及Ge所成之群，且0.5≦m≦3.5、0.5≦n≦2.5〕。
简体摘要：一种萤光体煳料，其系含有等离子处理后之亮度高的萤光体及其萤光体。一种萤光体，其系含有下式(I)所示之化合物与含有1种以上选自Eu、Mn所成群之活化剂的萤光物质A1及铝酸盐之萤光物质B1，mM1O．nM2O．2M3O2(I)〔上述式(I)中，M1系2种以上选自Ca、Sr及Ba所成之群，Ca单独或Ba单独，而M2系1种以上选自Mg及Zn所成之群，M3系1种以上选自Si及Ge所成之群，且0.5≦m≦3.5、0.5≦n≦2.5〕。

7. 发明专利

TWI331087B 製備層壓多孔性聚烯薄膜的方法及層壓多孔性聚烯薄膜 METHOD FOR PRODUCING LAMINATED POROUS POLYOLEFIN FILM AND LAMINATED POROUS POLYOLEFIN FILM 失效
简体标题：制备层压多孔性聚烯薄膜的方法及层压多孔性聚烯薄膜 METHOD FOR PRODUCING LAMINATED POROUS POLYOLEFIN FILM AND LAMINATED POROUS POLYOLEFIN FILM
公开(公告)号：TWI331087B
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW093105409
申请日：2004-03-02
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：高田敦弘 , 黑田龍磨 , 山田武
IPC分类号： B32B
CPC分类号： B32B38/0032 , B29C55/023 , B29K2023/00 , B32B37/06 , B32B37/153 , B32B2038/0028 , B32B2305/30 , B32B2307/724 , B32B2309/02 , B32B2323/04 , Y10T428/24322
摘要：所揭示者是一種製造層壓多孔性聚烯薄膜之方法，該方法包含下列步驟：提供一對工具以使兩個樹脂膜間熱壓結合，每個工具具有熱壓部分，介於該工具之熱壓部分及另一工具之熱壓部分之兩個薄膜被堆疊及壓緊而結合在一起，層壓兩薄膜以形成層壓膜，其係藉由堆疊及熱壓結合介於工具熱壓部分間的薄膜，該每一薄膜包括至少一製自聚烯烴樹脂組成物之層，該組合物包含100重量份之熔融指數為0.1克/10分鐘或以下的聚烯烴樹脂和80至300重量份填料，其中，於層壓期間內，每一熱壓部分的表面溫度被調整至比聚烯烴樹脂的熔點高出5至25℃，拉伸該層壓膜以於其中形成微孔，藉此得到多孔膜。
简体摘要：所揭示者是一种制造层压多孔性聚烯薄膜之方法，该方法包含下列步骤：提供一对工具以使两个树脂膜间热压结合，每个工具具有热压部分，介于该工具之热压部分及另一工具之热压部分之两个薄膜被堆栈及压紧而结合在一起，层压两薄膜以形成层压膜，其系借由堆栈及热压结合介于工具热压部分间的薄膜，该每一薄膜包括至少一制自聚烯烃树脂组成物之层，该组合物包含100重量份之熔融指数为0.1克/10分钟或以下的聚烯烃树脂和80至300重量份填料，其中，于层压期间内，每一热压部分的表面温度被调整至比聚烯烃树脂的熔点高出5至25℃，拉伸该层压膜以于其中形成微孔，借此得到多孔膜。

8. 发明专利

TWI328594B Ⅲ至Ⅴ族化合物半導體及其製造方法失效
简体标题： Ⅲ至Ⅴ族化合物半导体及其制造方法
公开(公告)号：TWI328594B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：TW092133231
申请日：2003-11-26
申请人：住友化學工業股份有限公司
发明人：清水誠也 , 森島進一 , 佐佐木誠
IPC分类号： C08L
CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： (1)依以下之順序具有至少基板、一般式InuGavAlwN(式中，0≦u、v、w≦1，u+v+w=1)所示之緩衝層及一般式InxGayAlzN(式中，，0≦x、y、z≦1，x+y+z=1)所示之III至V族化合物半導體結晶層，該緩衝層之膜厚為5Å以上90Å以下為其特徵之III至V族化合物半導體，及(2)於基板上生成一般式InxGayAlzN所示之III至V族化合物半導體結晶層時，於生成該化合物半導體結晶層之前，以低於該化合物半導體結晶層之生成溫度，生成膜厚5Å以上90Å以下之一般式InuGavAlwN所示之緩衝層之成膜後，生成該化合物半導體結晶層之III至V族化合物半導體製造方法。
简体摘要： (1)依以下之顺序具有至少基板、一般式InuGavAlwN(式中，0≦u、v、w≦1，u+v+w=1)所示之缓冲层及一般式InxGayAlzN(式中，，0≦x、y、z≦1，x+y+z=1)所示之III至V族化合物半导体结晶层，该缓冲层之膜厚为5Å以上90Å以下为其特征之III至V族化合物半导体，及(2)于基板上生成一般式InxGayAlzN所示之III至V族化合物半导体结晶层时，于生成该化合物半导体结晶层之前，以低于该化合物半导体结晶层之生成温度，生成膜厚5Å以上90Å以下之一般式InuGavAlwN所示之缓冲层之成膜后，生成该化合物半导体结晶层之III至V族化合物半导体制造方法。

9. 发明专利

TWI313293B 藉真空紫外線激發之發光元件用燐光體 PHOSPHOR FOR LIGHT-EMITTING ELEMENT EXCITED BY VACUUM ULTRA-VIOLET RAY 失效
简体标题：藉真空紫外线激发之发光组件用磷光体 PHOSPHOR FOR LIGHT-EMITTING ELEMENT EXCITED BY VACUUM ULTRA-VIOLET RAY
公开(公告)号：TWI313293B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW092113502
申请日：2003-05-19
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD.
发明人：槐原隆義 EZUHARA, TAKAYOSHI , 宮崎進 MIYAZAKI, SUSUMU , 磯部敏典 ISOBE, TOSHINORI
IPC分类号： C09K
CPC分类号： C09K11/7774
摘要：本發明的目的是要提出一種藉真空紫外線激發之發光元件用燐光體,其即使暴於電漿之後,仍然具有高亮度。此目的藉燐光體達成,其包含式M11-aM211-bMna+bO18-(a+b)/2所示化合物(其中,M1代表選自La、Y和Gd中之至少一種材料,M2代表選自Al和Ga中之至少一種材料,a代表不低於0至低於1的數字,b代表不低於0至低於1的數字,a+b大於0),及藉包含前述燐光體之藉真空紫外線激發之發光元件達成此目的。
简体摘要：本发明的目的是要提出一种藉真空紫外线激发之发光组件用磷光体,其即使暴于等离子之后,仍然具有高亮度。此目的藉磷光体达成,其包含式M11-aM211-bMna+bO18-(a+b)/2所示化合物(其中,M1代表选自La、Y和Gd中之至少一种材料,M2代表选自Al和Ga中之至少一种材料,a代表不低于0至低于1的数字,b代表不低于0至低于1的数字,a+b大于0),及藉包含前述磷光体之藉真空紫外线激发之发光组件达成此目的。

10. 发明专利

TWI309252B 聚合物電解質組成物及其用途 POLYMER ELECTROLYTE COMPOSITION AND USES THEREOF 失效
简体标题：聚合物电解质组成物及其用途 POLYMER ELECTROLYTE COMPOSITION AND USES THEREOF
公开(公告)号：TWI309252B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW092100617
申请日：2003-01-13
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD.
发明人：佐佐木繁 SASAKI, SHIGERU , 八代有弘 , 日高康昌 , 谷口拓未
IPC分类号： C08L
CPC分类号： H01M8/1032 , C08G65/48 , C08G75/23 , C08G2650/02 , C08J5/2256 , C08J2371/12 , C08K5/521 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/106 , H01M8/1081 , H01M2300/0082 , H01M2300/0094 , Y02P70/56 , C08L71/12
摘要：本發明係提供一種耐自由基特性及/或質子導電率極佳的聚合物電解質組成物。聚合物電解質組成物包含由以下的式(1)代表的芳族聚合物膦酸衍生物及至少一種選自由磷酸衍生物和聚合物電解質所構成的群組

(其中-Z-代表-SO2-或-CO-,x及y各自代表0.01-0.99,其先決條件係x與y之總和係1,-Ar-代表4-18個碳原子之二價芳族,其可以包括雜原子及可以包括一或多個取代基,n代表以每單元包括芳族之聚合物部份的結構計之取代基平均數及其係8或更小之正數,以及R及R'係各自獨立代表氫原子或烷基)。
简体摘要：本发明系提供一种耐自由基特性及/或质子导电率极佳的聚合物电解质组成物。聚合物电解质组成物包含由以下的式(1)代表的芳族聚合物膦酸衍生物及至少一种选自由磷酸衍生物和聚合物电解质所构成的群组 (其中-Z-代表-SO2-或-CO-,x及y各自代表0.01-0.99,其先决条件系x与y之总和系1,-Ar-代表4-18个碳原子之二价芳族,其可以包括杂原子及可以包括一或多个取代基,n代表以每单元包括芳族之聚合物部份的结构计之取代基平均数及其系8或更小之正数,以及R及R'系各自独立代表氢原子或烷基)。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式