基本信息:
- 专利标题： 基板處理方法及基板處理裝置
- 专利标题（中）：基板处理方法及基板处理设备
- 申请号：TW108126464 申请日：2019-07-26
- 公开(公告)号：TW202015118A 公开(公告)日：2020-04-16
- 发明人： 加藤雅彦 , KATO, MASAHIKO , 髙橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 藤原直澄 , FUJIWARA, NAOZUMI , 尾辻正幸 , OTSUJI, MASAYUKI , 佐佐木悠太 , SASAKI, YUTA , 山口佑 , YAMAGUCHI, YU
- 申请人： 日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 专利权人： 日商斯庫林集團股份有限公司,SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 当前专利权人： 日商斯庫林集團股份有限公司,SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 2018-163869 20180831
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; F26B5/08 ; F26B3/12
摘要：
本發明之基板處理方法包含：乾燥前處理液膜形成工序，其係將包含不經過液體而自固體變成氣體之昇華性物質與使上述昇華性物質溶解之溶劑的溶液即乾燥前處理液供給至形成有圖案之基板之表面，藉此，於上述基板之表面上形成覆蓋上述基板之表面之上述乾燥前處理液之液膜；及乾燥前處理液膜排除工序，其係使上述溶劑自上述液膜蒸發而於上述基板之表面上形成包含上述昇華性物質之凝固體，且使上述凝固體昇華，藉此，自上述基板之表面上將上述液膜排除。上述乾燥前處理液膜排除工序包含：區域並存狀態產生工序，其係產生上述凝固體昇華而上述基板之表面乾燥之乾燥區域、殘存有上述凝固體之凝固體殘存區域、及殘存有上述液膜之液殘存區域依次自上述基板之表面之中央部朝向上述基板之表面之周緣部排列的區域並存狀態；及乾燥區域擴大工序，其係一面維持上述區域並存狀態一面以上述凝固體殘存區域朝向上述基板之表面之周緣部移動之方式將上述乾燥區域擴大。
摘要（中）：
本发明之基板处理方法包含：干燥前处理液膜形成工序，其系将包含不经过液体而自固体变成气体之升华性物质与使上述升华性物质溶解之溶剂的溶液即干燥前处理液供给至形成有图案之基板之表面，借此，于上述基板之表面上形成覆盖上述基板之表面之上述干燥前处理液之液膜；及干燥前处理液膜排除工序，其系使上述溶剂自上述液膜蒸发而于上述基板之表面上形成包含上述升华性物质之凝固体，且使上述凝固体升华，借此，自上述基板之表面上将上述液膜排除。上述干燥前处理液膜排除工序包含：区域并存状态产生工序，其系产生上述凝固体升华而上述基板之表面干燥之干燥区域、残存有上述凝固体之凝固体残存区域、及残存有上述液膜之液残存区域依次自上述基板之表面之中央部朝向上述基板之表面之周缘部排列的区域并存状态；及干燥区域扩大工序，其系一面维持上述区域并存状态一面以上述凝固体残存区域朝向上述基板之表面之周缘部移动之方式将上述干燥区域扩大。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |